技術(shù)特征：

1.一種預(yù)布局階段基于集成學(xué)習(xí)的寄生電容預(yù)估方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種預(yù)布局階段基于集成學(xué)習(xí)的寄生電容預(yù)估方法，其特征在于，步驟s1中，所述互連線物理特征包括：扇出、引腳矩形寬度、引腳矩形高度、引腳矩形半周長(zhǎng)線長(zhǎng)、斯坦納樹(shù)候選點(diǎn)個(gè)數(shù)、矩形均勻密度和引腳密度；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種預(yù)布局階段基于集成學(xué)習(xí)的寄生電容預(yù)估方法，其特征在于，步驟s1包括以下步驟：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種預(yù)布局階段基于集成學(xué)習(xí)的寄生電容預(yù)估方法，其特征在于，步驟s2包括以下步驟：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種預(yù)布局階段基于集成學(xué)習(xí)的寄生電容預(yù)估方法，其特征在于，步驟s3包括以下步驟：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種預(yù)布局階段基于集成學(xué)習(xí)的寄生電容預(yù)估方法，其特征在于，樹(shù)的數(shù)量為100，樹(shù)的最大深度設(shè)置為允許樹(shù)完全展開(kāi)，分裂節(jié)點(diǎn)所需的最小樣本數(shù)為2，葉子節(jié)點(diǎn)最小樣本數(shù)為1，分裂時(shí)的最大特征數(shù)為7，隨機(jī)種子數(shù)為42。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于芯片設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種在預(yù)布局階段基于集成學(xué)習(xí)預(yù)估互連線寄生電容的方法，可提升物理設(shè)計(jì)早期動(dòng)態(tài)功耗計(jì)算的準(zhǔn)確性。包括以下步驟：S1，提取電路原始數(shù)據(jù)并計(jì)算互連線物理特征；S2，建立互連線的特征?電容標(biāo)簽監(jiān)督訓(xùn)練數(shù)據(jù)集；S3，訓(xùn)練互連線寄生電容預(yù)測(cè)模型；S4，訓(xùn)練階段結(jié)束后，進(jìn)入預(yù)測(cè)階段，以當(dāng)前設(shè)計(jì)預(yù)布局階段的互連線物理特征作為互連線寄生電容預(yù)測(cè)模型的輸入，得到預(yù)測(cè)寄生電容。本發(fā)明方法簡(jiǎn)單易用，且預(yù)布局信息與設(shè)計(jì)最終結(jié)果有較高一致性，有助于提升物理設(shè)計(jì)早期電路功耗計(jì)算的準(zhǔn)確性，加快了設(shè)計(jì)周期。

技術(shù)研發(fā)人員：高孟垚,陸氏天,賀青
受保護(hù)的技術(shù)使用者：同濟(jì)大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15