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一種存儲(chǔ)裝置、存儲(chǔ)裝置的操作方法及存儲(chǔ)系統(tǒng)與流程

文檔序號(hào):41954662發(fā)布日期:2025-05-16 14:20閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種存儲(chǔ)裝置,其特征在于,包括存儲(chǔ)陣列和耦接到所述存儲(chǔ)陣列的外圍電路;所述存儲(chǔ)陣列包括存儲(chǔ)單元和與所述存儲(chǔ)單元耦接的位線(xiàn);

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述頁(yè)緩沖器還包括電壓轉(zhuǎn)換電路,所述電壓轉(zhuǎn)換電路的第一端用于輸入供電電壓,所述電壓轉(zhuǎn)換電路的第二端耦接到所述充放電電路的控制端,所述電壓轉(zhuǎn)換電路的第三端耦接到所述鎖存器電路的輸出端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述電壓轉(zhuǎn)換電路包括第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管;

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述第三晶體管的溝道長(zhǎng)度小于所述充放電電路中的晶體管的溝道長(zhǎng)度,且所述第三晶體管設(shè)置有低摻雜漏區(qū)結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述第一晶體管和所述第二晶體管的柵極電介質(zhì)厚度大于4nm小于10nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述第三晶體管的柵極電介質(zhì)厚度小于所述第一晶體管的柵極電介質(zhì)厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述頁(yè)緩沖器還包括多個(gè)第四晶體管,多個(gè)所述第四晶體管耦接到所述鎖存器電路;

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述第四晶體管的柵極電介質(zhì)厚度小于所述充放電電路中的晶體管的柵極電介質(zhì)厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述頁(yè)緩沖器還包括多個(gè)第五晶體管,所述第五晶體管的第一受控端耦接到所述充放電電路;

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述第五晶體管的溝道長(zhǎng)度小于所述充放電電路中的晶體管的溝道長(zhǎng)度,且所述第五晶體管設(shè)置有低摻雜漏區(qū)結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述第五晶體管的柵極電介質(zhì)厚度小于所述充放電電路中的晶體管的柵極電介質(zhì)厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,向所述第五晶體管控制端施加的電壓不超過(guò)1.2v。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述充放電電路中的晶體管的柵極電介質(zhì)厚度大于4nm小于10nm。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述鎖存器電路中的晶體管的柵極電介質(zhì)厚度大于2nm小于4nm。

15.根據(jù)權(quán)利要求1-14任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述鎖存器電路包括第一反相器、第二反相器、第六晶體管、第七晶體管和第八晶體管;

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述第六晶體管和第七晶體管的柵極電介質(zhì)厚度小于所述第八晶體管的柵極電介質(zhì)厚度。

17.一種存儲(chǔ)裝置的操作方法,其特征在于,所述存儲(chǔ)裝置包括存儲(chǔ)陣列和耦接到所述存儲(chǔ)陣列的外圍電路;所述存儲(chǔ)陣列包括存儲(chǔ)單元和與所述存儲(chǔ)單元耦接的位線(xiàn),所述外圍電路包括頁(yè)緩沖器,所述頁(yè)緩沖器包括感測(cè)節(jié)點(diǎn)、鎖存器電路、電壓轉(zhuǎn)換電路和充放電電路;

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的操作方法,其特征在于,所述響應(yīng)于所述鎖存器電路鎖存第一信息,所述電壓轉(zhuǎn)換電路向所述充放電電路輸出供電電壓,包括:

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的操作方法,其特征在于,所述操作方法還包括:

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的操作方法,其特征在于,所述響應(yīng)于所述鎖存器電路鎖存第二信息,所述電壓轉(zhuǎn)換電路向所述充放電電路輸出接地電壓,包括:

21.根據(jù)權(quán)利要求17-20任一項(xiàng)所述的操作方法,其特征在于,所述操作方法還包括:

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的操作方法,其特征在于,所述操作方法還包括:

23.一種存儲(chǔ)系統(tǒng),其特征在于,包括存儲(chǔ)器控制器以及上述權(quán)利要求1-16中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)裝置,所述存儲(chǔ)器控制器被配置為控制所述存儲(chǔ)裝置。

24.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其特征在于,所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令;所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令被執(zhí)行后,能夠?qū)崿F(xiàn)權(quán)利要求17-22任一項(xiàng)所述的方法。

25.一種計(jì)算機(jī)設(shè)備,其特征在于:包括處理器,以及與處理器耦合的可讀存儲(chǔ)介質(zhì),可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)可執(zhí)行指令,當(dāng)可執(zhí)行指令被處理器執(zhí)行時(shí),能夠?qū)崿F(xiàn)權(quán)利要求17-22任一項(xiàng)所述的方法。


技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N存儲(chǔ)裝置、存儲(chǔ)裝置的操作方法及存儲(chǔ)系統(tǒng),涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域。存儲(chǔ)裝置包括存儲(chǔ)陣列和耦接到存儲(chǔ)陣列的外圍電路;存儲(chǔ)陣列包括存儲(chǔ)單元和與存儲(chǔ)單元耦接的位線(xiàn);外圍電路包括頁(yè)緩沖器,頁(yè)緩沖器包括:耦接到位線(xiàn)的感測(cè)節(jié)點(diǎn),耦接到感測(cè)節(jié)點(diǎn)的充放電電路,以及,多個(gè)鎖存器電路,多個(gè)鎖存器電路均耦接到感測(cè)節(jié)點(diǎn);其中,充放電電路中的晶體管的溝道長(zhǎng)度大于鎖存器電路中的晶體管的溝道長(zhǎng)度,充放電電路中的晶體管的工作電壓高于鎖存器電路中的晶體管的工作電壓。本申請(qǐng)通過(guò)縮短鎖存器電路中晶體管的溝道長(zhǎng)度,并降低鎖存器電路中的晶體管的工作電壓,減小鎖存器電路的尺寸,進(jìn)而減小頁(yè)緩沖器的尺寸,提高存儲(chǔ)裝置的集成度。

技術(shù)研發(fā)人員:何偉偉,梁軻,黃蔚,許文山,周婷婷,侯春源
受保護(hù)的技術(shù)使用者:長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/15
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