本發(fā)明涉及一種內(nèi)存存儲裝置及內(nèi)存存儲裝置的讀取方法。

背景技術(shù)：

1、在現(xiàn)有技術(shù)中，內(nèi)存陣列通常需要經(jīng)過多次的循環(huán)操作，以將數(shù)據(jù)寫入存儲單元。循環(huán)操作包括抹除操作及程序化操作。內(nèi)存陣列的存儲單元可能因為經(jīng)過多次循環(huán)操作而有循環(huán)退化(cycling?degradation)的可能。退化的存儲單元會影響其所提供的電流，從而影響讀取存儲單元的正確性。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種內(nèi)存存儲裝置及其讀取方法，可避免內(nèi)存存儲裝置受到循環(huán)退化的影響，而影響其讀取的正確性。

2、本發(fā)明的內(nèi)存存儲裝置包括內(nèi)存陣列以及感測放大器電路。內(nèi)存陣列包括存儲單元(cell)及參考單元。在抹除期間，存儲單元及參考單元一起被抹除。感測放大器電路耦接到內(nèi)存陣列。在讀取期間，感測放大器電路比較存儲單元的單元電流及被程序化的參考單元的參考電流來決定存儲單元的狀態(tài)。

3、本發(fā)明的內(nèi)存存儲裝置的讀取方法包括：在抹除期間，對存儲單元及參考單元進行抹除操作；對參考單元進行程序化操作；以及在讀取期間，比較存儲單元的單元電流及被程序化的參考單元的參考電流來決定存儲單元的狀態(tài)。

技術(shù)特征：

1.一種內(nèi)存存儲裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)存存儲裝置，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)存存儲裝置，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)存存儲裝置，其中所述參考電流產(chǎn)生電路通過電流鏡電路將所述參考電流提供給所述存儲單元對應(yīng)的所述感測放大器電路。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)存存儲裝置，其中所述參考單元從所述參考電流產(chǎn)生電路汲取所述參考電流。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)存存儲裝置，其中所述存儲單元從所述感測放大器電路汲取所述單元電流。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)存存儲裝置，其中所述參考單元在晶圓測試期間或每次抹除操作之后被程序化。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)存存儲裝置，其中所述感測放大器電路包括感測節(jié)點，且所述感測節(jié)點在預(yù)充電期間被充電到第一電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的內(nèi)存存儲裝置，其中

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的內(nèi)存存儲裝置，其中當(dāng)所述存儲單元為第二狀態(tài)時，所述單元電流大于所述參考電流，且所述感測節(jié)點的電壓值降到第二電壓，其中所述第二電壓小于所述第一電壓。

11.一種內(nèi)存存儲裝置的讀取方法，其中所述內(nèi)存存儲裝置包括內(nèi)存陣列，且所述內(nèi)存陣列包括存儲單元及參考單元，所述讀取方法包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的內(nèi)存存儲裝置的讀取方法，還包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的內(nèi)存存儲裝置的讀取方法，其中所述參考單元從參考電流產(chǎn)生電路汲取所述參考電流。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的內(nèi)存存儲裝置的讀取方法，其中所述存儲單元從感測放大器電路汲取所述單元電流。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的內(nèi)存存儲裝置的讀取方法，其中所述參考單元在晶圓測試期間或每次抹除操作之后被程序化。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的內(nèi)存存儲裝置的讀取方法，其中所述內(nèi)存存儲裝置包括感測放大器電路，所述感測放大器電路包括感測節(jié)點，且所述讀取方法還包括

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的內(nèi)存存儲裝置的讀取方法，其中

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的內(nèi)存存儲裝置的讀取方法，其中當(dāng)所述存儲單元為第二狀態(tài)時，所述單元電流大于所述參考電流，且所述感測節(jié)點的電壓值降到第二電壓，其中所述第二電壓小于所述第一電壓。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供內(nèi)存存儲裝置及內(nèi)存存儲裝置的讀取方法。內(nèi)存存儲裝置包括內(nèi)存陣列以及感測放大器電路。內(nèi)存陣列包括存儲單元及參考單元。在抹除期間，存儲單元及參考單元一起被抹除。感測放大器電路耦接到內(nèi)存陣列。在讀取期間，感測放大器電路比較存儲單元的單元電流及被程序化的參考單元的參考電流來決定存儲單元的狀態(tài)。內(nèi)存存儲裝置的讀取方法也被提出。

技術(shù)研發(fā)人員：何文喬
受保護的技術(shù)使用者：華邦電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15