本技術涉及電源管理,尤其涉及一種用于非易失閃存編程的電源控制電路。
背景技術:
1、在許多電子設備中,非易失閃存芯片(nor?flash)被廣泛應用于存儲數據。然而,在對非易失閃存芯片進行編程時,需要確保系統(tǒng)其他部分不會受到干擾。
2、現有技術中,通常通過手動斷開系統(tǒng)其他部分的電源來實現,這種方法效率低且容易出錯的問題。針對上述出現的問題,目前尚未提出有效的解決方案。
技術實現思路
1、實用新型目的:提供一種用于非易失閃存編程的電源控制電路,以至少解決上述現有技術中存在的問題之一。
2、技術方案:一種用于非易失閃存編程的電源控制電路,包括:
3、非易失閃存芯片;
4、至少一電壓轉換器,與所述非易失閃存芯片電連接;及
5、復數個電源軌,與所述電壓轉換器電連接;
6、其中,通過至少一所述電壓轉換器控制指定所述電源軌供電至非易失閃存芯片,以使系統(tǒng)其他部分不受影響。
7、作為優(yōu)選,所述非易失閃存芯片采用mx25u12835fz2i,所述非易失閃存芯片通過多個信號線與所述電壓轉換器電連接。
8、作為優(yōu)選,所述電壓轉換器為理想二極管,所述理想二極管采用lm66100dckr。
9、作為優(yōu)選,當所述理想二極管的ce引腳電壓高于輸入電壓時,p溝道m(xù)osfet管關閉;當ce引腳電壓低于輸入電壓時,p溝道m(xù)osfet管導通。
10、作為優(yōu)選,復數個所述電源軌包括:板內電源軌、閃存芯片電源軌和外部供電電源軌。
11、作為優(yōu)選,所述電源軌包括:vdd_1v8_a、vdd_1v8_nor和vcc_spi_1v8;其中,所述vcc_spi_1v8為外部供電,與vdd_1v8_a不為同一路電源。
12、作為優(yōu)選,當在單獨燒錄flash模式時,斷開vdd_1v8_a,vcc_spi_1v8供電,以使所述非易失閃存芯片供電且系統(tǒng)其他部分無電源。
13、作為優(yōu)選,至少一所述電壓轉換器的數量為兩個。
14、作為優(yōu)選,所述電壓轉換器的輸入端分別連接到不同的電源軌,輸出端連接到閃存芯片電源軌。
15、作為優(yōu)選,還包括:外部接口,所述外部接口與所述非易失閃存芯片電連接。
16、有益效果:在本申請實施例中,采用增設理想二極管的方式,通過至少一所述電壓轉換器控制指定所述電源軌供電至非易失閃存芯片,以使系統(tǒng)其他部分不受影響,達到了單獨進行定向供電的目的,從而實現了整個系統(tǒng)除flash以外均無電源和確保整個系統(tǒng)不受到影響的技術效果,進而解決了現有技術中,通常通過手動斷開系統(tǒng)其他部分的電源來實現,這種方法效率低且容易出錯的技術問題。
1.用于非易失閃存編程的電源控制電路,其特征在于,包括:
2.根據權利要求1所述的用于非易失閃存編程的電源控制電路,其特征在于,所述非易失閃存芯片采用mx25u12835fz2i,所述非易失閃存芯片通過多個信號線與所述電壓轉換器電連接。
3.根據權利要求1所述的用于非易失閃存編程的電源控制電路,其特征在于,所述電壓轉換器為理想二極管,所述理想二極管采用lm66100dckr。
4.根據權利要求3所述的用于非易失閃存編程的電源控制電路,其特征在于,當所述理想二極管的ce引腳電壓高于輸入電壓時,p溝道m(xù)osfet管關閉;當ce引腳電壓低于輸入電壓時,p溝道m(xù)osfet管導通。
5.根據權利要求1所述的用于非易失閃存編程的電源控制電路,其特征在于,復數個所述電源軌包括:板內電源軌、閃存芯片電源軌和外部供電電源軌。
6.根據權利要求1所述的用于非易失閃存編程的電源控制電路,其特征在于,所述電源軌包括:vdd_1v8_a、vdd_1v8_nor和vcc_spi_1v8;其中,所述vcc_spi_1v8為外部供電,與vdd_1v8_a不為同一路電源。
7.根據權利要求1所述的用于非易失閃存編程的電源控制電路,其特征在于,至少一所述電壓轉換器的數量為兩個。
8.根據權利要求1所述的用于非易失閃存編程的電源控制電路,其特征在于,所述電壓轉換器的輸入端分別連接到不同的電源軌,輸出端連接到閃存芯片電源軌。
9.根據權利要求1所述的用于非易失閃存編程的電源控制電路,其特征在于,還包括:外部接口,所述外部接口與所述非易失閃存芯片電連接。