本申請涉及存儲，具體涉及一種相變存儲器及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在相變存儲技術(shù)中，由于讀取電壓足以打開處于置位狀態(tài)的存儲單元，且打開瞬間存儲單元會流過大電流，多次的讀取操作會導(dǎo)致存儲單元的自身狀態(tài)逐漸變化，最終會導(dǎo)致存儲單元的存儲狀態(tài)改變，這種情況即認(rèn)為存儲單元發(fā)生了讀取干擾。

2、這種讀取干擾會影響到數(shù)據(jù)存儲的正確性，從而影響到相變存儲器的工作可靠性。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环N相變存儲器及電子設(shè)備，以緩解讀取干擾較大的技術(shù)問題。

2、第一方面，本申請?zhí)峁┮环N相變存儲器，該相變存儲器包括比較器、第二開關(guān)、第三開關(guān)、依次連接的存儲電路、選中數(shù)字線、第一開關(guān)以及未選中數(shù)字線；比較器的第一輸入端與選中數(shù)字線連接，比較器的第二輸入端與未選中數(shù)字線連接，比較器的輸出端被配置為讀出存儲電路中的數(shù)據(jù)；第二開關(guān)的第一端與選中數(shù)字線連接，第二開關(guān)的第二端接入第一負(fù)電壓；第三開關(guān)的第一端與選中數(shù)字線連接，第三開關(guān)的第二端接入第二負(fù)電壓，第三開關(guān)被配置為通過第一開關(guān)在讀取操作中設(shè)置未選中數(shù)字線的基準(zhǔn)電壓，基準(zhǔn)電壓與第二負(fù)電壓正相關(guān)，第二負(fù)電壓小于第一負(fù)電壓。

3、第二方面，本申請?zhí)峁┮环N電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括上述的相變存儲器。

4、本申請?zhí)峁┑南嘧兇鎯ζ骷半娮釉O(shè)備，通過第一開關(guān)和第三開關(guān)在讀取操作中設(shè)置未選中數(shù)字線的基準(zhǔn)電壓，基準(zhǔn)電壓與第二負(fù)電壓正相關(guān)，第二負(fù)電壓小于第一負(fù)電壓，相較于基準(zhǔn)電壓與第一負(fù)電壓正相關(guān)，可以產(chǎn)生更低的基準(zhǔn)電壓，從而減小了打開瞬間流過存儲單元的過沖電流，進(jìn)而降低了存儲單元所受到的讀取干擾。

5、隨著更低的基準(zhǔn)電壓的使用，也放寬了對存儲單元的閾值電壓和保持電壓這兩項工藝參數(shù)的要求，從而使得存儲單元的閾值電壓和保持電壓具有更寬的可選范圍，這可以在保證能夠從存儲單元中讀出正確數(shù)據(jù)的情況下，降低了對存儲單元的工藝要求。

技術(shù)特征：

1.一種相變存儲器，其特征在于，所述相變存儲器包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，在所述讀取操作中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的相變存儲器，其特征在于，在所述讀取操作中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的相變存儲器，其特征在于，所述相變存儲器還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的相變存儲器，其特征在于，所述存儲電路包括依次連接的字線、存儲單元、位線、第一選通晶體管、局部位線以及第二選通晶體管，所述第二選通晶體管與所述選中數(shù)字線連接；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的相變存儲器，其特征在于，在所述讀取操作中，所述第三開關(guān)的導(dǎo)通時段位于所述第一選通晶體管的兩個導(dǎo)通時段之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的相變存儲器，其特征在于，在所述讀取操作中，所述第二開關(guān)的導(dǎo)通時段、所述第三開關(guān)的導(dǎo)通時段均位于所述第一選通晶體管的兩個導(dǎo)通時段之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相變存儲器，其特征在于，在所述讀取操作中，所述第三開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)時，所述第二選通晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述第一選通晶體管、所述第一開關(guān)、所述第二開關(guān)、所述第一初始化開關(guān)以及所述第二初始化開關(guān)均處于斷開狀態(tài)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，所述相變存儲器還包括：

10.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括如權(quán)利要求1-9任一項所述的相變存儲器。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種相變存儲器及電子設(shè)備，該相變存儲器包括比較器、第二開關(guān)、第三開關(guān)、依次連接的存儲電路、選中數(shù)字線、第一開關(guān)以及未選中數(shù)字線，通過第一開關(guān)和第三開關(guān)在讀取操作中設(shè)置未選中數(shù)字線的基準(zhǔn)電壓，基準(zhǔn)電壓與第二負(fù)電壓正相關(guān)，第二負(fù)電壓小于第一負(fù)電壓，相較于基準(zhǔn)電壓與第一負(fù)電壓正相關(guān)，可以產(chǎn)生更低的基準(zhǔn)電壓，從而減小了打開瞬間流過存儲單元的過沖電流，進(jìn)而降低了存儲單元所受到的讀取干擾。

技術(shù)研發(fā)人員：董祖奇,李建平,劉峻
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新存微科技（北京）有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15