專利名稱：基板以及半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種基板以及半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
有如下地構(gòu)成的功率半導(dǎo)體裝置通過將裝載了功率半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部部件接合在基板、并將基板螺接在散熱器，擴(kuò)散通電導(dǎo)致的功率半導(dǎo)體芯片的發(fā)熱。在這種半導(dǎo)體裝置中，為了提高基板與散熱器的密接性，基板具有向散熱器側(cè)凸 狀地翹曲的形狀。在基板的外周部設(shè)置有用于插通螺絲的貫通孔。基板的外周部通過散熱器而浮起，因此當(dāng)用螺絲緊固基板的外周部時(shí)，向下壓基板的外周部而產(chǎn)生形變。當(dāng)通過螺接而產(chǎn)生的形變傳遞到裝載了功率半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部部件與基板的接合部時(shí)，力向?qū)⒐β拾雽?dǎo)體芯片從基板剝離的方向起作用。其結(jié)果，接合部被破壞、或者內(nèi)部應(yīng)力變高，產(chǎn)生功率半導(dǎo)體裝置的長期可靠性下降等的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠緩和通過螺接而產(chǎn)生的形變的基板以及半導(dǎo)體裝置。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，基板具備第I區(qū)域，具有相對置的第I面以及第2面，所述第2面?zhèn)葹橥範(fàn)?，該第I區(qū)域設(shè)置在中央部；以及第2區(qū)域，位于除了所述中央部的周邊部、且具有貫通孔。所述第2區(qū)域的厚度比所述第I區(qū)域的厚度薄。根據(jù)其它實(shí)施方式，在半導(dǎo)體裝置中，基板具有第I區(qū)域和第2區(qū)域，該第I區(qū)域具有相對置的第I面以及第2面，所述第2面?zhèn)葹橥範(fàn)睿摰贗區(qū)域設(shè)置在中央部，該第2區(qū)域位于除了所述中央部的周邊部、且具有貫通孔。所述第2區(qū)域的厚度比所述第I區(qū)域的厚度薄。包含半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部部件通過粘接劑載置在所述基板的所述第I區(qū)域的所述第I面。


圖1是表不與實(shí)施例1有關(guān)的基板的圖。圖2是表示與實(shí)施例1有關(guān)的半導(dǎo)體裝置的截面圖。圖3是表示與實(shí)施例1有關(guān)的比較例的基板的圖。圖4是表示與實(shí)施例1有關(guān)的比較例的半導(dǎo)體裝置的截面圖。圖5是對比表示與實(shí)施例1有關(guān)的基板和比較例的基板的主要部分的立體圖。圖6是對比表示對與實(shí)施例1有關(guān)的基板和比較例的基板的主要部分的變形狀態(tài)進(jìn)行仿真的結(jié)果的立體圖。圖7是表不與實(shí)施例1有關(guān)的其它的基板的立體圖。圖8是表不與實(shí)施例1有關(guān)的其它的基板的截面圖。圖9是表示與實(shí)施例2有關(guān)的半導(dǎo)體裝置的截面圖。附圖標(biāo)記說明
11、31、51、61、71 基板;lla、llb、31a、31b、51c、51d、61a、61b、71a、71b :第 I 面、第 2 面；llc、lld、31c、31d、61c、61d、71c、71d :第 I 區(qū)域、第 2 區(qū)域；12、32、82 :貫通孔；13、53 :邊界線；20、40、80 :半導(dǎo)體裝置；21 :接合劑；22 :內(nèi)部部件；23、81 :外殼；24 :填充劑；25 :螺絲；26 :散熱器;27、41 :螺絲連結(jié)部;28a、28b、42a、42b :螺絲連結(jié)部周邊;29、43 :接合部；81a :底座部；81b :收納部；81d :切口部；83 :法蘭盤。
具體實(shí)施例方式下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施例。[實(shí)施例1]參照圖1以及圖2說明本實(shí)施例的基板以及半導(dǎo)體裝置。圖1是表示本實(shí)施例的基板的圖，圖1 (a)是基板的俯視圖，圖1 (b)是沿著圖1 (a)的A-A線切斷而向箭頭方向看的截面圖。圖2是本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置圖，圖2 (a)是半導(dǎo)體裝置的截面圖，圖2 (b)是表示半導(dǎo)體裝置螺接在底座的狀態(tài)的截面圖，圖2 (c)是放大表示螺接在底座的半導(dǎo)體裝置的主要部分的截面圖。首先，說明本實(shí)施例的基板。如圖1所示，本實(shí)施例的基板11是具有相對置的第I面Ila和第2面Ilb的矩形形狀?；?1具有第2面Ilb側(cè)凸?fàn)畹芈N曲的形狀?；?1的第2面Ilb側(cè)凸?fàn)畹芈N曲是為了利用板簧的彈性將基板11可靠地壓在后述的散熱器。在基板11的第I面Ila的中央部設(shè)置有第I區(qū)域11c、在除了第I面Ila的中央部的周邊部設(shè)置有具有貫通孔12的第2區(qū)域lid。第I區(qū)域Ilc是除了半導(dǎo)體芯片之外還載置電極部件、陶瓷基板等的區(qū)域。向第2區(qū)域Ild的貫通孔12插通用于將基板11螺接在散熱器(底座)的螺絲?；?1是矩形形狀，因此第2區(qū)域Ild設(shè)置在矩形的四角。當(dāng)將基板11置于散熱器之上時(shí)，基板11的四角通過散熱器而浮起。在本實(shí)施例中，中央部是不包含矩形的四角的區(qū)域。周邊部是包含矩形的四角、且不包含中央部的區(qū)域。第I區(qū)域Ilc是切開矩形的四角使得具有與矩形的一個(gè)對角線平行的短邊、和與矩形的邊平行的長邊的八角形狀的區(qū)域。第2區(qū)域Ild是切開矩形的四角使得具有與矩形的一個(gè)對角線平行的斜邊的直角三角形狀的區(qū)域。基板11是導(dǎo)熱性高的金屬(銅、招)制。第I區(qū)域Ilc的厚度Hl例如是約3mm。第2區(qū)域Ild的厚度H2設(shè)定為比第I區(qū)域Ilc的厚度Hl小(H2〈H1)。厚度H2為厚度Hl的1/3^2/3左右是恰當(dāng)?shù)?。厚度H2比厚度Hl薄，因此在第I區(qū)域Ilc與第2區(qū)域Ild的邊界中產(chǎn)生離第I面Ila側(cè)的高低差。第I區(qū)域Ilc與第2區(qū)域Ild的邊界線13是直線狀，大致與矩形形狀的基板11的對角線正交。例如，通過使用具有進(jìn)行配合的凸部以及凹部的一對金屬模具沖壓加工金屬板來制作基板11。接著，說明本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。如圖2 (a)所示，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置20中，在基板11的第I面Ila的第I區(qū)域Ilc通過接合劑21接合了內(nèi)部部件22。接合劑21例如是導(dǎo)電膏、樹脂粘接薄片、焊錫等。內(nèi)部部件22如上述那樣除了半導(dǎo)體芯片之外還包含有電極部件、陶瓷基板等。
收納內(nèi)部部件22而向基板11的第I區(qū)域Ilc蓋上箱型的外殼23。外殼23例如是樹脂制，通過粘接劑(未圖示)固定在基板11的第I區(qū)域He。在內(nèi)部部件22與外殼23的間隙填充有填充劑24、例如環(huán)氧樹脂。外殼23以及填充劑24是為了從外部環(huán)境保護(hù)內(nèi)部部件22而設(shè)置的。例如，通過設(shè)置于外殼23的小孔而向內(nèi)部部件22與外殼23的間隙注入液狀的環(huán)氧樹脂并使其固化而獲得填充劑24。如圖2 (b)以及圖2 (C)所示，半導(dǎo)體裝置20通過插通在貫通孔12的螺絲25壓緊在散熱器26。通過用螺絲25將基板11緊固在散熱器26，并校正基板11的翹曲，使基板11密接在散熱器26。此時(shí)，可以在基板11與散熱器26之間夾住潤滑脂?；?1的第2區(qū)域I Id的厚度H2比基板11的第I區(qū)域I Ic的厚度Hl薄(H2〈H1 )，因此第2區(qū)域Ild的剛性比第I區(qū)域Ilc的剛性小。其結(jié)果，基板11除了螺絲連結(jié)部(貫通孔12以及螺絲25的頭部相接觸的部分)27的螺絲連結(jié)部周邊(從螺絲25的頭部相接觸的部分至第I區(qū)域Ilc為止之間)28a、28b中的螺絲連結(jié)部周邊28a發(fā)生變形。如下地產(chǎn)生變形例如螺絲連結(jié)部周邊28a的第I面IIa側(cè)隆起，螺絲連結(jié)部周邊28a的第2面Ilb側(cè)從散熱器26浮起。通過螺絲連結(jié)部周邊28a發(fā)生變形，充分緩和通過螺絲連結(jié)而產(chǎn)生的形變。螺絲連結(jié)部周邊28a是第2區(qū)域Ild的貫通孔12與第I區(qū)域Ilc之間的變形部。其結(jié)果，能夠抑制形變向內(nèi)部部件22與基板11的接合部29的傳遞。通過螺絲連結(jié)而產(chǎn)生的形變不傳遞到接合部29，因此將內(nèi)部部件22從基板11進(jìn)行剝離的方向的力不起作用。因而，能夠防止接合部29的破壞而維持、提高半導(dǎo)體裝置20的長期可靠性。接著，使用圖3以及圖4說明比較例的基板以及半導(dǎo)體裝置。這里，比較例的基板是上述的厚度Hl和厚度H2相等的基板。圖3是比較例的基板圖，圖3 Ca)是基板的俯視圖，圖3 (b)是沿著圖3 Ca)的B-B線切斷而向箭頭方向看的截面圖。圖4是示出比較例的半導(dǎo)體裝置圖，圖4 (a)是半導(dǎo)體裝置的截面圖，圖4 (b)是表示半導(dǎo)體裝置螺接在散熱器的狀態(tài)的截面圖，圖4 (c)是放大表示螺接在散熱器的半導(dǎo)體裝置的主要部分的截面圖。
首先，說明比較例的基板。如圖3所示，比較例的基板31是具有相對置的第I面31a和第2面31b的矩形形狀?；?1具有向第2面31b側(cè)凸?fàn)畹芈N曲的形狀?；?1在第I面31a的中央部設(shè)置有第I區(qū)域31c、在第I面31a的周邊部設(shè)置有具有貫通孔32的第2區(qū)域31d。第I區(qū)域31c是除了半導(dǎo)體芯片之外還載置電極部件、陶瓷基板等的區(qū)域。向第2區(qū)域31d的貫通孔32插通用于將基板31螺接在散熱器(底座)的螺絲?；?1是矩形形狀，因此第2區(qū)域31d設(shè)置在矩形的四角。當(dāng)基板31置于散熱器之上時(shí)，基板31的四角從散熱器浮起?；?1的第I區(qū)域31c的厚度Hl和基板31的第2區(qū)域31d的厚度H2相等 (H1=H2),因此在第I區(qū)域31c與第2區(qū)域31d的邊界不會(huì)產(chǎn)生高低差。接著，說明比較例的半導(dǎo)體裝置。如圖4 (a)所示，在比較例的半導(dǎo)體裝置40中，在基板31的第I面31a的第I區(qū)域31c通過接合劑21接合有內(nèi)部部件22。收納內(nèi)部部件22的箱型的外殼23通過粘接劑(未圖示)固定在基板31的第I區(qū)域 31c。如圖3 (b)以及圖3 (C)所示，半導(dǎo)體裝置40通過插通在貫通孔32的螺絲25壓緊在散熱器26。通過用螺絲25將基板31緊固在散熱器26，并矯正基板31的翹曲，使基板31密接在散熱器26。此時(shí)，基板31的第2區(qū)域31d的厚度H2與基板31的第I區(qū)域31c的厚度Hl相等，因此第2區(qū)域31d的剛性與第I區(qū)域31c的剛性相同。其結(jié)果，基板31除了螺絲連結(jié)部41的螺絲連結(jié)部周邊42a、42b中螺絲連結(jié)部周邊42a幾乎不變形。即使變形，其變形量也極少，比圖2 (C)所示的螺絲連結(jié)部周邊28a的變形量少。在變形的情況下是如下程度例如螺絲連結(jié)部周邊42a的第I面311a側(cè)略微隆起，螺絲連結(jié)部周邊42a的第2面31b側(cè)從散熱器26略微浮起。螺絲連結(jié)部周邊42a幾乎不變形，因此沒有充分緩和通過螺絲連結(jié)而產(chǎn)生的形變。螺絲連結(jié)部周邊42a是第2區(qū)域31d的貫通孔32與第I區(qū)域31c之間的形變部。其結(jié)果，變得難以抑制形變向內(nèi)部部件22與基板31的接合部43的傳遞。當(dāng)通過螺絲連結(jié)而產(chǎn)生的形變傳遞到接合部43時(shí)，力向?qū)?nèi)部部件22從基板31進(jìn)行剝離的方向起作用。因而，接合部43被破壞，產(chǎn)生半導(dǎo)體裝置40的長期可靠性下降等的問題。另一方面，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置20中，如上述那樣螺絲連結(jié)部周邊28a發(fā)生變形，因此充分緩和通過螺絲連結(jié)而產(chǎn)生的形變，抑制形變向內(nèi)部部件22與基板11的接合部29的傳遞。為了明確該情況，使用圖5以及圖6說明對基板11以及基板31的變形狀態(tài)進(jìn)行仿真的結(jié)果。仿真是根據(jù)有限元法來進(jìn)行。仿真條件如下地設(shè)定。在基板11中設(shè)為H2=Hl/2，在基板31中設(shè)為H2=H1。施加負(fù)載之前的基板11、31是平坦的。將基板11、31作為懸臂梁而向第2區(qū)域lld、31d的螺絲連結(jié)部27、41施加相同的負(fù)載。圖5是對比表示負(fù)載施加前的本實(shí)施例的基板11的主要部分和負(fù)載施加前的比較例的基板31的主要部分的立體圖，圖5 Ca)是表示本實(shí)施例的基板11的主要部分的立體圖，圖5 (b)是表示比較例的基板31的主要部分的立體圖。圖6是對比表示負(fù)載施加后的本實(shí)施例的基板11的主要部分和負(fù)載施加后的比較例的基板31的主要部分的立體圖，圖6 Ca)是表示本實(shí)施例的基板11的主要部分的立體圖，圖6 (b)是表示比較例的基板31的主要部分的立體圖。在圖5以及圖6中，虛線表示矩形形狀的基板的對角線，被一點(diǎn)劃線包圍的區(qū)域表示螺絲連結(jié)部。在圖6中，圓弧狀的實(shí)線是表示變形量的等高線。從等高線引出的數(shù)值表示變形量(mm)。首先，說明比較例的基板31。如圖5 (b)所示，在負(fù)載施加前基板31是平坦的。 如圖6(b)所示，當(dāng)施加負(fù)載時(shí)，基板31的角的前端部向下方略微翹曲。其變形量約為0.1mm左右。將從基板31的角的前端部起至變形量為0. 02mm的部分為止的距離(變形長度)設(shè)為L2。接著，說明本實(shí)施例的基板11。如圖5 (a)所示，在負(fù)載施加前基板11是平坦的。如圖6 (b)所示，當(dāng)施加負(fù)載時(shí)，基板11的角的前端部向下方大幅翹曲。其變形量約為0. 18mm左右。將從基板11的角的前端部起至變形量為0. 02mm的部分為止的距離(變形長度)設(shè)為LI。基板11的變形越過邊界線13而波及到第I區(qū)域11c?；?1的變形量(0. 18mm)大到基板31的變形量(0.1mm)的約2倍?；?1的變形長度LI比基板31的變形長度L2大?？芍緦?shí)施例的基板11與比較例的基板31相比容易對按壓力發(fā)生變形、且變形的區(qū)域?qū)?。由此可以確認(rèn)通過使螺絲連結(jié)部周邊變形而緩和通過螺絲連結(jié)而產(chǎn)生的形變，不向內(nèi)部部件與基板的接合部進(jìn)行傳遞。如以上說明那樣，在本實(shí)施例中，基板11的第2區(qū)域Ild的厚度H2設(shè)定得比基板11的第I區(qū)域Ilc的厚度Hl薄(H2〈H1)。其結(jié)果，當(dāng)將半導(dǎo)體裝置20螺接在散熱器26時(shí)，基板11的螺絲連結(jié)部周邊28a發(fā)生變形。由此，充分緩和通過螺絲連結(jié)而產(chǎn)生的形變，能夠抑制形變向內(nèi)部部件22與基板11的接合部29進(jìn)行傳遞。因而，獲得能夠緩和通過螺接而產(chǎn)生的形變的基板以及半導(dǎo)體裝置。這里，說明基板11的第I區(qū)域Ilc與第2區(qū)域Ild的邊界線13是直線狀的情況，但是不限于此，還能夠設(shè)為曲線狀。圖7是表示第I區(qū)域與第2區(qū)域的邊界線是曲線狀的基板的圖。如圖7所示，在基板51中第I區(qū)域51c與第2區(qū)域51d的邊界線53是圓弧狀。根據(jù)圖6 Ca)所示的仿真結(jié)果，邊界線53例如設(shè)為依照變化量為0. 02mm的等高線的圓弧狀是恰當(dāng)?shù)?。說明了從載置內(nèi)部部件22的第I面Ila側(cè)使第2區(qū)域Ild變薄的情況，但是沒有特別限定。還能夠從第2面?zhèn)葴p薄第2區(qū)域。圖8是表示從第2面?zhèn)仁沟?區(qū)域變薄的基板的主要部分的圖。如圖8(a)所示，在基板61中第2區(qū)域61d從第I面61a以及第2面61b的兩側(cè)變薄。如圖8 (b)所示，在基板71中第2區(qū)域71d從第2面71b側(cè)變薄。在基板的第2區(qū)域從第2面?zhèn)茸儽〉那闆r下，能夠通過螺絲連結(jié)來進(jìn)一步加大基板的螺絲連結(jié)部周邊的變形。但是，希望不使變形變得過度。[實(shí)施例2]使用圖9說明本實(shí)施例。圖9是表示本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的圖，圖9 (a)是表示半導(dǎo)體裝置的截面圖，圖9 (b)是放大表示其主要部分的立體圖。在本實(shí)施例中，對于與上述實(shí)施例1相同的結(jié)構(gòu)部分附加相同標(biāo)記并省略該部分的說明，而說明不同的部分。本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同點(diǎn)在于，使用了覆蓋螺絲連結(jié)部以及螺絲連結(jié)部周邊的外殼。即如圖9所示，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置80中，對于外殼81，覆蓋螺絲連結(jié)部27以及螺絲連結(jié)部周邊28a、28b而載置在基板11的第2區(qū)域Ild的平板狀的底座部81a、以及收納內(nèi)部部件22而載置在基板11的第I區(qū)域Ilc的箱型的收納部81b —體構(gòu)成。在底座部81a的四角設(shè)置有從上面81c到途中為止的切口部81d。在切口部81d設(shè)置有貫通孔82。在貫通孔82中嵌入有金屬制的法蘭盤83。法蘭盤83是鋁、黃銅等。在收納部81b中，與圖2所示的半導(dǎo)體裝置20相同地向收納部81b與內(nèi)部部件22的間隙填充有填充劑24。半導(dǎo)體裝置80通過嵌入在切口部81d的貫通孔82的法蘭盤83和插通在基板11的貫通孔12的螺絲25來壓緊在散熱器26。金屬制的法蘭盤82與樹脂制的切口部Sld相比，對于螺絲連結(jié)力的變形、破損、或者老化的耐性高，因此用于長時(shí)間維持螺絲連結(jié)力。通過螺絲25，基板11固定在散熱器26、并且外殼81的底座部81a固定在基板11。因而，限于法蘭盤82的周邊部，為了將外殼81固定在基板11，也可以不涂布粘接劑。當(dāng)使用粘接劑將外殼固定在基板時(shí)，有時(shí)在圖2所示的外殼23中從外殼23與基板11之間溢出的粘接劑流出并到達(dá)貫通孔12而妨礙螺絲連結(jié)。在本實(shí)施例的外殼81中，底座部81a覆蓋了螺絲連結(jié)部27以及螺絲連結(jié)部周邊28a、28b，因此從外殼81的底座部81a與基板11的第I區(qū)域Ilc的外周部之間溢出的粘接劑的大部分滯留在外殼81的底座部81a與構(gòu)成基板11的邊界線13的側(cè)面之間的間隙內(nèi)。其結(jié)果，粘接劑不會(huì)達(dá)到法蘭盤82而妨礙螺絲連結(jié)。如以上說明那樣，在本實(shí)施例中，外殼81由底座部81a和收納部81b —體構(gòu)成。底座部81a覆蓋了螺絲連結(jié)部27以及螺絲連結(jié)部周邊28a、28b。由此，當(dāng)用粘接劑固定外殼81和基板11時(shí)，獲得能夠防止粘接劑流出而妨礙螺絲連結(jié)的優(yōu)點(diǎn)。說明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，但是這些實(shí)施方式是作為例子而提示的，沒有意圖限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式能夠以其它的各種方式來實(shí)施，能夠在不超出發(fā)明的精神的范圍內(nèi)進(jìn)行各種的省略、替換、變更。這些實(shí)施方式、其變形包含在發(fā)明的范圍、精神中、并且包含在權(quán)利要求范圍所記載的發(fā)明和與其均等的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基板，其特征在于，具備第I區(qū)域，具有相對置的第I面以及第2面，所述第2面?zhèn)葹橥範(fàn)?，該第I區(qū)域設(shè)置在中央部；以及第2區(qū)域，位于除了所述中央部的周邊部、且具有貫通孔，所述第2區(qū)域的厚度比所述第I區(qū)域的厚度薄。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板是矩形形狀，所述第2區(qū)域設(shè)置于所述矩形的角，在所述第I面的俯視中所述第I區(qū)域與所述第2區(qū)域的邊界是直線狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，在所述第I區(qū)域載置包含半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部部件，向所述第2區(qū)域的所述貫通孔插通螺絲。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板，其特征在于，所述邊界與所述矩形的對角線大致正交。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述第I區(qū)域與所述第2區(qū)域的邊界是圓弧狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，在所述第I區(qū)域以及第2區(qū)域的邊界中離所述第I面?zhèn)?、所述?面?zhèn)?、或者所述第I 以及第2面?zhèn)犬a(chǎn)生高低差。
7.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備基板，具有第I區(qū)域和第2區(qū)域，該第I區(qū)域具有相對置的第I面以及第2面，所述第 2面?zhèn)葹橥範(fàn)?，該第I區(qū)域設(shè)置在中央部，該第2區(qū)域位于除了所述中央部的周邊部、且具有貫通孔，所述第2區(qū)域的厚度比所述第I區(qū)域的厚度薄；以及包含半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部部件，通過粘接劑載置在所述基板的所述第I區(qū)域的所述第I面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備外殼，收納所述內(nèi)部部件，并且蓋住所述基板；以及樹脂，填充在所述外殼與所述內(nèi)部部件的間隙之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或者8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，螺接在底座，在所述第2區(qū)域的所述貫通孔與所述第I區(qū)域之間具有變形部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠緩和通過螺接而產(chǎn)生的形變的基板以及半導(dǎo)體裝置?；?11)具有第1區(qū)域，具有相對置的第1以及第2面(11a、11b)、第2面(11b)側(cè)是凸?fàn)?，該?區(qū)域設(shè)置在中央部；以及第2區(qū)域，位于除了中央部的周邊部、且具有貫通孔。第2區(qū)域(11d)的厚度(H2)比第1區(qū)域(11c)的厚度(H1)薄。
文檔編號H01L23/00GK103021963SQ20121031516
公開日2013年4月3日 申請日期2012年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月21日
發(fā)明者三宅英太郎 申請人:株式會(huì)社東芝