本公開涉及半導(dǎo)體芯片，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、晶圓包括縱橫排列的多個(gè)器件本體和切割道結(jié)構(gòu)。將晶圓分離成單獨(dú)的器件本體的過程，是通過對(duì)晶圓沿著切割道切割而形成的。

2、在切割晶圓的過程中，由于切割過程產(chǎn)生的切割應(yīng)力，容易導(dǎo)致器件本體產(chǎn)生缺口或者裂紋等缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)，旨在解決如何改善晶圓在切割過程中產(chǎn)生的切割應(yīng)力導(dǎo)致器件本體產(chǎn)生缺口或者裂紋等缺陷的問題。

2、為達(dá)到上述目的，本公開的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

3、一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，包括：器件本體和第一保護(hù)層。所述器件本體包括多個(gè)側(cè)表面。所述第一保護(hù)層位于所述側(cè)表面背離所述器件本體的一側(cè)。

4、本公開上述實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件包括第一保護(hù)層，且第一保護(hù)層位于半導(dǎo)體器件的側(cè)表面背離器件本體的一側(cè)。也就是說，在晶圓上，第一保護(hù)層可以位于器件本體和切割道結(jié)構(gòu)之間。通過將第一保護(hù)層設(shè)置于器件本體和切割道結(jié)構(gòu)之間，在切割晶圓的過程中產(chǎn)生的切割應(yīng)力傳遞到第一保護(hù)層時(shí)被阻斷，切割應(yīng)力無法繼續(xù)向器件本體傳遞，從而有利于減少由于切割過程產(chǎn)生的切割應(yīng)力而導(dǎo)致器件本體產(chǎn)生缺口或者裂紋等缺陷的情況，有利于保護(hù)器件本體，提高了切割晶圓的良率。

5、在一些實(shí)施例中，至少一個(gè)所述側(cè)表面為傾斜的表面。

6、在一些實(shí)施例中，至少一個(gè)所述側(cè)表面為平面或者曲面。

7、在一些實(shí)施例中，所述器件本體還包括與所述多個(gè)側(cè)表面鄰接的底表面，所述底表面與至少一個(gè)所述側(cè)表面之間的夾角取值范圍為80°～90°。

8、在一些實(shí)施例中，所述器件本體包括中心部、密封環(huán)以及外圍部，所述密封環(huán)位于所述中心部和所述外圍部之間，所述外圍部的周表面包括所述多個(gè)側(cè)表面。

9、在一些實(shí)施例中，所述器件本體還包括襯底，所述中心部、所述密封環(huán)以及所述外圍部位于所述襯底的同一側(cè)，所述襯底包括底表面。

10、在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層位于所述中心部、所述密封環(huán)以及所述外圍部背離所述襯底的一側(cè)，且與所述第一保護(hù)層連接。

11、在一些實(shí)施例中，所述第一保護(hù)層和/或所述第二保護(hù)層的材料包括氧化物。

12、另一方面，提供一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：提供晶圓，所述晶圓包括多個(gè)器件本體和切割道結(jié)構(gòu)，所述切割道結(jié)構(gòu)連接所述多個(gè)所述器件本體；從所述晶圓的一側(cè)刻蝕部分所述切割道結(jié)構(gòu)，以替換為犧牲結(jié)構(gòu)；從所述晶圓的另一側(cè)去除剩余的所述切割道結(jié)構(gòu)；濕法刻蝕去除所述犧牲結(jié)構(gòu)，以形成多個(gè)分離的半導(dǎo)體器件。

13、上述實(shí)施例通過濕法刻蝕的方式去除犧牲結(jié)構(gòu)，從而切割晶圓的方式，能夠避免使用切割道具對(duì)晶圓進(jìn)行切割，也就避免了切割過程產(chǎn)生的切割應(yīng)力，有利于提高切割晶圓的良率。同時(shí)，濕法刻蝕去除犧牲結(jié)構(gòu)的方式能夠同時(shí)分離多個(gè)器件本體，相比于傳統(tǒng)的切割晶圓的方式需要依次進(jìn)行橫縱切割，有利于提高晶圓的切割效率。另外，晶圓切割刀具成本昂貴，本實(shí)施例的切割晶圓的方式無需使用特別的工藝，也無需新增設(shè)備，有利于降低切割晶圓的成本。

14、在一些實(shí)施例中，所述器件本體還包括襯底，所述襯底位于所述器件本體的中心部、密封環(huán)以及外圍部的同一側(cè)，所述切割道結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的連接層和連接襯底，所述連接層與所述外圍部連接，且同層設(shè)置，所述連接襯底與所述襯底連接，且同層設(shè)置；所述從所述晶圓的一側(cè)刻蝕部分所述切割道結(jié)構(gòu)，以替換為犧牲結(jié)構(gòu)，包括：刻蝕所述連接層和部分所述連接襯底，以形成凹槽；在所述凹槽內(nèi)形成所述犧牲結(jié)構(gòu)。

15、在一些實(shí)施例中，所述犧牲結(jié)構(gòu)的材料包括氮化硅和/或多晶硅。

16、在一些實(shí)施例中，所述連接襯底、所述襯底以及所述犧牲結(jié)構(gòu)的材質(zhì)相同；所述刻蝕所述連接層和部分所述連接襯底以后，且在所述凹槽內(nèi)形成所述犧牲結(jié)構(gòu)之前，還包括：在所述凹槽內(nèi)形成第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層覆蓋所述凹槽的側(cè)壁以及所述凹槽的槽底，所述第一保護(hù)層和所述器件本體共同構(gòu)成所述半導(dǎo)體器件。

17、在一些實(shí)施例中，所述在所述凹槽內(nèi)形成第一保護(hù)層的同時(shí)，還包括：在所述器件本體背離所述襯底的一側(cè)形成第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層、所述第一保護(hù)層以及所述器件本體共同構(gòu)成所述半導(dǎo)體器件。

18、在一些實(shí)施例中，所述從所述晶圓的另一側(cè)去除剩余的所述切割道結(jié)構(gòu)，包括：從所述晶圓的另一側(cè)研磨掉剩余的所述連接襯底。

19、在一些實(shí)施例中，所述從所述晶圓的另一側(cè)研磨掉剩余的所述連接襯底的同時(shí)，還包括：研磨掉覆蓋在所述凹槽的槽底的所述第一保護(hù)層，以及部分所述襯底。

20、又一方面，還提供一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括，半導(dǎo)體器件和控制器，所述半導(dǎo)體器件為如上所述的半導(dǎo)體器件；所述控制器耦合至所述半導(dǎo)體器件，以控制所述半導(dǎo)體器件存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

21、可以理解地，本公開的上述實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的制備方法，所能達(dá)到的有益效果可參考上文中半導(dǎo)體器件的有益效果，此處不再贅述。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，至少一個(gè)所述側(cè)表面為傾斜的表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，至少一個(gè)所述側(cè)表面為平面或者曲面。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述器件本體還包括與所述多個(gè)側(cè)表面鄰接的底表面，所述底表面與至少一個(gè)所述側(cè)表面之間的夾角取值范圍為80°～90°。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述器件本體包括中心部、密封環(huán)以及外圍部，所述密封環(huán)位于所述中心部和所述外圍部之間，所述外圍部的周表面包括所述多個(gè)側(cè)表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述器件本體還包括襯底，所述中心部、所述密封環(huán)以及所述外圍部位于所述襯底的同一側(cè)，所述襯底包括底表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層位于所述中心部、所述密封環(huán)以及所述外圍部背離所述襯底的一側(cè)，且與所述第一保護(hù)層連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一保護(hù)層和/或所述第二保護(hù)層的材料包括氧化物。

9.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述器件本體還包括襯底，所述襯底位于所述器件本體的中心部、密封環(huán)以及外圍部的同一側(cè)，所述切割道結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的連接層和連接襯底，所述連接層與所述外圍部連接，且同層設(shè)置，所述連接襯底與所述襯底連接，且同層設(shè)置；

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述犧牲結(jié)構(gòu)的材料包括氮化硅和/或多晶硅。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的裸半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述連接襯底、所述襯底以及所述犧牲結(jié)構(gòu)的材質(zhì)相同；所述刻蝕所述連接層和部分所述連接襯底以后，且在所述凹槽內(nèi)形成所述犧牲結(jié)構(gòu)之前，還包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述在所述凹槽內(nèi)形成第一保護(hù)層的同時(shí)，還包括：在所述器件本體背離所述襯底的一側(cè)形成第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層、所述第一保護(hù)層以及所述器件本體共同構(gòu)成所述半導(dǎo)體器件。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述從所述晶圓的另一側(cè)去除剩余的所述切割道結(jié)構(gòu)，包括：從所述晶圓的另一側(cè)研磨掉剩余的所述連接襯底。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述從所述晶圓的另一側(cè)研磨掉剩余的所述連接襯底的同時(shí)，還包括：研磨掉覆蓋在所述凹槽的槽底的所述第一保護(hù)層，以及部分所述襯底。

16.一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開提供了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)，涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決如何改善晶圓切割過程產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致半導(dǎo)體器件產(chǎn)生缺口或者裂紋等缺陷的問題。本公開實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件，包括器件本體和第一保護(hù)層。器件本體包括多個(gè)側(cè)表面。第一保護(hù)層位于側(cè)表面背離器件本體的一側(cè)。通過將第一保護(hù)層設(shè)置于器件本體和切割道結(jié)構(gòu)之間，在切割晶圓的過程中產(chǎn)生的切割應(yīng)力傳遞到第一保護(hù)層被阻斷，切割應(yīng)力無法繼續(xù)向器件本體傳遞，從而有利于改善由于切割過程產(chǎn)生的切割應(yīng)力而導(dǎo)致半導(dǎo)體器件產(chǎn)生缺口或者裂紋等缺陷的問題，有利于保護(hù)半導(dǎo)體器件。

技術(shù)研發(fā)人員：張明康,申津州,潘震,伍術(shù)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15