本發(fā)明涉及電力控制和電動(dòng)汽車領(lǐng)域的電路保護(hù)，具體指電路保護(hù)用激勵(lì)熔斷器，其可以使用單路電路保護(hù)、多路電路保護(hù)及產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜需要進(jìn)行電流分?jǐn)嗟氖褂脠?chǎng)景。

背景技術(shù)：

1、目前，市場(chǎng)上已經(jīng)存在一種較為成熟的激勵(lì)熔斷器產(chǎn)品，包括依次設(shè)置的激勵(lì)源、活塞、導(dǎo)電排、并聯(lián)在導(dǎo)電排上的熔體，激勵(lì)源和活塞依次設(shè)置在一個(gè)上殼體中，導(dǎo)電排設(shè)置在上殼體與下殼體之間，熔體和熔體殼體設(shè)置在下殼體下方。在上殼體中設(shè)置中空部，激勵(lì)源設(shè)置在中空部頂部，活塞設(shè)置在激勵(lì)源下方的中空部中。下殼體上設(shè)置供活塞斷開(kāi)導(dǎo)電排后位移的位移空間。激勵(lì)源為電子點(diǎn)火裝置，可以根據(jù)接收到的觸發(fā)電信號(hào)加熱，使溫度升高，進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，釋放高壓氣體作為驅(qū)動(dòng)力。中國(guó)專利2021210930360公開(kāi)的模塊化激勵(lì)熔斷器，其結(jié)構(gòu)就是上述結(jié)構(gòu)。

2、工作原理為：激勵(lì)熔斷器串聯(lián)在電路中，比如使用在新能源車中，車輛處于正常工作狀態(tài)時(shí)，電流通過(guò)激勵(lì)熔斷器的導(dǎo)電排流通，產(chǎn)品可視為一個(gè)導(dǎo)體。當(dāng)車輛處于異常工作狀態(tài)需要切斷電路時(shí)，車輛控制系統(tǒng)發(fā)送觸發(fā)電信號(hào)至激勵(lì)源，電子點(diǎn)火裝置觸發(fā)產(chǎn)生高壓氣體作為驅(qū)動(dòng)力，向下推動(dòng)活塞沖斷導(dǎo)電排的預(yù)斷口，形成物理斷口，然后電流通過(guò)并聯(lián)在導(dǎo)電排上的熔體流過(guò)，熔體熔斷，徹底切斷電路。雖然此激勵(lì)熔斷器相比熱熔熔斷器的性能有了一些提高，但是也存在以下不足：空間利用效率不足，產(chǎn)品體型較大，重量也相對(duì)較大；由于現(xiàn)有激勵(lì)熔斷器體積較大，銅排多為為單路銅排，不能適應(yīng)一些較為復(fù)雜的情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是在通過(guò)合理化利用熔斷器產(chǎn)品空間，使熔斷器產(chǎn)品結(jié)構(gòu)更緊湊，提高產(chǎn)品空間利用率，降低產(chǎn)品體積。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案是一種結(jié)構(gòu)緊湊型激勵(lì)熔斷器，包括：殼體、激勵(lì)源、活塞、至少一根電路保護(hù)用導(dǎo)電排，所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排上并聯(lián)有熔體；在所述殼體中設(shè)置有第一空腔和至少一個(gè)第二空腔；所述激勵(lì)源、所述活塞依次設(shè)置在所述第一空腔中，所述激勵(lì)源的信號(hào)接收端位于所述殼體外部；所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排穿過(guò)所述第一空腔，且位于所述活塞的位移路徑上，所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排的兩端為連接端，分別位于所述殼體外部；所述活塞可在所述激勵(lì)源釋放的驅(qū)動(dòng)力作用下沿著所述第一空腔從初始位置移動(dòng)至終止位置；所述第二空腔位于所述活塞位移方向的所述第一空腔外周側(cè)，在所述第二空腔中填充滅弧介質(zhì)，所述熔體穿設(shè)在所述第二空腔中的滅弧介質(zhì)中；當(dāng)所述激勵(lì)源根據(jù)接收到的觸發(fā)信號(hào)動(dòng)作釋放驅(qū)動(dòng)力，驅(qū)動(dòng)所述活塞位移切斷所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排后，所述熔體在滅弧介質(zhì)中熔斷。

3、優(yōu)選地，所述熔體優(yōu)先設(shè)置在所述活塞靠近所述激勵(lì)源的一端與所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排之間的所述第一空腔外側(cè)的所述第二空腔中。

4、此處的優(yōu)先指的是，布置熔體時(shí)，首先將熔體布置在活塞靠近激勵(lì)源的一端與電路保護(hù)用導(dǎo)電排之間的第一空腔外側(cè)的第二空腔中，且滿足各路電路保護(hù)用導(dǎo)電排并聯(lián)的熔體之間絕緣；但是，當(dāng)熔體布置在活塞靠近激勵(lì)源的一端與電路保護(hù)用導(dǎo)電排之間的第一空腔外側(cè)的第二空腔中，無(wú)法滿足熔體之間絕緣時(shí)，則將無(wú)法滿足絕緣情況的熔體布置在電路保護(hù)用導(dǎo)電排與第二凹槽底部之間的第二空腔中。

5、優(yōu)選地，所述殼體包括依次對(duì)接的激勵(lì)源護(hù)套、上殼體和下殼體；所述激勵(lì)源護(hù)套和所述上殼體上相對(duì)應(yīng)位置處分別開(kāi)設(shè)有兩端貫通的中空部，在下殼體與所述上殼體對(duì)接的端面上開(kāi)設(shè)有供所述活塞位移的第二凹槽，對(duì)接后的激勵(lì)源護(hù)套和上殼體的中空部和下殼體的第二凹槽連通形成所述第一空腔；在所述上殼體上圍繞所述上殼體的中空部的外側(cè)開(kāi)設(shè)有第二空腔，或者，在所述上殼體上圍繞所述上殼體的中空部外側(cè)和所述下殼體上圍繞所述下殼體的第二凹槽的外周分別開(kāi)設(shè)有第二空腔；所述上殼體中的所述第二空腔位于所述活塞靠近所述激勵(lì)源的一端與所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排之間的所述第一空腔外側(cè)，所述下殼體中的所述第二空腔位于靠近所述活塞位移終止位置處的所述第一空腔端部與所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排之間的所述第一空腔外側(cè)；所述激勵(lì)源設(shè)置在所述激勵(lì)源護(hù)套的中空部的頂部并封閉頂部，所述活塞的初始位置設(shè)置在所述上殼體的中空部中，所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排穿設(shè)在所述上殼體和下殼體之間；所述熔體穿設(shè)在所述第二空腔。

6、優(yōu)選地，所述第二空腔包括第一凹槽，當(dāng)所述第一凹槽位于所述上殼體中時(shí)，所述第一凹槽通過(guò)所述激勵(lì)源護(hù)套或熔體蓋板密封；當(dāng)所述第一凹槽位于所述下殼體中時(shí)，所述第一凹槽通過(guò)所述上殼體或熔體蓋板密封。

7、優(yōu)選地，所述第一凹槽呈圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)，在所述第一凹槽底部沿圓周方向間隔設(shè)置有若干支撐柱，在所述激勵(lì)源護(hù)套、所述上殼體或所述熔體蓋板上對(duì)應(yīng)所述支撐柱位置處設(shè)置有限位柱；當(dāng)所述激勵(lì)源護(hù)套、所述上殼體或所述熔體蓋板密封所述第一凹槽上時(shí)，所述限位柱與所述支撐柱對(duì)接，所述熔體位于所述支撐柱和所述限位柱之間進(jìn)行定位。

8、優(yōu)選地，當(dāng)所述第一凹槽呈圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)時(shí)，所述熔體為與所述圓環(huán)裝結(jié)構(gòu)匹配的弧形結(jié)構(gòu)，所述熔體包括弧形主體、及位于所述弧形主體兩端且與所述弧形主體一體成型的連接端，在所述弧形主體內(nèi)側(cè)或外側(cè)對(duì)應(yīng)所述支撐柱位置處一體成型有定位部，所述定位部位于所述支撐柱和所述限位柱接觸面間；所述熔體的連接端穿過(guò)所述第一凹槽底部的通孔后向與之對(duì)應(yīng)的電路保護(hù)用導(dǎo)電排一側(cè)折彎，并與對(duì)應(yīng)的電路保護(hù)用導(dǎo)電排導(dǎo)電接觸。

9、優(yōu)選地，當(dāng)所述第一凹槽位于所述上殼體時(shí)，在所述第一凹槽底部開(kāi)設(shè)有供所述熔體兩端分別穿過(guò)的通孔；，所述激勵(lì)源護(hù)套或所述熔體蓋板上對(duì)應(yīng)所述通孔位置處或者靠近所述通孔位置處有固定凸塊；當(dāng)所述激勵(lì)源護(hù)套或所述熔體蓋板密封所述第一凹槽后，所述固定凸塊插入所述第一凹槽底部的所述通孔中，將穿過(guò)所述通孔的熔體固定在所述固定凸塊與所述通孔一側(cè)之間；或者，所述固定凸塊將所述熔體壓緊在靠近所述通孔處相鄰的兩所述支撐柱間。

10、優(yōu)選地，當(dāng)所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排為兩路以上時(shí)，各路所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排絕緣間隔設(shè)置；其中兩路所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排上并聯(lián)的熔體分別設(shè)置在所述上殼體上所述第二空腔中，余下的所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排上并聯(lián)的熔體設(shè)置在所述下殼體上的所述第二空腔中。

11、優(yōu)選地，當(dāng)在一個(gè)所述第二空腔中設(shè)置有兩根以上所述熔體時(shí)，所述熔體上下設(shè)置，或內(nèi)外設(shè)置，或依次排列設(shè)置；當(dāng)所述第二空腔為圍繞所述活塞的圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)時(shí)，所述熔體對(duì)稱設(shè)置于所述活塞兩側(cè)的所述第二空腔中。

12、優(yōu)選地，當(dāng)所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排為三路時(shí)，第一電路保護(hù)用導(dǎo)電排、第二電路保護(hù)用導(dǎo)電排和第三路電路保護(hù)用導(dǎo)電排以相互絕緣、且間隔的方式位于所述上殼體與下殼體之間；其中，所述第一電路保護(hù)用導(dǎo)電排和所述第二電路保護(hù)用導(dǎo)電排以絕緣間隔方式設(shè)置同一平面上，所述第三路電路保護(hù)用導(dǎo)電排設(shè)置位于另外的平面上，且所述第三路所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排設(shè)置在正對(duì)所述第一電路保護(hù)用導(dǎo)電排和第二電路保護(hù)用導(dǎo)電排之間的絕緣間隔位置；所述第一電路保護(hù)用導(dǎo)電排和所述第二電路保護(hù)用導(dǎo)電排上并聯(lián)的熔體分別位于所述上殼體上的所述第二空腔中，所述第三路電路保護(hù)用導(dǎo)電排上并聯(lián)動(dòng)的熔體位于所述下殼體上的第二空腔中。

13、優(yōu)選地，當(dāng)所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排為兩路或三路、且應(yīng)用在三相電路中時(shí)，所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排分別任意連接三相電路中的一相，且所述活塞同時(shí)切斷兩路或三路所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排。

14、優(yōu)選地，當(dāng)所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排為兩路、且應(yīng)用在三相電路中時(shí)，還包括一路連接用導(dǎo)電排；所述連接用導(dǎo)電排位于所述活塞的位移路徑的旁側(cè)。

15、優(yōu)選地，所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排長(zhǎng)度相同。

16、優(yōu)選地，所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排的一端或兩端上導(dǎo)電連接有獨(dú)立的連接端延長(zhǎng)其長(zhǎng)度，使所述電路保護(hù)用導(dǎo)電排長(zhǎng)度相同；所述連接用導(dǎo)電排通過(guò)埋模注塑設(shè)置在所述下殼體上。

17、本發(fā)明的結(jié)構(gòu)緊湊型激勵(lì)熔斷器，通過(guò)將并聯(lián)熔體設(shè)置在活塞斷開(kāi)導(dǎo)電排所需位移路徑的外周側(cè)的空間中，即，上殼體處活塞的外周側(cè)、下殼體處供活塞位移空間的外周側(cè)的空間。充分利用產(chǎn)品空間，提高產(chǎn)品空間利用率，使產(chǎn)品結(jié)構(gòu)更緊湊，使產(chǎn)品體積小型化，可適應(yīng)多種應(yīng)用環(huán)境。

18、由于本發(fā)明產(chǎn)品空間緊湊，可以在較小的空間內(nèi)設(shè)計(jì)為單路或多路分?jǐn)嘟Y(jié)構(gòu)，例如設(shè)計(jì)成兩路通斷，可適用于三相電路的保護(hù)，避免單相熔斷器熔斷后致使電路互相干擾出現(xiàn)故障。

19、本發(fā)明的結(jié)構(gòu)緊湊型激勵(lì)熔斷器，可以通過(guò)設(shè)置兩路、三路、四路導(dǎo)電排，當(dāng)三路以上時(shí)，通過(guò)錯(cuò)位設(shè)置，并充分活塞斷開(kāi)導(dǎo)電排所需位移路徑的外周側(cè)的空間設(shè)置并聯(lián)的熔體，使激勵(lì)熔斷器產(chǎn)品在有限空間內(nèi)，可以實(shí)現(xiàn)多路保護(hù)。

20、電流通過(guò)串聯(lián)在保護(hù)系統(tǒng)回路上的導(dǎo)電銅排兩端流通，不會(huì)對(duì)熔體造成不良影響，且由于導(dǎo)電銅排截面大、電阻小，故而耐電流沖擊性好；

21、整體熔斷器部分密封設(shè)計(jì)，無(wú)透氣孔，可防止外物污染斷口，可也防止高溫電弧噴出殼體損壞周圍的器件，提高防護(hù)等級(jí)。