本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，更詳細(xì)地說，涉及利用等離子體對(duì)于基板執(zhí)行處理的基板處理裝置。

背景技術(shù)：

1、基板處理裝置作為在基板表面執(zhí)行沉積、蝕刻等基板處理的裝置，通常包括：工藝腔室，形成密封的處理空間；基板支撐部，設(shè)置在工藝腔室內(nèi)來支撐基板；氣體噴射部，設(shè)置在基板支撐部的上部以噴射用于執(zhí)行工藝的氣體。

2、此時(shí)，基板處理裝置為，根據(jù)基板處理的種類，可在等離子體等的利用中施加電源，為此基板支撐部與工藝腔室一同接地，可產(chǎn)生電位差。

3、另一方面，現(xiàn)有的基板處理裝置為，包括側(cè)面接地部，在基板支撐部側(cè)面接地連接工藝腔室與基板支撐部之間，以對(duì)于基板支撐部進(jìn)行接地，但是存在在為了接地連接而發(fā)生接觸的位置產(chǎn)生顆粒的問題。

4、尤其是，根據(jù)上下移動(dòng)的基板支撐部的驅(qū)動(dòng)，發(fā)生側(cè)面接地部反復(fù)進(jìn)行用于接地連接的接觸及分離，所以存在接觸瞬間及解除接觸的分離瞬間產(chǎn)生顆粒的問題。

5、據(jù)此，現(xiàn)有的基板處理裝置為，產(chǎn)生的顆粒向處理空間側(cè)飛散，存在影響工藝，并且降低基板處理的均勻度的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、要解決的問題

2、本發(fā)明的目的在于，為了解決如上所述的問題，提供一種可防止在接地過程中產(chǎn)生及擴(kuò)散顆粒的基板處理裝置。

3、解決問題的手段

4、本發(fā)明是為了達(dá)到如上所述的本發(fā)明的目的而提出的，本發(fā)明公開了一種基板處理裝置，包括：工藝腔室100，在內(nèi)部形成密封的處理空間s1；基板支撐部200，可升降地設(shè)置在所述工藝腔室100，并且支撐基板10；側(cè)面接地部300，連接于所述工藝腔室100內(nèi)面或者所述基板支撐部200，隨著所述基板支撐部200的上升來接地連接所述工藝腔室100與所述基板支撐部200之間；蓋部400，在通過所述側(cè)面接地部300接地連接所述工藝腔室100與所述基板支撐部200之間的狀態(tài)下，覆蓋所述側(cè)面接地部300側(cè)面的至少一部分地設(shè)置在所述工藝腔室100內(nèi)面。

5、所述蓋部400可包括：蓋托架410，突出設(shè)置在所述工藝腔室100的內(nèi)面；蓋板420，從所述蓋托架410向下側(cè)延伸，以覆蓋所述側(cè)面接地部300側(cè)面的至少一部分。

6、所述蓋板420可沿著所述蓋托架410的邊緣設(shè)置，以與所述工藝腔室100內(nèi)面一同形成設(shè)置所述側(cè)面接地部300的蓋空間s2。

7、為了覆蓋所述側(cè)面接地部300側(cè)面中朝向所述基板支撐部200的面，所述蓋板420在所述蓋托架410的邊緣中在相對(duì)應(yīng)的位置可向下側(cè)配置。

8、所述基板處理裝置還可包括陰影架30，所述陰影架30架在所述蓋部400上面，隨著所述基板支撐部200的上升而位于所述基板10的邊緣上側(cè)。

9、所述側(cè)面接地部300為，設(shè)置在所述蓋部400，并且隨著所述基板支撐部200的上升可接觸于所述基板支撐部200。

10、所述側(cè)面接地部300為，連接并設(shè)置于所述基板支撐部200，并且隨著所述基板支撐部200的上升而一體地進(jìn)行上升，進(jìn)而可接觸于所述蓋部400。

11、所述基板處理裝置還可包括接地連接部500，所述接地連接部500一端結(jié)合于所述基板支撐部200的邊緣，而另一端結(jié)合于所述側(cè)面接地部300，進(jìn)而連接所述側(cè)面接地部300與所述基板支撐部200。

12、所述接地連接部500可包括突出蓋部501，所述突出蓋部501向上側(cè)突出形成，以覆蓋所述側(cè)面接地部300的側(cè)面的至少一部分。

13、所述突出蓋部501可配置成，在所述基板支撐部200上升時(shí)，使至少一部分與所述蓋部400以水平方向重疊。

14、從所述工藝腔室100內(nèi)面開始可依次配置所述蓋板420及所述突出蓋部501。

15、從所述工藝腔室100內(nèi)面開始可依次配置所述突出蓋部501及所述蓋板420。

16、所述基板支撐部200可包括：支撐板210，形成放置所述基板10的放置面；引導(dǎo)架220，向所述工藝腔室100內(nèi)面延伸地設(shè)置在所述支撐板210邊緣。

17、所述突出蓋部501可以是在平面上相比于所述引導(dǎo)架220邊緣設(shè)置在所述工藝腔室100內(nèi)面?zhèn)取?/p>

18、所述突出蓋部501可以是上端高于所述引導(dǎo)架220邊緣。

19、所述側(cè)面接地部300可包括：接觸軸部310，包括接觸板311與軸312，所述接觸板311形成接觸面，所述軸312從所述接觸板311延伸；側(cè)面接地主體部320，包圍所述軸312；彈性部330，一端被所述接觸板311支撐，而另一端被所述側(cè)面接地主體部320支撐，能夠以所述接觸軸部310針對(duì)于所述側(cè)面接地主體部320的相對(duì)移動(dòng)地壓縮及伸長(zhǎng)。

20、所述側(cè)面接地部300還可包括帶條部350，所述帶條部350一端結(jié)合于所述接觸板311，而另一端結(jié)合于所述側(cè)面接地主體部320，以通電所述接觸板311與所述側(cè)面接地主體部320。

21、所述側(cè)面接地部300可包括導(dǎo)電片，所述導(dǎo)電片的用于接地的接觸面為橡膠材料。

22、發(fā)明的效果

23、根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置為，具有蓋部，所述蓋部覆蓋側(cè)面接地部的側(cè)面的至少一部分，進(jìn)而防止在用于接地的接觸及分離的過程中產(chǎn)生的顆粒向處理空間側(cè)擴(kuò)散，因此具有可將顆粒對(duì)于工藝造成的影響降至最低的優(yōu)點(diǎn)。

24、尤其是，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置為，防止在通過側(cè)面接地部接地的過程中產(chǎn)生的顆粒擴(kuò)散，因此具有可提高基板處理的均勻度的優(yōu)點(diǎn)。

25、另外，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置為，適用導(dǎo)電片，可防止在為了接地而發(fā)生接觸及分離的接觸面產(chǎn)生顆粒，將顆粒的產(chǎn)生最少化，因此具有可改善基板處理性能的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板處理裝置，其特征在于，

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的基板處理裝置，其特征在于，

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，涉及利用等離子體對(duì)于基板執(zhí)行處理的基板處理裝置，其包括：工藝腔室(100)，在內(nèi)部形成密封的處理空間(S1)；基板支撐部(200)，可升降地設(shè)置在所述工藝腔室(100)，并且支撐基板(10)；側(cè)面接地部(300)，連接于所述工藝腔室(100)內(nèi)面或者所述基板支撐部(200)，隨著所述基板支撐部(200)的上升來接地連接所述工藝腔室(100)與所述基板支撐部(200)之間；蓋部(400)，在通過所述側(cè)面接地部(300)接地連接所述工藝腔室(100)與所述基板支撐部(200)之間的狀態(tài)下，覆蓋所述側(cè)面接地部(300)側(cè)面的至少一部分地設(shè)置在所述工藝腔室(100)內(nèi)面。

技術(shù)研發(fā)人員：樸俊,高誠(chéng)振,張榮民
受保護(hù)的技術(shù)使用者：圓益IPS股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19