本說明書涉及半導(dǎo)體，具體地說，涉及半導(dǎo)體下的自動控制技術(shù)，更具體地說，涉及一種調(diào)度方法及相關(guān)裝置。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體工藝設(shè)備是一種用于半導(dǎo)體晶圓制造的設(shè)備，半導(dǎo)體工藝設(shè)備可以包括校準(zhǔn)模塊(aligner)、機(jī)械手、真空鎖(loadlock)、晶圓裝卸位(loadport)和多個工藝腔室(process?chamber)等模塊。利用半導(dǎo)體工藝設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)晶圓的自動加工和流轉(zhuǎn)。

2、為了提高半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工作效率，可以利用半導(dǎo)體工藝設(shè)備對多個晶圓進(jìn)行并行加工，目前針對半導(dǎo)體工藝設(shè)備中晶圓的調(diào)度技術(shù)中，存在設(shè)備利用率低的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本說明書實(shí)施例提供了一種調(diào)度方法及相關(guān)裝置，以實(shí)現(xiàn)提高設(shè)備利用率的目的。

2、為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本說明書實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案：

3、第一方面，本說明書的一個實(shí)施方式提供一種調(diào)度方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備的控制器，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備還包括晶圓裝卸位，所述調(diào)度方法包括：

4、獲取目標(biāo)物料集合，所述目標(biāo)物料集合包括多個待調(diào)度晶圓；

5、基于所述待調(diào)度晶圓的優(yōu)先級參數(shù)，確定多個所述待調(diào)度晶圓的優(yōu)先級順序；

6、基于所述待調(diào)度晶圓的優(yōu)先級順序，依次從對應(yīng)的晶圓裝卸位調(diào)度所述待調(diào)度晶圓出片，優(yōu)先級高的待調(diào)度晶圓的出片時間早于優(yōu)先級低的晶圓的出片時間。

7、第二方面，本說明書的一個實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體工藝調(diào)度設(shè)備，包括：處理器和存儲器；所述存儲器中存儲有計算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計算機(jī)程序時，實(shí)現(xiàn)上述任一項所述的調(diào)度方法。

8、第三方面，本說明書的一個實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括半導(dǎo)體工藝調(diào)度設(shè)備和多個設(shè)備模塊；

9、所述半導(dǎo)體工藝調(diào)度設(shè)備被配置為根據(jù)上述任一項所述的調(diào)度方法調(diào)度待調(diào)度晶圓出片。

10、第四方面，本說明書的一個實(shí)施方式還提供了一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)上存儲有計算機(jī)程序，所述計算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時實(shí)現(xiàn)如上所述的調(diào)度方法。

11、從上述技術(shù)方案可以看出，本說明書實(shí)施例提供的調(diào)度方法以目標(biāo)物料集合中的多個待調(diào)度晶圓為對象，進(jìn)行晶圓優(yōu)先級順序的確定，基于待調(diào)度晶圓的優(yōu)先級順序，將下一個待調(diào)度晶圓加入調(diào)度并出片，以保障出片連續(xù)，因為在調(diào)度過程中不再將晶圓與半導(dǎo)體工藝設(shè)備進(jìn)行綁定，所以降低了半導(dǎo)體工藝設(shè)備中出現(xiàn)空閑設(shè)備模塊的概率，提升了半導(dǎo)體工藝設(shè)備的調(diào)度效率。

技術(shù)特征：

1.一種調(diào)度方法，其特征在于，應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備的控制器，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備還包括晶圓裝卸位，所述調(diào)度方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備還包括目標(biāo)模塊，所述目標(biāo)模塊為所述待調(diào)度晶圓從所述晶圓裝卸位出片后到達(dá)的第一個設(shè)備模塊；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)物料集合中包含當(dāng)前位于晶圓裝卸位的所有待調(diào)度晶圓。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述優(yōu)先級參數(shù)包括：所述待調(diào)度晶圓的配置優(yōu)先級；

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述優(yōu)先級參數(shù)還包括：所述待調(diào)度晶圓的出片時間及所述待調(diào)度晶圓所屬控制任務(wù)的創(chuàng)建時間；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述優(yōu)先級參數(shù)還包括：所述待調(diào)度晶圓所屬工藝任務(wù)的優(yōu)先級；所述基于所述待調(diào)度晶圓的優(yōu)先級參數(shù)，確定多個所述待調(diào)度晶圓的優(yōu)先級順序包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述工藝任務(wù)的優(yōu)先級的確定過程包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述工藝任務(wù)的優(yōu)先級的確定過程包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述控制任務(wù)的優(yōu)先級的確定過程包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述控制任務(wù)的優(yōu)先級的確定過程包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述控制任務(wù)的類型包括：人工任務(wù)及最高任務(wù)；

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述控制任務(wù)的類型還包括：較高任務(wù)及普通任務(wù)；

13.一種半導(dǎo)體工藝調(diào)度設(shè)備，其特征在于，包括：處理器和存儲器；所述存儲器中存儲有計算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計算機(jī)程序時，實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1～12任一項所述的調(diào)度方法。

14.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，包括半導(dǎo)體工藝調(diào)度設(shè)備和多個設(shè)備模塊；

15.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)上存儲有計算機(jī)程序，所述計算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1～12任一項所述的調(diào)度方法。

技術(shù)總結(jié)
本說明書實(shí)施例提供了一種調(diào)度方法，該方法以目標(biāo)物料集合中的多個待調(diào)度晶圓為對象，進(jìn)行晶圓優(yōu)先級順序的確定，并基于待調(diào)度晶圓的優(yōu)先級順序，將下一個待調(diào)度晶圓加入調(diào)度并出片，以保障出片連續(xù)，降低了半導(dǎo)體工藝設(shè)備中出現(xiàn)空閑設(shè)備模塊的概率，提升了半導(dǎo)體工藝設(shè)備的調(diào)度效率。

技術(shù)研發(fā)人員：曾為鵬,張璐,史思雪,張帥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/7