本申請屬于變壓器，尤其涉及一種磁芯結構、變壓器及微型逆變器。

背景技術：

1、傳統(tǒng)的ee型、er型、eq型、pq型、p型等結構的磁芯均可用于集成變壓器設計，但是又各有缺陷。ee型磁芯散熱佳，但是漏磁嚴重，實際漏感損失較大。er型、eq型以及pq型等結構的磁芯相對均衡，但電磁兼容(electromagnetic?compatibility，emc)干擾依然存在。p型結構的磁芯屏蔽效果佳，但是散熱效果差。

2、因此，亟需提供一種兼顧散熱及降低emc干擾的磁芯結構。

技術實現(xiàn)思路

1、本申請實施例提供了一種磁芯結構、變壓器及微型逆變器，以解決現(xiàn)有磁芯結構無法兼顧散熱及emc干擾的問題，可以提高散熱能力及降低emc干擾。

2、第一方面，本申請?zhí)峁┮环N磁芯結構，包括兩個磁芯，每一磁芯包括：中柱，其包括中柱外壁；第一邊柱，包圍中柱，其包括第一邊柱內壁、第一邊柱外壁以及n個開口，n為大于或等于1的正數(shù)；第一空間，由第一邊柱內壁和中柱外壁形成；第二邊柱，包圍第一邊柱，其包括第二邊柱內壁和k個缺口，k為大于或等于1的整數(shù)；第二空間，由第一邊柱外壁和第二邊柱內壁形成；磁軛，設于第一空間和第二空間的底部并連接第一邊柱、第二邊柱以及中柱；兩個磁芯的中柱、第一邊柱、第二邊柱以及開口相對設置。

3、在一種可能實現(xiàn)方式中，第一邊柱的高度低于中柱。

4、在一種可能實現(xiàn)方式中，兩個磁芯的中柱之間存在第一氣隙；兩個磁芯的第一邊柱之間存在第二氣隙，第二氣隙大于第一氣隙。

5、在一種可能實現(xiàn)方式中，兩個磁芯的缺口相對設置。

6、在一種可能實現(xiàn)方式中，還包括散熱材料，散熱材料填充于缺口內。

7、在一種可能實現(xiàn)方式中，磁軛上包括開槽，開槽用于連通開口和缺口。

8、在一種可能實現(xiàn)方式中，k為大于或等于2的整數(shù)，k個缺口均勻設置于第二邊柱上。

9、第二方面，本申請?zhí)峁┮环N變壓器，包括第一繞組、第二繞組和如上任一項的磁芯結構；第一繞組設置在中柱上，并通過開口引出；第二繞組設置在第一邊柱上。

10、在一種可能實現(xiàn)方式中，還包括散熱材料；散熱材料填充于缺口內，第一繞組以及第二繞組接觸于散熱材料。

11、第三方面，本申請?zhí)峁┮环N微型逆變器，包括外殼和設于外殼中的電路主板，電路主板上安裝有至少一個如上任一項的變壓器。

12、本申請實施例提供的磁芯結構包括但不限于如下技術效果：

13、磁芯結構通過中柱、第一邊柱和第二邊柱形成了第一空間和第二空間，進而可以在第一空間容納第一繞組，在第二空間容納第二繞組。通過在第二邊柱上設置k個缺口，以便后續(xù)可以將散熱材料填充進缺口，使得散熱材料可以完全滲入磁芯以及繞組內部，實現(xiàn)散熱。進一步地，通過第一邊柱包圍中柱，第二邊柱包圍第一邊柱，且第二繞組包圍第一邊柱，使得磁芯結構的電磁兼容性較好，對外界產生的電磁干擾小，提高了抗干擾能力。

技術特征：

1.一種磁芯結構，其特征在于，包括兩個磁芯，每一所述磁芯包括：

2.如權利要求1所述的磁芯結構，其特征在于，所述第一邊柱的高度低于所述中柱。

3.如權利要求2所述的磁芯結構，其特征在于，兩個所述磁芯的所述中柱之間存在第一氣隙；兩個所述磁芯的所述第一邊柱之間存在第二氣隙，所述第二氣隙大于所述第一氣隙。

4.如權利要求1所述的磁芯結構，其特征在于，還包括散熱材料，所述散熱材料填充于所述缺口內。

5.如權利要求4所述的磁芯結構，其特征在于，k為大于或等于2的整數(shù)，k個所述缺口均勻設置于所述第二邊柱上。

6.如權利要求1所述的磁芯結構，其特征在于，兩個所述磁芯的所述缺口和所述開口相對設置。

7.如權利要求1至6中任一項所述的磁芯結構，其特征在于，所述磁軛上包括開槽，所述開槽用于連通所述開口和所述缺口。

8.一種變壓器，其特征在于，包括第一繞組、第二繞組和如權利要求1至7中任一項所述的磁芯結構；所述第一繞組設置在所述中柱上，并通過所述開口引出；所述第二繞組設置在所述第一邊柱上。

9.如權利要求8所述的變壓器，其特征在于，還包括散熱材料；

10.一種微型逆變器，其特征在于，包括外殼和設于所述外殼中的電路主板，所述電路主板上安裝有至少一個權利要求8至9中任一項所述的變壓器。

技術總結
本申請?zhí)峁┮环N磁芯結構、變壓器及微型逆變器，磁芯結構包括兩個磁芯，每一磁芯包括：中柱，其包括中柱外壁；第一邊柱，包圍中柱，其包括第一邊柱內壁、第一邊柱外壁以及N個開口，N為大于或等于1的正數(shù)；第一空間，由第一邊柱內壁和中柱外壁形成；第二邊柱，包圍第一邊柱，其包括第二邊柱內壁和K個缺口，K為大于或等于1的整數(shù)；第二空間，由第一邊柱外壁和第二邊柱內壁形成；磁軛，設于第一空間和第二空間的底部并連接第一邊柱、第二邊柱以及中柱；兩個磁芯的中柱、第一邊柱、第二邊柱以及開口相對設置。解決現(xiàn)有磁芯結構無法兼顧散熱及EMC干擾的問題，可以提高散熱能力及降低EMC干擾。

技術研發(fā)人員：朱愷俊,請求不公布姓名,請求不公布姓名,李彥龍
受保護的技術使用者：浙江艾羅網(wǎng)絡能源技術股份有限公司
技術研發(fā)日：20240326
技術公布日：2025/5/19