本技術(shù)關(guān)于一種晶圓儲存裝置，特別關(guān)于一種超薄晶圓儲存裝置。

背景技術(shù)：

1、晶圓加工為半導(dǎo)體制造業(yè)的基礎(chǔ)，也是重要的制程之一，通常在晶圓存放或搬運的過程中，是將晶圓分層地放置于晶舟之中，避免外在環(huán)境污染晶圓以確保晶圓的品質(zhì)符合后續(xù)制程要求，并在需要時通過機械手臂將晶圓取出，一般來說，放置晶圓的晶舟為通過兩側(cè)支撐件支撐晶圓的邊緣，而晶圓的中心部分不受到支撐，以利機械手臂取出晶圓。

2、隨著科技的進步，因而發(fā)展出尺寸較為輕薄的超薄晶圓，以達到晶片微小化的目的，習(xí)知晶舟的支撐件與晶圓的接觸面積較小，且通常支撐件僅在晶圓兩側(cè)沿放置方向延伸設(shè)置，使超薄晶圓的中心部分容易因重力而產(chǎn)生彎矩，增加晶圓損毀的機率，而若過度提高支撐件與晶圓的接觸面積，則不利于機械手臂從晶舟中取出晶圓。

3、爰此，如何將超薄晶圓穩(wěn)定地分層放置于晶舟之中，為本領(lǐng)域技術(shù)人員所欲解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型主要的目的在于解決習(xí)知晶圓載具(晶舟)放置超薄晶圓容易使晶圓產(chǎn)生彎矩的問題。

2、為解決上述問題，本實用新型提供一種超薄晶圓儲存裝置包括一框架盒，該框架盒包括一框本體以及多個承載部，該框本體界定出一容置空間，該承載部位于該容置空間之中且界定出多個供放置多個超薄晶圓的晶圓槽。其中，該承載部包括一第一側(cè)部分以及一與該第一側(cè)部分位于不同側(cè)且彼此相對的第二側(cè)部分，該第一側(cè)部分及該第二側(cè)部分分別包括一前支撐區(qū)域及一后支撐區(qū)域，該前支撐區(qū)域及該后支撐區(qū)域分別具有一面對彼此的第一側(cè)邊緣及第二側(cè)邊緣，該前支撐區(qū)域的該第一側(cè)邊緣的一輪廓由前朝后地從靠近該框本體的一中央向遠離該中央延伸，該后支撐區(qū)域的該第二側(cè)邊緣的一輪廓由后朝前地從靠近該中央向遠離該中央延伸，該第一側(cè)部分與該第二側(cè)部分之間界定出一供一機械手臂進入的移載空間，且該第一側(cè)部分及該第二側(cè)部分的該前支撐區(qū)域彼此相隔而界定出一與該移載空間連通的移載口。

3、在一實施例中，該第一側(cè)部分與該第二側(cè)部分的該前支撐區(qū)域之間具有一前端間距以及一后端間距，該前端間距為該超薄晶圓的外徑的0.44倍，該后端間距為該超薄晶圓的外徑的0.92倍。

4、在一實施例中，當(dāng)該超薄晶圓放置于該承載部時，該第一側(cè)部分的該前支撐區(qū)域相對于該超薄晶圓的圓心介于40°至45°之間的角度，該第二側(cè)部分的該前支撐區(qū)域相對于該超薄晶圓的圓心介于40°至45°之間的角度。

5、在一實施例中，當(dāng)該超薄晶圓放置于該承載部時，該第一側(cè)部分的該后支撐區(qū)域相對于該超薄晶圓的圓心介于54°至58°之間的角度，該第二側(cè)部分的該后支撐區(qū)域相對于該超薄晶圓的圓心介于54°至58°之間的角度。

6、在一實施例中，該前支撐區(qū)域具有一前端寬度、一后端寬度以及一位于該前端寬度與該后端寬度之間的深度，該前端寬度為該超薄晶圓的外徑的0.32倍，該后端寬度為該超薄晶圓的外徑的0.05倍，該深度為該超薄晶圓的外徑的0.28倍。

7、在一實施例中，該后支撐區(qū)域具有一前端寬度、一后端寬度以及一位于該前端寬度與該后端寬度之間的深度，該前端寬度為該超薄晶圓的外徑的0.05倍，該后端寬度為該超薄晶圓的外徑的0.37倍，該深度為該超薄晶圓的外徑的0.42倍。

8、在一實施例中，該第一側(cè)部分及該第二側(cè)部分還分別包括一位于該前支撐區(qū)域與該后支撐區(qū)域之間的中間支撐區(qū)域，該中間支撐區(qū)域分別具有一面對彼此的第三側(cè)邊緣，該中間支撐區(qū)域的該第三側(cè)邊緣的一輪廓由后朝前地筆直延伸。

9、在一實施例中，該中間支撐區(qū)域具有一寬度以及一深度，該寬度為該超薄晶圓的外徑的0.05倍，該深度為該超薄晶圓的外徑的0.26倍。

10、在一實施例中，該超薄晶圓具有一介于30微米(μm)至250微米(μm)之間的厚度。

技術(shù)特征：

1.一種超薄晶圓儲存裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄晶圓儲存裝置，其特征在于，該第一側(cè)部分與該第二側(cè)部分的該前支撐區(qū)域之間具有一前端間距以及一后端間距，該前端間距為該超薄晶圓的外徑的0.44倍，該后端間距為該超薄晶圓的外徑的0.92倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄晶圓儲存裝置，其特征在于，當(dāng)該超薄晶圓放置于該承載部時，該第一側(cè)部分的該前支撐區(qū)域相對于該超薄晶圓的圓心介于40°至45°之間的角度，該第二側(cè)部分的該前支撐區(qū)域相對于該超薄晶圓的圓心介于40°至45°之間的角度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄晶圓儲存裝置，其特征在于，當(dāng)該超薄晶圓放置于該承載部時，該第一側(cè)部分的該后支撐區(qū)域相對于該超薄晶圓的圓心介于54°至58°之間的角度，該第二側(cè)部分的該后支撐區(qū)域相對于該超薄晶圓的圓心介于54°至58°之間的角度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄晶圓儲存裝置，其特征在于，該前支撐區(qū)域具有一前端寬度、一后端寬度以及一位于該前端寬度與該后端寬度之間的深度，該前端寬度為該超薄晶圓的外徑的0.32倍，該后端寬度為該超薄晶圓的外徑的0.05倍，該深度為該超薄晶圓的外徑的0.28倍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄晶圓儲存裝置，其特征在于，該后支撐區(qū)域具有一前端寬度、一后端寬度以及一位于該前端寬度與該后端寬度之間的深度，該前端寬度為該超薄晶圓的外徑的0.05倍，該后端寬度為該超薄晶圓的外徑的0.37倍，該深度為該超薄晶圓的外徑的0.42倍。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄晶圓儲存裝置，其特征在于，該第一側(cè)部分及該第二側(cè)部分還分別包括一位于該前支撐區(qū)域與該后支撐區(qū)域之間的中間支撐區(qū)域，該中間支撐區(qū)域分別具有一面對彼此的第三側(cè)邊緣，該中間支撐區(qū)域的該第三側(cè)邊緣的一輪廓由后朝前地筆直延伸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超薄晶圓儲存裝置，其特征在于，該中間支撐區(qū)域具有一寬度以及一深度，該寬度為該超薄晶圓的外徑的0.05倍，該深度為該超薄晶圓的外徑的0.26倍。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄晶圓儲存裝置，其特征在于，該超薄晶圓具有一介于30微米至250微米之間的厚度。

技術(shù)總結(jié)
一種超薄晶圓儲存裝置包括一框架盒，該框架盒包括一框本體及多個承載部。該承載部包括一第一側(cè)部分以及一與該第一側(cè)部分位于不同側(cè)且彼此相對的第二側(cè)部分，該第一側(cè)部分及該第二側(cè)部分分別包括一前支撐區(qū)域及一后支撐區(qū)域，該前支撐區(qū)域及該后支撐區(qū)域分別具有一面對彼此的第一側(cè)邊緣及第二側(cè)邊緣，該前支撐區(qū)域的該第一側(cè)邊緣的一輪廓由前朝后地從靠近該框本體的一中央向遠離該中央延伸，該后支撐區(qū)域的該第二側(cè)邊緣的一輪廓由后朝前地從靠近該中央向遠離該中央延伸。

技術(shù)研發(fā)人員：王鵬進,范玉蓉,蔡孟杰,林至偉
受保護的技術(shù)使用者：奇勗科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240717
技術(shù)公布日：2025/5/15