本申請涉及電漿蝕刻，特別是涉及一種表面平坦化機構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、電漿蝕刻技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造及微機電系統(tǒng)(mems)的制程中，特別在提升制程物品表面平整度方面，已被證明是一種有效的技術(shù)。其主要原理是利用高能電漿選擇性地移除材料表面的一部分，從而達到制程物品表面平整處理的目的。

2、然而，由于電漿噴頭在蝕刻過程中無法停止電漿的噴射，而待制程物品的表面平坦度通常是屬于非線性分布的狀況，亦即，高低起伏落差可能相當大，因此現(xiàn)有的電漿蝕刻方式需要通過極為復(fù)雜的演算法以及精準的電漿蝕刻機構(gòu)，才能維持平坦化處理的精密度，導(dǎo)致現(xiàn)有電漿蝕刻方式具有操作難度高、制程成本高以及精度維持不易等問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對現(xiàn)有利用電漿蝕刻方式進行平坦化處理所具有的操作難度高、制程成本高以及精度維持不易的問題，提供一種表面平坦化機構(gòu)。

2、一種表面平坦化機構(gòu)，所述表面平坦化機構(gòu)能夠根據(jù)待制程物體的表面平坦度數(shù)據(jù)，對所述待制程物體的待處理表面進行平坦化處理，所述表面平坦化機構(gòu)包括：

3、電漿處理裝置，包含有電漿噴頭，用以對所述待制程物體的所述待處理表面進行平坦化處理；

4、承載裝置，與所述電漿處理裝置以垂直方向相鄰設(shè)置，所述承載裝置供所述待制程物體放置，且使所述待制程物體對應(yīng)于所述電漿噴頭的位置；以及

5、調(diào)整裝置，設(shè)置于所述承載裝置遠離所述電漿處理裝置一側(cè)，所述調(diào)整裝置包含旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元及第一單軸調(diào)整單元，所述旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元與所述承載裝置連接，以所述待處理表面的中心為圓心進行旋轉(zhuǎn)，所述第一單軸調(diào)整單元與所述旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元連接，而能夠控制所述待制程物體進行單軸直線移動，且使所述電漿噴頭能夠經(jīng)過所述待處理表面的中心。

6、在其中一個實施例中，所述電漿處理裝置具有定位件，所述定位件與所述電漿噴頭滑動連接，所述定位件用以調(diào)整所述電漿噴頭相對所述承載裝置的高度。

7、在其中一個實施例中，所述承載裝置包含吸附件，所述吸附件用以吸附固定所述待制程物體。

8、在其中一個實施例中，所述第一單軸調(diào)整單元具有第一滑軌及第一滑座，所述第一滑座連接所述旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元并沿一第一單軸方向滑設(shè)于所述第一滑軌。

9、在其中一個實施例中，所述調(diào)整裝置還包含有定位偵測單元及第二單軸調(diào)整單元，所述定位偵測單元耦接所述第一單軸調(diào)整單元及所述第二單軸調(diào)整單元，所述定位偵測單元偵測所述待制程物體的位置并對應(yīng)輸出物體位置信息，所述第一單軸調(diào)整單元根據(jù)所述物體位置信息沿所述第一單軸方向?qū)λ龃瞥涛矬w進行位置調(diào)整；所述第二單軸調(diào)整單元連接于所述旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元遠離所述承載裝置的一側(cè)，所述第二單軸調(diào)整單元根據(jù)所述物體位置信息沿垂直所述第一單軸方向的一第二單軸方向?qū)λ龃瞥涛矬w進行位置調(diào)整。

10、在其中一個實施例中，所述第二單軸調(diào)整單元具有第二滑軌及第二滑座，所述第二滑軌設(shè)于所述第一滑座上，所述第二滑座連接所述旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元并沿所述第二單軸方向滑設(shè)于所述第二滑軌。

11、在其中一個實施例中，所述調(diào)整裝置具有控制單元，所述控制單元耦接所述旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元、所述第一單軸調(diào)整單元及所述第二單軸調(diào)整單元，所述控制單元根據(jù)所述表面平坦度數(shù)據(jù)控制所述旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元的轉(zhuǎn)動速度，并控制所述第一單軸調(diào)整單元及所述第二單軸調(diào)整單元的移動距離。

12、在其中一個實施例中，還包含有平坦度偵測裝置，所述平坦度偵測裝置設(shè)于所述電漿處理裝置一側(cè)并耦接于所述調(diào)整裝置，所述平坦度偵測裝置偵測所述待處理表面的平坦度，并輸出所述表面平坦度數(shù)據(jù)至所述調(diào)整裝置。

13、在其中一個實施例中，所述表面平坦化機構(gòu)系設(shè)置于制程腔體內(nèi)，所述制程腔體包含有偵測區(qū)及工作區(qū)，所述平坦度偵測裝置設(shè)于所述偵測區(qū)，所述電漿處理裝置設(shè)于所述工作區(qū)，所述承載裝置系通過所述第一單軸調(diào)整單元往復(fù)移動于所述偵測區(qū)及所述工作區(qū)。

14、在其中一個實施例中，所述表面平坦化機構(gòu)系設(shè)置于制程腔體內(nèi)，所述制程腔體包含有工作區(qū)，所述平坦度偵測裝置及所述電漿處理裝置選擇性地進入所述工作區(qū)，所述承載裝置及所述調(diào)整裝置系設(shè)置于所述工作區(qū)。

15、上述表面平坦化機構(gòu)，藉由旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元及第一單軸調(diào)整單元，配合電漿噴頭以繞圈方式對待處理表面進行平坦化處理，而能有效地達到降低操作難度、降低制程成本、維持制程高精度和簡化制程機構(gòu)的目的。

技術(shù)特征：

1.一種表面平坦化機構(gòu)，其特征在于，所述表面平坦化機構(gòu)能夠根據(jù)待制程物體的表面平坦度數(shù)據(jù)，對所述待制程物體的待處理表面進行平坦化處理，所述表面平坦化機構(gòu)包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面平坦化機構(gòu)，其特征在于，所述電漿處理裝置具有定位件，所述定位件與所述電漿噴頭滑動連接，所述定位件用以調(diào)整所述電漿噴頭相對所述承載裝置的高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面平坦化機構(gòu)，其特征在于，所述承載裝置包含吸附件，所述吸附件用以吸附固定所述待制程物體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面平坦化機構(gòu)，其特征在于，所述第一單軸調(diào)整單元具有第一滑軌及第一滑座，所述第一滑座連接所述旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元并沿一第一單軸方向滑設(shè)于所述第一滑軌。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面平坦化機構(gòu)，其特征在于，所述調(diào)整裝置還包含有定位偵測單元及第二單軸調(diào)整單元，所述定位偵測單元耦接所述第一單軸調(diào)整單元及所述第二單軸調(diào)整單元，所述定位偵測單元偵測所述待制程物體的位置并對應(yīng)輸出物體位置信息，所述第一單軸調(diào)整單元根據(jù)所述物體位置信息沿所述第一單軸方向?qū)λ龃瞥涛矬w進行位置調(diào)整；所述第二單軸調(diào)整單元連接于所述旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元遠離所述承載裝置的一側(cè)，所述第二單軸調(diào)整單元根據(jù)所述物體位置信息沿垂直所述第一單軸方向的一第二單軸方向?qū)λ龃瞥涛矬w進行位置調(diào)整。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面平坦化機構(gòu)，其特征在于，所述第二單軸調(diào)整單元具有第二滑軌及第二滑座，所述第二滑軌設(shè)于所述第一滑座上，所述第二滑座連接所述旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元并沿所述第二單軸方向滑設(shè)于所述第二滑軌。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面平坦化機構(gòu)，其特征在于，所述調(diào)整裝置具有控制單元，所述控制單元耦接所述旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元、所述第一單軸調(diào)整單元及所述第二單軸調(diào)整單元，所述控制單元根據(jù)所述表面平坦度數(shù)據(jù)控制所述旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元的轉(zhuǎn)動速度，并控制所述第一單軸調(diào)整單元及所述第二單軸調(diào)整單元的移動距離。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面平坦化機構(gòu)，其特征在于，還包含有平坦度偵測裝置，所述平坦度偵測裝置設(shè)于所述電漿處理裝置一側(cè)并耦接于所述調(diào)整裝置，所述平坦度偵測裝置偵測所述待處理表面的平坦度，并輸出所述表面平坦度數(shù)據(jù)至所述調(diào)整裝置。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的表面平坦化機構(gòu)，其特征在于，所述表面平坦化機構(gòu)系設(shè)置于制程腔體內(nèi)，所述制程腔體包含有偵測區(qū)及工作區(qū)，所述平坦度偵測裝置設(shè)于所述偵測區(qū)，所述電漿處理裝置設(shè)于所述工作區(qū)，所述承載裝置系通過所述第一單軸調(diào)整單元往復(fù)移動于所述偵測區(qū)及所述工作區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的表面平坦化機構(gòu)，其特征在于，所述表面平坦化機構(gòu)系設(shè)置于制程腔體內(nèi)，所述制程腔體包含有工作區(qū)，所述平坦度偵測裝置及所述電漿處理裝置選擇性地進入所述工作區(qū)，所述承載裝置及所述調(diào)整裝置系設(shè)置于所述工作區(qū)。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N表面平坦化機構(gòu)，其包含電漿處理裝置、承載裝置及調(diào)整裝置。電漿處理裝置用以對待制程物體的處理表面進行平坦化處理；承載裝置供待制程物體放置，且使待制程物體對應(yīng)于電漿噴頭的位置；調(diào)整裝置包含旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元及第一單軸調(diào)整單元，旋轉(zhuǎn)調(diào)整單元以待處理表面的中心為圓心進行旋轉(zhuǎn)，第一單軸調(diào)整單元能夠控制待制程物體進行單軸直線移動，且使電漿噴頭能夠經(jīng)過待處理表面的中心。藉此，本申請能夠達到降低操作難度、降低制程成本、維持制程高精度和簡化制程機構(gòu)的目的。

技術(shù)研發(fā)人員：李原吉,劉品均,劉忠炯,林岱蔚,魏木元
受保護的技術(shù)使用者：友威科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240718
技術(shù)公布日：2025/5/19