1.處理方法，其具有通過交替地進行下述工序從而對第1基底進行蝕刻的工序：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中，在(a)中，使所述第1氣體的分子的至少一部分物理吸附或化學吸附于所述第1基底的表面的至少一部分，從而形成所述第1層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中，在(a)中，通過所述第1氣體的分子的至少一部分與所述第1基底的表面的至少一部分的原子或分子的化學反應而生成化合物，從而形成所述第1層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中，在(b)中，在與所述第2氣體與所述第1基底的反應相比所述第2氣體與所述第1層的反應支配性地發(fā)生的條件下，向所述襯底供給所述第2氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中，在(b)中，在所述第2氣體與所述第1層的反應進行而所述第2氣體與所述第1基底的反應未進行的條件下，向所述襯底供給所述第2氣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中，在(b)中，在與由所述第2氣體引起的所述第1基底的活化相比、由所述第2氣體引起的所述第1層的活化處于支配性地位的條件下，向所述襯底供給所述第2氣體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中，在(b)中，在由所述第2氣體引起的所述第1層的活化進行而由所述第2氣體引起的所述第1基底的活化未進行的條件下，向所述襯底供給所述第2氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中，在(b)中，在與所述第2氣體與所述第1基底的反應相比、所述蝕刻種與所述第1基底的至少一部分的反應支配性地發(fā)生的條件下，向所述襯底供給所述第2氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中，在(b)中，在所述蝕刻種與所述第1基底的至少一部分的反應進行而所述第2氣體與所述第1基底的反應未進行的條件下，向所述襯底供給所述第2氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中，在(b)中，通過所述蝕刻種將所述第1基底的表面的至少一部分除去，在所述表面的至少一部分被除去的所述第1基底的表面的至少一部分形成第2層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的處理方法，其中，在所述蝕刻工序中，通過交替地多次進行(a)和(b)，在其第2次以后的(a)中對所述襯底供給所述第1氣體，從而使所述第1氣體與所述第2層反應以將所述第2層除去，在所述第2層被除去的所述第1基底的表面的至少一部分形成所述第1層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其中，所述第1基底包括含氮膜、過渡金屬膜或半導體膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項所述的處理方法，其中，在所述襯底的表面還具有第2基底，
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的處理方法，其中，所述第1基底包括含氮膜、過渡金屬膜或半導體膜，所述第2基底包括含氧膜或非過渡金屬膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理方法，其中，所述含氮膜包括硅類含氮膜、硼類含氮膜或金屬類含氮膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理方法，其中，所述含氧膜包括硅類含氧膜或金屬類含氧膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的處理方法，其中，在所述蝕刻工序中，相對于所述第2基底而言以5：1以上的選擇性對所述第1基底進行蝕刻。
18.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項所述的處理方法，其中，所述第1氣體包括含硅氣體、含金屬氣體、含氧氣體、含氮及氫氣體、含硼氣體、含磷氣體、含鹵素氣體中的一者以上，
19.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項所述的處理方法，其中，在非等離子體的氣氛下進行所述蝕刻。
20.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項所述的處理方法，其中，在所述第1氣體及所述第2氣體中的至少任一者單獨存在的情況下所述第1基底的蝕刻反應難以繼續(xù)進行的條件下，進行所述蝕刻。
21.半導體器件的制造方法，其具有交替地進行下述工序從而對第1基底進行蝕刻的工序：
22.處理裝置，其具有：
23.程序制品，其通過計算機使處理裝置執(zhí)行下述步驟：