技術(shù)特征：

1.一種bpsg薄膜的制備工藝，其特征在于，所述制備工藝包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的bpsg薄膜的制備工藝，其特征在于，所述硅源前驅(qū)體包括sih4；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的bpsg薄膜的制備工藝，其特征在于，所述第一條件包括：qb1＞qb2，其中qb1為第一條件下硼源前驅(qū)體的流量；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的bpsg薄膜的制備工藝，其特征在于，所述qb2的取值范圍為400-500sccm，1.5s≤t≤2.5s。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的bpsg薄膜的制備工藝，其特征在于，所述bpsg預(yù)沉積薄膜的厚度為150-300?。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的bpsg薄膜的制備工藝，其特征在于，所述第二條件包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的bpsg薄膜的制備工藝，其特征在于，所述第三條件包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的bpsg薄膜的制備工藝，其特征在于，所述制備工藝包括以下步驟：

9.一種bpsg薄膜，其特征在于，所述bpsg薄膜采用如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的bpsg薄膜的制備工藝制備得到；

10.一種單腔多片pecvd設(shè)備，其特征在于，所述單腔多片pecvd設(shè)備中進(jìn)行如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的bpsg薄膜的制備工藝，所述單腔多片pecvd設(shè)備包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種BPSG薄膜及其制備工藝和單腔多片PECVD設(shè)備，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。制備工藝包括以下步驟：在單腔多片PECVD設(shè)備中，將若干個(gè)晶圓放置在不同載臺(tái)上；將前驅(qū)體源通入腔體中，并穩(wěn)定在第一條件；前驅(qū)體源包括硅源前驅(qū)體、硼源前驅(qū)體和磷源前驅(qū)體；預(yù)沉積：在第二條件下于晶圓的表面進(jìn)行預(yù)沉積，形成BPSG預(yù)沉積薄膜；第二條件包括：300sccm＜Q<subgt;B2</subgt;＜Q<subgt;B3</subgt;，0＜t＜5s；主沉積：在第三條件下于BPSG預(yù)沉積薄膜的表面繼續(xù)沉積；主沉積結(jié)束后，進(jìn)行后處理，然后取出沉積得到的BPSG薄膜。本發(fā)明避免了BPSG薄膜的分層現(xiàn)象，大大提升了半導(dǎo)體器件的良率以及單腔多片PECVD設(shè)備的競(jìng)爭(zhēng)力。

技術(shù)研發(fā)人員：劉田鵬,劉丹,穆洪楊,李康康
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無(wú)錫邑文微電子科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15