1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述主體包括外層、內(nèi)層、以及在所述外層和所述內(nèi)層之間的中間層，所述頭部包括外層、內(nèi)層、以及在所述外層與所述內(nèi)層之間的中間層，并且，所述主體的外層、所述主體的中間層、以及所述主體的內(nèi)層分別與所述頭部的外層、所述頭部的中間層、以及所述頭部的內(nèi)層連續(xù)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述主體的外層包括高k電介質(zhì)材料，所述主體的中間層包括氮化鈦材料，所述主體的內(nèi)層包括導(dǎo)電材料，所述頭部的外層包括高k電介質(zhì)材料，所述頭部的中間層包括氮化鈦材料，并且所述頭部的內(nèi)層包括導(dǎo)電材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)延伸穿過導(dǎo)電層和絕緣層的所述堆疊體的一組導(dǎo)電層，其中，所述觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)與所述一組導(dǎo)電層中的一個導(dǎo)電層接觸，所述一個導(dǎo)電層在所述一組導(dǎo)電層當(dāng)中最靠近所述觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的所述頭部，并且其中，包括電介質(zhì)材料的觸點(diǎn)間隔物位于所述觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)和所述一組導(dǎo)電層中與所述觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)隔離的一個或多個其他導(dǎo)電層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括沿所述第一方向依次堆疊在一起的一個或多個層疊體，并且
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，還包括柵極線縫隙和溝道結(jié)構(gòu)，所述柵極線縫隙和所述溝道結(jié)構(gòu)都沿所述第一方向延伸穿過所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
7.一種方法，包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述連接區(qū)域包括隔離結(jié)構(gòu)，并且保護(hù)層形成在所述隔離結(jié)構(gòu)和所述犧牲層之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括：
19.一種方法，包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，還包括：