技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，

12.一種制備半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成與所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)直接接觸的第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成與所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)直接接觸的第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的方法，其中，

16.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其中，

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，其中，

21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其中，

22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，其中，

23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體器件，其中，

24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體器件，其中，

25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體器件，其中，

26.根據(jù)權(quán)利要求16-25中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，

27.一種存儲系統(tǒng)，其特征在于，所述存儲系統(tǒng)包括控制器和如權(quán)利要求1-11中任一項所述的半導(dǎo)體器件，或者如權(quán)利要求16-26中任一項所述的半導(dǎo)體器件，所述控制器耦合至所述半導(dǎo)體器件，并用于控制所述半導(dǎo)體器件存儲數(shù)據(jù)。

技術(shù)總結(jié)
本申請實施方式提供了一種半導(dǎo)體器件及制備方法、存儲器系統(tǒng)。半導(dǎo)體器件包括：第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)沿第一方向設(shè)置于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一側(cè)，并與第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)直接接觸，其中第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括多個存儲器單元，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括與多個存儲器單元連接的第一外圍電路；以及在垂直于第一方向的平面中，至少部分第一外圍電路位于多個存儲器單元的正下方，其中第一外圍電路包括驅(qū)動結(jié)構(gòu)和感測結(jié)構(gòu)中的至少一個。

技術(shù)研發(fā)人員：劉雅琴,劉威,夏志良,霍宗亮,楊遠程,趙冬雪
受保護的技術(shù)使用者：長江存儲科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15