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一種差分積分調(diào)制器、調(diào)制方法及小數(shù)頻率合成器

文檔序號:41958331發(fā)布日期:2025-05-20 16:52閱讀:2來源:國知局
一種差分積分調(diào)制器、調(diào)制方法及小數(shù)頻率合成器

本申請涉及頻率合成,尤其涉及一種差分積分調(diào)制器、調(diào)制方法及小數(shù)頻率合成器。


背景技術(shù):

1、隨著無線通信技術(shù)的發(fā)展,頻率合成技術(shù)的要求也日漸增高。頻率合成技術(shù)的關(guān)鍵是鎖相環(huán)。鎖相環(huán)包括整數(shù)鎖相環(huán)和小數(shù)鎖相環(huán)。整數(shù)鎖相環(huán)輸出的頻率是參考頻率的整數(shù)倍,主要用在時鐘恢復(fù)應(yīng)用等對輸出頻率要求不高的應(yīng)用中。小數(shù)鎖相環(huán)用于輸出不同的頻率。

2、然而,小數(shù)鎖相環(huán)會產(chǎn)生小數(shù)雜散,也就輸出頻率中包含有量化噪聲,影響輸出頻率的穩(wěn)定性。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請實施例提供了一種差分積分調(diào)制器、調(diào)制方法及小數(shù)頻率合成器,用于減少量化噪聲,提高輸出頻率的穩(wěn)定性。

2、第一方面,本申請實施例提供了一種差分積分調(diào)制器,所述調(diào)制器包括:無雜散多級噪聲整形器sp-mash和線性反饋移位寄存器lfsr;

3、所述sp-mash采用n級噪聲整形器,用于對小數(shù)鎖相環(huán)產(chǎn)生的量化噪聲進(jìn)行n級整形,使整形后的量化噪聲的輸出頻率大于預(yù)設(shè)頻率閾值,所述n大于3,且所述n為整數(shù);所述n級噪聲整形器中第i級噪聲整形器輸出的噪聲與所述第i+1級噪聲整形器的輸入端連接,所述i為大于或等于1,且小于或等于n-1的整數(shù);

4、所述lfsr的輸出端與所述sp-mash的第j級噪聲整形器的輸入端連接,用于將所述lfsr的輸出結(jié)果與第j-1級噪聲整形器輸出的噪聲結(jié)合,確定所述調(diào)制器輸出目標(biāo)范圍的目標(biāo)數(shù),所述j為大于或等于2的整數(shù),且小于或等于n。

5、可選地,當(dāng)所述sp-mash為采用sp-mash?2-2-2型結(jié)構(gòu)的3級噪聲整形器,所述sp-mash?2-2-2型結(jié)構(gòu)的3級噪聲整形器包括:

6、第一級誤差反饋移位寄存器efm、第二級efm、第三級efm、第一加法器,第二加法器,第一減法器,第二減法器,第一延時電路和第二延時電路;

7、所述第一級efm的第一輸入端接收第一輸入信號,第二輸入端接收第二輸入信號,所述第一級efm的第一輸出端與第一加法器的輸入端連接,并與第二級efm的第二輸入端連接,所述第一級efm的第二輸出端與第二級efm的第一輸入端連接;

8、所述第二級efm的第一輸出端與所述第三級efm的第二輸入端連接,并與第二加法器的輸入端連接,所述第二加法器的輸出端連接所述第一減法器的正輸入端,并連接所述第一延時電路的輸入端,所述第一延時電路的輸出端連接所述第一減法器的負(fù)輸入端;所述第一減法器的輸出端連接第一加法器的輸入端;所述第二級efm的第二輸出端與所述第三級efm的第一輸入端連接;

9、所述第三級efm的輸出端連接所述第二減法器的正輸入端,并連接所述第二延時電路的輸入端,所述第二延時電路的輸出端與所述第二減法器的負(fù)輸入端連接;

10、所述第二減法器的輸出端與所述第二加法器的輸入端連接;所述第一加法器的輸出端輸出所述目標(biāo)范圍的目標(biāo)數(shù)。

11、可選地,所述第一級efm,所述第二級efm和所述第三級efm均采用efm電路,所述efm電路包括:

12、加法器,減法器,量化器,和2級延時電路;

13、所述加法器的第一輸入端接收第一輸入信號,第二輸入端接收第二輸入信號,第三輸入端與延時電路的輸出端連接,用于獲取第三信號;所述加法器的輸出端與量化器的輸入端連接,并與所述減法器的正輸入端連接;

14、所述量化器的輸出端輸出輸出信號,并與所述減法器的負(fù)輸入端連接,用于將所述輸出信號反饋給所述減法器;

15、所述減法器的輸出端與所述2級延時電路的輸入端連接。

16、可選地,所述第一延時電路和所述第二延時電路均為2級延時電路。

17、可選地,所述lfsr的輸出端與所述sp-mash的第2級噪聲整形器的第二級efm的第二輸入端連接。

18、可選地,所述調(diào)制器還包括第三加法器,所述lfsr的輸出端與所述第三加法器的第一輸入端連接,所述第三加法器的第二輸入端連接所述第一級efm的第二輸出端,所述第三加法器的輸出端與所述第二級efm的第二輸入端連接。

19、可選地,所述lfsr包括伽羅瓦lfsr結(jié)構(gòu)或斐波那契lfsr結(jié)構(gòu)中的一種。

20、可選地,當(dāng)所述目標(biāo)范圍的目標(biāo)數(shù)為-3~4有符號數(shù)時,所述lfsr為8級伽羅瓦lfsr結(jié)構(gòu)。

21、第二方面,本申請實施例提供了一種調(diào)制方法,其特征在于,應(yīng)用于如第一方面任一項所述的差分積分調(diào)制器,所述方法包括:

22、sp-mash對小數(shù)鎖相環(huán)產(chǎn)生的量化噪聲進(jìn)行n級整形,使整形后的量化噪聲的輸出頻率大于預(yù)設(shè)頻率閾值;所述n級噪聲整形器中第i級噪聲整形器輸出的噪聲與所述第i+1級噪聲整形器的輸入端連接,所述i為大于或等于1,且小于或等于n-1的整數(shù);

23、lfsr的輸出結(jié)果與所述第j-1級噪聲整形器輸出的噪聲結(jié)合,確定所述調(diào)制器輸出目標(biāo)范圍的目標(biāo)數(shù),所述j為大于或等于2的整數(shù),且小于或等于n。

24、第三方面,本申請實施例提供了一種小數(shù)頻率合成器,包括如權(quán)利要求1-8任一項所述的差分積分調(diào)制器。

25、有益效果:

26、本申請實施例提供了一種差分積分調(diào)制器、調(diào)制方法及小數(shù)頻率合成器。通過無雜散多級噪聲整形器sp-mash對量化噪聲的輸出頻率進(jìn)行整形,將量化噪聲的能量推到高頻,以利用鎖相環(huán)的環(huán)路濾波器濾除量化噪聲。并利用lfsr,通過加入抖動方式,抑制小數(shù)雜散。如此,實現(xiàn)了減少量化噪聲,提高輸出頻率的穩(wěn)定性。



技術(shù)特征:

1.一種差分積分調(diào)制器,其特征在于,所述調(diào)制器包括:無雜散多級噪聲整形器sp-mash和線性反饋移位寄存器lfsr;

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述調(diào)制器,其特征在于,當(dāng)所述sp-mash為采用sp-mash?2-2-2型結(jié)構(gòu)的3級噪聲整形器,所述sp-mash?2-2-2型結(jié)構(gòu)的3級噪聲整形器包括:

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述調(diào)制器,其特征在于,所述第一級efm,所述第二級efm和所述第三級efm均采用efm電路,所述efm電路包括:

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述調(diào)制器,其特征在于,所述第一延時電路和所述第二延時電路均為2級延時電路。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述調(diào)制器,其特征在于,所述lfsr的輸出端與所述sp-mash的第2級噪聲整形器的第二級efm的第二輸入端連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述調(diào)制器,其特征在于,所述調(diào)制器還包括第三加法器,所述lfsr的輸出端與所述第三加法器的第一輸入端連接,所述第三加法器的第二輸入端連接所述第一級efm的第二輸出端,所述第三加法器的輸出端與所述第二級efm的第二輸入端連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述調(diào)制器,其特征在于,所述lfsr包括伽羅瓦lfsr結(jié)構(gòu)或斐波那契lfsr結(jié)構(gòu)中的一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述調(diào)制器,其特征在于,當(dāng)所述目標(biāo)范圍的目標(biāo)數(shù)為-3~4有符號數(shù)時,所述lfsr為8級伽羅瓦lfsr結(jié)構(gòu)。

9.一種調(diào)制方法,其特征在于,應(yīng)用于如權(quán)利要求1-8任一項所述的差分積分調(diào)制器,所述方法包括:

10.一種小數(shù)頻率合成器,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-8任一項所述的差分積分調(diào)制器。


技術(shù)總結(jié)
本申請實施例提供了一種差分積分調(diào)制器、調(diào)制方法及小數(shù)頻率合成器。通過無雜散多級噪聲整形器SP?MASH對量化噪聲的輸出頻率進(jìn)行整形,將量化噪聲的能量推到高頻,以利用鎖相環(huán)的環(huán)路濾波器濾除量化噪聲。并利用LFSR,通過加入抖動方式,抑制小數(shù)雜散。如此,實現(xiàn)了減少量化噪聲,提高輸出頻率的穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員:張啟亮,李志強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者:中國科學(xué)院微電子研究所
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/19
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