實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體封裝基板和包括該半導(dǎo)體封裝基板的半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)：

1、隨著電氣/電子產(chǎn)品性能的進(jìn)步，正在提出和研究用于在有限尺寸的電路板上設(shè)置更多數(shù)量的封裝的技術(shù)。

2、典型的半導(dǎo)體封裝具有其中設(shè)置有多個(gè)芯片的結(jié)構(gòu)。另外，最近，應(yīng)用半導(dǎo)體封裝的產(chǎn)品變得越來越高規(guī)格，并且正在采用諸如hbm(高帶寬存儲(chǔ)器，high?bandwidthmemory)的多個(gè)芯片，并且作為結(jié)果，半導(dǎo)體封裝的尺寸正在增加。隨著半導(dǎo)體封裝的尺寸增加，正在研究諸如包括用于連接多個(gè)芯片的中介層的各種部件以確保可靠性。

3、另外，應(yīng)用于提供物聯(lián)網(wǎng)(iot，internet?of?things)、自主車輛和高性能服務(wù)器的產(chǎn)品的半導(dǎo)體封裝根據(jù)高集成度的趨勢需要高性能和高可靠性。此處，高性能可以包括諸如信號(hào)的高速傳輸、半導(dǎo)體封裝的集成以及可傳輸信號(hào)的高允許電流的條件。

4、此時(shí)，為了小型化和集成，在半導(dǎo)體封裝中焊盤的尺寸正在減小。焊盤可以是連接到芯片的安裝焊盤，或者是連接到各種基板的凸塊焊盤。此處，各種基板可以包括附加封裝，諸如存儲(chǔ)器基板、連接在芯片與半導(dǎo)體封裝基板之間的中介層、以及應(yīng)用半導(dǎo)體封裝的電子設(shè)備的主板。

5、這樣的半導(dǎo)體封裝基板被提供為多層半導(dǎo)體封裝基板。多層半導(dǎo)體封裝基板包括設(shè)置在形成于諸如覆銅箔層壓板(ccl)的核心基板中的通孔中的貫通電極。此時(shí)，隨著半導(dǎo)體封裝基板的布線變得更復(fù)雜，層數(shù)正在增加。此外，隨著面積增加，核心基板的厚度正在增加，以便改善強(qiáng)度和翹曲特性。例如，常規(guī)核心基板的厚度為約200μm，但最近，厚度已經(jīng)增加了幾倍或更多。

6、此時(shí)，如果核心基板的厚度增加，則可能難以使用激光在核心基板中形成通孔。因此，常規(guī)使用鉆孔機(jī)在核心基板中形成通孔。

7、然而，如果使用鉆孔機(jī)來形成通孔，則存在半導(dǎo)體封裝基板的制造過程時(shí)間增加并且因此生產(chǎn)率或產(chǎn)量降低的問題。此外，鉆孔機(jī)與激光設(shè)備相比是昂貴的，并且因此存在半導(dǎo)體封裝基板的制造成本增加的問題。

8、因此，需要一種能夠在包括200μm或更大的核心基板的半導(dǎo)體封裝基板上有效地形成通孔的新方法。

9、(專利文獻(xiàn)1)kr?10-2011-0016266a

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、技術(shù)問題

2、實(shí)施例提供了一種具有新穎結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝基板和包括該半導(dǎo)體封裝基板的半導(dǎo)體封裝。

3、另外，實(shí)施例提供了一種能夠使用激光加工在具有200μm或更大尺寸的核心基板中形成通孔的半導(dǎo)體封裝基板和包括該半導(dǎo)體封裝基板的半導(dǎo)體封裝。

4、另外，實(shí)施例提供了一種能夠減小通孔的垂直方向上的最大寬度與最小寬度之間的差的半導(dǎo)體封裝基板和包括該半導(dǎo)體封裝基板的半導(dǎo)體封裝。

5、另外，實(shí)施例提供了一種在防止通孔的尺寸擴(kuò)大的同時(shí)具有接近直角的通孔內(nèi)壁的斜率的半導(dǎo)體封裝基板和包括該半導(dǎo)體封裝基板的半導(dǎo)體封裝。

6、所提出的實(shí)施例要解決的技術(shù)問題不限于上述技術(shù)問題，并且從以下描述提出的實(shí)施例所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地理解未提及的其他技術(shù)問題。

7、技術(shù)方案

8、根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝基板包括：具有上表面和下表面的絕緣層；以及穿過所述絕緣層的上表面和下表面的貫通電極，其中，所述貫通電極的側(cè)表面包括沿垂直方向交替設(shè)置的凹入部分和凸起部分。

9、另外，根據(jù)另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝基板包括：具有上表面和下表面的絕緣層；以及穿過所述絕緣層的上表面和下表面的通孔，其中，所述通孔的側(cè)壁包括沿垂直方向交替設(shè)置的凹入部分和凸起部分。

10、另外，半導(dǎo)體封裝基板還包括設(shè)置在所述通孔中的貫通電極，其中，所述貫通電極的側(cè)表面包括與所述通孔的側(cè)壁的凹入部分相對(duì)應(yīng)的凹入部分和與所述通孔的側(cè)壁的凸起部分相對(duì)應(yīng)的凸起部分。

11、另外，半導(dǎo)體封裝基板還包括穿過所述絕緣層的絕緣構(gòu)件，并且所述貫通電極被設(shè)置成圍繞所述絕緣構(gòu)件的外側(cè)。

12、另外，所述貫通電極的凹入部分和凸起部分沿垂直方向交替地設(shè)置成多個(gè)。

13、另外，絕緣構(gòu)件包括在水平方向上具有第一寬度的第一部分和在水平方向上具有不同于所述第一寬度的第二寬度的第二部分。

14、另外，所述第一寬度大于所述第二寬度，所述第一部分在水平方向上與所述貫通電極的凹入部分重疊，并且所述第二部分在水平方向上與所述貫通電極的凸起部分重疊。

15、另外，所述絕緣層包括樹脂和設(shè)置在所述樹脂內(nèi)的增強(qiáng)纖維，并且所述增強(qiáng)纖維包括設(shè)置在第一水平方向上的第一纖維和設(shè)置在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上的第二纖維。

16、另外，所述增強(qiáng)纖維包括沿垂直方向彼此間隔開并且各自具有所述第一纖維和所述第二纖維的多個(gè)組。

17、另外，所述貫通電極的凹入部分在水平方向上與所述增強(qiáng)纖維重疊。

18、另外，所述絕緣層在垂直方向上的厚度滿足250μm至1200μm的范圍。

19、另外，所述絕緣層的所述通孔的內(nèi)壁包括具有突起的多個(gè)第一內(nèi)壁和不具有突起的第二內(nèi)壁。

20、另外，所述第二內(nèi)壁表示具有所述通孔的內(nèi)壁的凹入部分的部分。

21、另外，所述貫通電極包括與所述第一內(nèi)壁接觸的第一部分和與所述第二內(nèi)壁接觸的第二部分。此時(shí)，第一和第二貫通圖案具有臺(tái)階。

22、另外，所述貫通電極的第一部分具有與所述通孔的凹入部分相對(duì)應(yīng)的凹入部分，并且所述貫通電極的第二部分具有與所述通孔的凸起部分相對(duì)應(yīng)的凸起部分。

23、另外，所述貫通電極的第一部分和第二部分中的每一個(gè)在水平方向上的厚度滿足10μm至25μm的范圍。

24、另外，所述貫通電極的第一部分在水平方向上的厚度與所述第二部分在水平方向上的厚度相同。

25、另外，所述第一貫通電極包括設(shè)置在所述絕緣層的第一通孔的內(nèi)壁上的第一金屬層和設(shè)置在所述第一金屬層上的第二金屬層。

26、另外，在所述第一通孔的垂直方向上的整個(gè)區(qū)域中具有最小寬度的區(qū)域的最小寬度滿足在所述第一通孔的垂直方向上的整個(gè)區(qū)域中具有最大寬度的區(qū)域的最大寬度的55％至95％的范圍。

27、有益效果

28、實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝基板可以使用激光加工設(shè)備在厚度為250μm或更大的第一絕緣層中形成最大寬度與最小寬度之間的差最小的通孔。因此，實(shí)施例可以改善設(shè)置在半導(dǎo)體封裝基板中的第一貫通電極的物理特性和電氣特性。

29、具體地，第一絕緣層是包括增強(qiáng)纖維的核心層。

30、此時(shí)，在比較例中，當(dāng)使用激光設(shè)備在第一絕緣層中形成通孔時(shí)，通孔包括沿垂直方向具有不同寬度的區(qū)域，并且最小寬度小于最大寬度的50％。因此，比較例的問題在于，在將貫通電極布置在通孔中的鍍覆過程中，根據(jù)每個(gè)區(qū)域的鍍覆速度的差異而設(shè)置不均勻的貫通電極。

31、另外，比較例在激光加工條件下增加激光強(qiáng)度，以便使最小寬度與最大寬度之間的差最小化。然而，在這種情況下，發(fā)生尺寸擴(kuò)大問題，其中通孔的尺寸被形成為大于目標(biāo)尺寸。

32、另外，在另一個(gè)比較例中，使用鉆孔機(jī)形成通孔以使最小寬度與最大寬度之間的差最小化。然而，當(dāng)使用鉆孔機(jī)時(shí)，一次只能形成一個(gè)通孔。這導(dǎo)致了降低產(chǎn)量的問題。

33、與之對(duì)比，實(shí)施例使用至少兩個(gè)坐標(biāo)代碼(t代碼，t-code)在第一絕緣層中形成通孔。根據(jù)實(shí)施例，通過根據(jù)能量強(qiáng)度使用兩個(gè)坐標(biāo)代碼，可以在形成通孔的過程期間改變激光加工條件。根據(jù)實(shí)施例，通過使用第一坐標(biāo)代碼將具有第一激光能量強(qiáng)度的激光照射到具有第一尺寸的開口的第一掩模來形成通孔的一部分。此外，通過使用第二坐標(biāo)代碼將具有能量強(qiáng)度與第一激光能量強(qiáng)度不同的第二激光能量強(qiáng)度的激光照射到具有與第一尺寸不同的第二尺寸的開口的第二掩模來形成通孔的剩余部分。由此，實(shí)施例可以使用激光設(shè)備在第一絕緣層中形成最大寬度與最小寬度之間的差最小的通孔，同時(shí)防止通孔的尺寸擴(kuò)大。因此，實(shí)施例可以解決在將第一貫通電極布置在第一通孔中的鍍覆過程中第一貫通電極的厚度的不均勻性。另外，可以解決第一貫通電極從第一絕緣層剝離或在第一貫通電極中出現(xiàn)裂紋的物理問題。由此，實(shí)施例可以改善半導(dǎo)體封裝基板的物理特性。如上所述，實(shí)施例可以通過改善鍍覆特性而允許具有均勻厚度的第一貫通電極設(shè)置在第一絕緣層中。因此，可以使通過第一貫通電極傳輸?shù)男盘?hào)的損失最小化，可以防止電壓降，并且可以增加布線設(shè)計(jì)的自由度，因?yàn)檫@對(duì)于阻抗匹配是有利的。此外，根據(jù)本實(shí)施例的第一通孔可以改善半導(dǎo)體封裝基板和包括該半導(dǎo)體封裝基板的半導(dǎo)體封裝的電氣特性。

34、另外，實(shí)施例可以使用激光設(shè)備在其中包括增強(qiáng)纖維同時(shí)在垂直方向上具有250μm至1200μm的厚度的第一絕緣層中形成通孔。因此，與使用機(jī)器鉆孔設(shè)備形成通孔相比，實(shí)施例可以減少形成通孔所需的時(shí)間。因此，實(shí)施例可以提高半導(dǎo)體封裝基板的產(chǎn)量。此外，實(shí)施例可以僅使用激光設(shè)備在包括核心層的多層基板的所有絕緣層中形成通孔。因此，實(shí)施例可以提高半導(dǎo)體封裝基板的制造過程中的效率。此外，實(shí)施例可以通過不必使用相對(duì)昂貴的機(jī)器鉆孔設(shè)備來降低半導(dǎo)體封裝基板的制造成本。