本公開涉及一種半導(dǎo)體器件，具體地，涉及一種包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(sram)單元的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

1、由于半導(dǎo)體器件的小尺寸、多功能和/或低成本的特性，半導(dǎo)體器件被視為電子行業(yè)中的重要元件。半導(dǎo)體器件被分類為用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件、用于處理數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體邏輯器件、以及包括存儲(chǔ)器和邏輯元件的混合半導(dǎo)體器件。隨著電子行業(yè)的高度發(fā)展，對(duì)具有改善特性的半導(dǎo)體器件的需求不斷增加。例如，對(duì)具有高可靠性、高性能和/或多功能的半導(dǎo)體器件的需求不斷增加。為了滿足這些技術(shù)需求，半導(dǎo)體器件的復(fù)雜性和/或集成密度正在增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開提供了一種具有改善的電特性和可靠性特性的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

2、一種半導(dǎo)體器件可以包括：第一下有源接觸部；第一源/漏圖案，在第一下有源接觸部上；第二下有源接觸部；第二源/漏圖案，在第二下有源接觸部上；下導(dǎo)電層，電連接到第一下有源接觸部和第二下有源接觸部；第三源/漏圖案和第四源/漏圖案，在第一源/漏圖案與第二源/漏圖案之間；第一上有源接觸部，在第三源/漏圖案上；第二上有源接觸部，在第四源/漏圖案上；以及上導(dǎo)線，電連接到第一上有源接觸部和第二上有源接觸部。第一源/漏圖案至第四源/漏圖案、第一下有源接觸部和第二下有源接觸部、以及第一上有源接觸部和第二上有源接觸部可以設(shè)置在下導(dǎo)電層與上導(dǎo)線之間。

3、一種半導(dǎo)體器件可以包括：第一源/漏圖案；第一下有源接觸部，與第一源/漏圖案的下部接觸；第二源/漏圖案；第二下有源接觸部，與第二源/漏圖案的下部接觸；下導(dǎo)電層，電連接到第一下有源接觸部和第二下有源接觸部；第三源/漏圖案；第一上有源接觸部，與第三源/漏圖案的上部接觸；上導(dǎo)線，電連接到上有源接觸部；第四源/漏圖案；第二上有源接觸部，與第四源/漏圖案的上部接觸；以及第一位線，電連接到第二上有源接觸部。下導(dǎo)電層可以包括：第一下導(dǎo)電部，與第一下有源接觸部接觸；第二下導(dǎo)電部，與第二下有源接觸部接觸；以及第三下導(dǎo)電部，將第一下導(dǎo)電部和第二下導(dǎo)電部彼此連接。第一下導(dǎo)電部可以與第一位線重疊，并且第三下導(dǎo)電部可以與上導(dǎo)線重疊。

4、一種半導(dǎo)體器件可以包括：第一下絕緣層；第一字線和第二字線，設(shè)置在第一下絕緣層中并且沿第一方向延伸；第二下絕緣層，在第一下絕緣層上；第一字線連接接觸部和第二字線連接接觸部，在第二下絕緣層中；第一下導(dǎo)電圖案，在第一字線連接接觸部上；第二下導(dǎo)電圖案，在第二字線連接接觸部上；第一絕緣圖案，圍繞第一下導(dǎo)電圖案；第二絕緣圖案，圍繞第二下導(dǎo)電圖案；下導(dǎo)電層，在第二下絕緣層上；第一下有源接觸部，在下導(dǎo)電層上；第一源/漏圖案，在第一下有源接觸部上；第二下有源接觸部，在下導(dǎo)電層上；第二源/漏圖案，在第二下有源接觸部上；第一下柵極接觸部，在第一下導(dǎo)電圖案上；第一柵電極，在第一下柵極接觸部上；第二下柵極接觸部，在第二下導(dǎo)電圖案上；第二柵電極，在第二下柵極接觸部上；第三源/漏圖案，與第一柵電極相鄰；第一上有源接觸部，在第三源/漏圖案上；第一位線，電連接到第一上有源接觸部；第四源/漏圖案，與第二柵電極相鄰；第二上有源接觸部，在第四源/漏圖案上；第二位線，電連接到第二上有源接觸部；第五源/漏圖案，在第一方向上與第一源/漏圖案相鄰；第三上有源接觸部，在第五源/漏圖案上；第六源/漏圖案，在第一方向上與第二源/漏圖案相鄰；第四上有源接觸部，在第六源/漏圖案上；以及上導(dǎo)線，電連接到第三上有源接觸部和第四上有源接觸部。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一上有源接觸部與所述第二上有源接觸部之間的距離小于所述第一下有源接觸部與所述第二下有源接觸部之間的距離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述下導(dǎo)電層包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述上導(dǎo)線沿第一方向延伸，并且

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述下導(dǎo)電層還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，還包括：下導(dǎo)電圖案，在所述第三下導(dǎo)電部與所述第五下導(dǎo)電部之間以及所述第二下導(dǎo)電部與所述第四下導(dǎo)電部之間，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

8.一種半導(dǎo)體器件，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括：第二位線，與所述第二下導(dǎo)電部重疊。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述上導(dǎo)線設(shè)置在所述第一位線與所述第二位線之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一上有源接觸部與所述第三下導(dǎo)電部重疊。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一源/漏圖案、所述第二源/漏圖案和所述第四源/漏圖案具有第一導(dǎo)電類型，并且

16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述讀取字線設(shè)置在與所述第一位線和所述上導(dǎo)線相同的高度處。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述讀取字線設(shè)置在低于所述下導(dǎo)電層的高度處。

20.一種半導(dǎo)體器件，包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件可以包括：第一下有源接觸部；第一源/漏圖案，在第一下有源接觸部上；第二下有源接觸部；第二源/漏圖案，在第二下有源接觸部上；下導(dǎo)電層，電連接到第一下有源接觸部和第二下有源接觸部；第三源/漏圖案和第四源/漏圖案，在第一源/漏圖案與第二源/漏圖案之間；第一上有源接觸部，在第三源/漏圖案上；第二上有源接觸部，在第四源/漏圖案上；以及上導(dǎo)線，電連接到第一上有源接觸部和第二上有源接觸部。第一源/漏圖案至第四源/漏圖案、第一下有源接觸部和第二下有源接觸部、以及第一上有源接觸部和第二上有源接觸部可以設(shè)置在下導(dǎo)電層與上導(dǎo)線之間。

技術(shù)研發(fā)人員：金知雄,李敎旭,李承勛,趙槿匯
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/22