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顯示裝置的制作方法

文檔序號:41959481發(fā)布日期:2025-05-20 16:53閱讀:2來源:國知局
顯示裝置的制作方法

本申請涉及一種顯示裝置,更具體地,涉及一種能夠使因修復(fù)缺陷子像素而導(dǎo)致的可靠性的劣化最小的顯示裝置。


背景技術(shù):

1、作為用于電腦、電視、手機等的顯示器,存在配置為自主發(fā)光的有機發(fā)光顯示(oled)裝置和需要單獨光源的液晶顯示(lcd)裝置。

2、顯示裝置的應(yīng)用范圍被多樣化,從電腦和電視的顯示器到個人移動裝置,正在研究具有大顯示面積且體積和重量減小的顯示裝置。

3、另外,在制造顯示裝置的工藝之后,可對顯示裝置進行點亮檢查工藝,以檢查具有暗點缺陷或亮點缺陷的缺陷子像素。當(dāng)檢測到缺陷子像素時,可執(zhí)行通過使用激光將缺陷子像素的陽極與像素電路分離的修復(fù)工藝。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開內(nèi)容要實現(xiàn)的一個目的是提供一種能夠使在修復(fù)工藝期間被激光束照射的連接線的物理變形而導(dǎo)致的周邊部分的可靠性的劣化最小的高效率、低功率顯示裝置。

2、本公開內(nèi)容要實現(xiàn)的另一個目的是提供一種通過使用連接線中的具有較小厚度的部分作為修復(fù)點而容易將多個發(fā)光元件和晶體管電分離的顯示裝置。

3、本公開內(nèi)容的目的不限于上述目的,本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠從下面的描述清楚地理解以上未提及的其他目的。

4、為了實現(xiàn)本公開內(nèi)容的這些目的和其他優(yōu)點,如在此具體和概括描述的,根據(jù)本公開內(nèi)容一示例性實施方式的顯示裝置可包括:基板;在所述基板上的晶體管;在所述晶體管上的平坦化層;在所述平坦化層上且在同一子像素中的多個發(fā)光元件;和連接線,所述連接線配置為與所述晶體管和所述多個發(fā)光元件相接。所述連接線可覆蓋所述多個發(fā)光元件中的每一個發(fā)光元件的陽極的端部并且可由透明導(dǎo)電氧化物制成。

5、在本公開內(nèi)容的另一個方面中,根據(jù)本公開內(nèi)容一示例性實施方式的顯示裝置可包括:其上設(shè)置有多個子像素的基板;設(shè)置在所述基板上的所述多個子像素的每一個中的晶體管;設(shè)置在所述多個子像素之中的一個子像素中并且電連接至同一晶體管的第一發(fā)光元件和第二發(fā)光元件;以及配置為電連接所述晶體管、所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件的連接線。所述連接線可設(shè)置在設(shè)置于所述一個子像素中的所述第一發(fā)光元件與所述第二發(fā)光元件之間,可配置為覆蓋所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件中的每一個的陽極的端部,并且可由透明導(dǎo)電氧化物制成。

6、示例性實施方式的其他詳細事項包括在詳細描述和附圖中。

7、根據(jù)本公開內(nèi)容,可使在修復(fù)工藝期間發(fā)生的顯示裝置的可靠性的劣化最小。

8、根據(jù)本公開內(nèi)容,在修復(fù)工藝期間可更容易將多個發(fā)光元件和晶體管電分離。

9、根據(jù)本公開內(nèi)容的優(yōu)點和效果不限于上述的那些,本公開內(nèi)容中包括或者可實現(xiàn)額外優(yōu)點和效果。

10、將在下面的描述中闡述本公開內(nèi)容的額外特征和方面,其一部分將從該描述變得顯而易見或者可通過本文提供的發(fā)明構(gòu)思的實施領(lǐng)會到。發(fā)明構(gòu)思的其他特征和方面可通過在所撰寫的說明書、其權(quán)利要求書和附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)和得到或?qū)С觥?/p>

11、應(yīng)當(dāng)理解,本公開內(nèi)容的前述一般描述和以下詳細描述都是以示例方式給出,旨在進一步解釋所要求保護的本公開內(nèi)容。



技術(shù)特征:

1.一種顯示裝置,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中:

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,還包括:

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中所述連接電極與所述多個發(fā)光元件的陽極設(shè)置在同一層上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中所述連接線、所述連接電極、和所述多個發(fā)光元件的陽極設(shè)置在所述平坦化層上。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中所述連接線覆蓋所述連接電極的端部。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中所述連接線包括:

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其中整個連接線是導(dǎo)電的。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置,其中所述連接線中的與所述連接電極的端部相接的部分的厚度、所述連接線中的與所述第一發(fā)光元件的陽極的端部相接的部分的厚度、以及所述連接線中的與所述第二發(fā)光元件的陽極的端部相接的部分的厚度等于或小于所述連接線的其余部分的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其中所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分中的至少一者包括:

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件中的至少一者通過所述高電阻部分與所述晶體管電斷開。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中所述高電阻部分的厚度大于所述低電阻部分的厚度。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中所述第一部分的高電阻部分與所述連接電極的端部相接。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中:

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中:

16.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中:

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置,其中整個連接線是導(dǎo)電的。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置,其中所述連接線中的與所述連接電極的端部相接的部分的厚度、所述連接線中的與所述第一發(fā)光元件的陽極的端部相接的部分的厚度、所述連接線中的與所述第二發(fā)光元件的陽極的端部相接的部分的厚度、以及所述連接線中的與所述第三發(fā)光元件的陽極的端部相接的部分的厚度等于或小于所述連接線的其余部分的厚度。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置,其中所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分中的至少一者包括:

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置,其中所述第一發(fā)光元件、所述第二發(fā)光元件和所述第三發(fā)光元件中的至少一者通過所述高電阻部分與所述晶體管電斷開。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置,其中所述高電阻部分的厚度大于所述低電阻部分的厚度。

22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置,其中所述第一部分的高電阻部分與所述連接電極的端部和所述第三發(fā)光元件的陽極的端部中的至少一者相接。

23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置,其中:

24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置,其中:

25.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中所述高電阻部分是通過用激光束照射所述連接線而形成的。

26.一種顯示裝置,包括:

27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示裝置,還包括:

28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的顯示裝置,其中所述連接線包括:

29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的顯示裝置,其中當(dāng)所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件都正常時,所述連接線中的與所述連接電極的端部相接的部分的厚度、所述連接線中的與所述第一發(fā)光元件的陽極的端部相接的部分的厚度、以及所述連接線中的與所述第二發(fā)光元件的陽極的端部相接的部分的厚度等于或小于所述連接線的其余部分的厚度。

30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的顯示裝置,其中當(dāng)所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件中的至少一者有缺陷時,所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分中的至少一者包括:

31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的顯示裝置,其中所述高電阻部分的厚度大于所述低電阻部分的厚度。

32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的顯示裝置,其中:

33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的顯示裝置,其中所述高電阻部分是通過用激光束照射所述連接線而形成的。

34.根據(jù)權(quán)利要求27所述的顯示裝置,還包括設(shè)置在所述第一發(fā)光元件與所述第二發(fā)光元件之間的第三發(fā)光元件,


技術(shù)總結(jié)
一種顯示裝置,可包括:基板;在所述基板上的晶體管;在所述晶體管上的平坦化層;在所述平坦化層上且在同一子像素中的多個發(fā)光元件;和連接線,所述連接線配置為與所述晶體管和所述多個發(fā)光元件相接。所述連接線可覆蓋所述多個發(fā)光元件中的每一個發(fā)光元件的陽極的端部并且可由透明導(dǎo)電氧化物制成。

技術(shù)研發(fā)人員:沈成斌,權(quán)多慧,S·李
受保護的技術(shù)使用者:樂金顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/19
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