一個或多個實(shí)施方式涉及顯示設(shè)備和制造顯示設(shè)備的方法，并且更特別地涉及能夠通過結(jié)構(gòu)修改來顯示高分辨率圖像的顯示設(shè)備和制造顯示設(shè)備的方法。

背景技術(shù)：

1、顯示設(shè)備包括多個像素。對于全顏色顯示設(shè)備，多個像素發(fā)射不同顏色的光。為此，顯示設(shè)備的至少一些像素具有顏色轉(zhuǎn)換器。例如，由一些像素的光發(fā)射器產(chǎn)生的光中的至少一些通過穿過相應(yīng)的顏色轉(zhuǎn)換器并且然后傳播到外部而被轉(zhuǎn)換成不同顏色的光。

2、然而，在傳統(tǒng)的顯示設(shè)備中，在實(shí)現(xiàn)高分辨率產(chǎn)品時，可能發(fā)生顏色混合。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、一個或多個實(shí)施方式包括在制造工藝中具有提高的顏色匹配率的顯示設(shè)備。

2、根據(jù)一個或多個實(shí)施方式，顯示設(shè)備包括：襯底；平坦化層，該平坦化層被布置在襯底上，并且包括多個第一區(qū)和在多個第一區(qū)外部的第二區(qū)，其中，從襯底的頂表面到多個第一區(qū)中的每個的頂表面的第一距離大于從襯底的頂表面到第二區(qū)的頂表面的第二距離；多個像素電極，該多個像素電極被布置在平坦化層的多個第一區(qū)上；堤，該堤被布置在多個像素電極上方，并且包括分別與多個像素電極相對應(yīng)的多個開口；第一量子點(diǎn)層，該第一量子點(diǎn)層位于堤的多個開口中的第一開口內(nèi)；第二量子點(diǎn)層，該第二量子點(diǎn)層位于堤的多個開口中的第二開口內(nèi)；以及透射層，該透射層位于堤的多個開口中的剩余開口內(nèi)。

3、在實(shí)施方式中，當(dāng)在平面圖中觀看時，多個像素電極分別位于多個第一區(qū)內(nèi)。

4、在實(shí)施方式中，顯示設(shè)備還包括多個薄膜晶體管(tft)，其中，當(dāng)在平面圖中觀看時，多個像素電極分別通過位于多個第一區(qū)內(nèi)的多個接觸孔電連接到多個薄膜晶體管。

5、在實(shí)施方式中，當(dāng)在平面圖中觀看時，多個像素電極分別從多個第一區(qū)向外延伸。

6、在實(shí)施方式中，顯示設(shè)備還包括多個薄膜晶體管，其中，當(dāng)在平面圖中觀看時，多個像素電極分別通過位于多個第一區(qū)外部的多個接觸孔電連接到多個薄膜晶體管。

7、在實(shí)施方式中，顯示設(shè)備還包括：像素限定層，該像素限定層被布置在平坦化層的第二區(qū)和多個第一區(qū)上。像素限定層覆蓋多個像素電極的邊緣，并且包括暴露多個像素電極的中心部分的貫穿部分。

8、在實(shí)施方式中，像素限定層包括當(dāng)在平面圖中觀看時與堤重疊的附加貫穿部分。

9、在實(shí)施方式中，顯示設(shè)備還包括：中間層，該中間層被布置在多個像素電極上并且包括發(fā)射層；對電極，該對電極被布置在中間層上并且與多個像素電極相對應(yīng)；以及封裝層，該封裝層被布置在對電極上。

10、在實(shí)施方式中，附加貫穿部分中的封裝層的頂表面與底表面之間的距離大于多個像素電極中的每個與堤的底表面之間的距離。

11、在實(shí)施方式中，附加貫穿部分中的封裝層的頂表面與底表面之間的距離為大約3.5μm至大約4.0μm。

12、在實(shí)施方式中，多個像素電極中的每個與堤的底表面之間的距離為大約2.5μm至大約3.0μm。

13、在實(shí)施方式中，像素限定層的頂表面與堤的底表面之間的距離為大約2.0μm至大約2.5μm。

14、根據(jù)一個或多個實(shí)施方式，制造顯示設(shè)備的方法包括：在襯底上形成平坦化層。平坦化層包括多個第一區(qū)和在多個第一區(qū)外部的第二區(qū)，其中，從襯底的頂表面到多個第一區(qū)中的每個的頂表面的第一距離大于從襯底的頂表面到第二區(qū)的頂表面的第二距離。該方法還包括：在平坦化層的多個第一區(qū)上形成多個像素電極；形成包括與多個像素電極相對應(yīng)的多個開口的堤，其中，堤被布置在多個像素電極上方；在堤的多個開口中的第一開口內(nèi)形成第一量子點(diǎn)層；在堤的多個開口中的第二開口內(nèi)形成第二量子點(diǎn)層；以及在堤的多個開口中的剩余開口內(nèi)形成透射層。

15、在實(shí)施方式中，形成多個像素電極包括：在多個第一區(qū)內(nèi)分別形成多個像素電極。

16、在實(shí)施方式中，形成多個像素電極包括：使多個像素電極從多個第一區(qū)向外延伸。

17、在實(shí)施方式中，該方法還包括：在平坦化層的第二區(qū)和多個第一區(qū)上形成像素限定層。像素限定層覆蓋多個像素電極的邊緣，并且包括暴露多個像素電極的中心部分的貫穿部分。

18、在實(shí)施方式中，該方法還包括：在多個像素電極上形成中間層，其中，中間層包括發(fā)射層；在中間層上形成對電極，其中，對電極與多個像素電極相對應(yīng)；以及在對電極上形成封裝層。堤形成在封裝層上。

19、在實(shí)施方式中，形成像素限定層包括：當(dāng)在平面圖中觀看時，在多個像素電極之間形成附加貫穿部分。

20、在實(shí)施方式中，附加貫穿部分中的封裝層的頂表面與底表面之間的距離大于多個像素電極中的每個與堤的底表面之間的距離。

21、在實(shí)施方式中，附加貫穿部分中的封裝層的頂表面與底表面之間的距離為大約3.5μm至大約4.0μm。

技術(shù)特征：

1.一種顯示設(shè)備，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，當(dāng)在平面圖中觀看時，所述多個像素電極分別位于所述多個第一區(qū)內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，當(dāng)在平面圖中觀看時，所述多個像素電極分別從所述多個第一區(qū)向外延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備，其中，所述像素限定層包括當(dāng)在平面圖中觀看時與所述堤重疊的附加貫穿部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示設(shè)備，其中，所述附加貫穿部分中的所述封裝層的頂表面與底表面之間的距離大于所述多個像素電極中的每個與所述堤的底表面之間的距離。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示設(shè)備，其中，所述附加貫穿部分中的所述封裝層的頂表面與底表面之間的距離為3.5μm至4.0μm。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示設(shè)備，其中，所述多個像素電極中的每個與所述堤的底表面之間的距離為2.5μm至3.0μm。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示設(shè)備，其中，所述像素限定層的頂表面與所述堤的底表面之間的距離為2.0μm至2.5μm。

13.一種制造顯示設(shè)備的方法，所述制造顯示設(shè)備的方法包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造顯示設(shè)備的方法，其中，形成所述多個像素電極包括：在所述多個第一區(qū)內(nèi)分別形成所述多個像素電極。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造顯示設(shè)備的方法，其中，形成所述多個像素電極包括：使所述多個像素電極從所述多個第一區(qū)向外延伸。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造顯示設(shè)備的方法，還包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造顯示設(shè)備的方法，還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造顯示設(shè)備的方法，其中，形成所述像素限定層還包括：當(dāng)在平面圖中觀看時，在所述多個像素電極之間形成附加貫穿部分。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造顯示設(shè)備的方法，其中，所述附加貫穿部分中的所述封裝層的頂表面與底表面之間的距離大于所述多個像素電極中的每個與所述堤的底表面之間的距離。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造顯示設(shè)備的方法，其中，所述附加貫穿部分中的所述封裝層的所述頂表面與所述底表面之間的距離為3.5μm至4.0μm。

技術(shù)總結(jié)
提供了顯示設(shè)備和制造顯示設(shè)備的方法。顯示設(shè)備包括：平坦化層，該平坦化層被布置在襯底上，并且包括第二區(qū)和多個第一區(qū)；多個像素電極，該多個像素電極在平坦化層的多個第一區(qū)上；堤，該堤在多個像素電極上，并且包括分別與多個像素電極相對應(yīng)的多個開口；第一量子點(diǎn)層，該第一量子點(diǎn)層在堤的多個開口中的第一開口中；第二量子點(diǎn)層，該第二量子點(diǎn)層在堤的多個開口中的第二開口中；以及透射層，該透射層在堤的多個開口中的剩余開口中。從襯底的頂表面到多個第一區(qū)的頂表面的第一距離大于從襯底的頂表面到第二區(qū)的頂表面的第二距離。

技術(shù)研發(fā)人員：樸根佑,樸宰徹,李角錫,姜東漢,梁伸赫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19