本文中描述的本公開的實(shí)施例涉及包括顯示面板的顯示裝置和用于顯示面板的制造方法，并且尤其涉及包括具有改善的工藝可靠性的顯示面板的顯示裝置和用于制造顯示面板的方法。

背景技術(shù)：

1、諸如電視、監(jiān)視器、智能電話、平板計(jì)算機(jī)或類似物的向用戶提供圖像的顯示裝置包括顯示圖像的顯示面板。正在開發(fā)各種顯示面板，諸如液晶顯示面板、有機(jī)發(fā)光顯示面板、電潤(rùn)濕顯示面板、電泳顯示面板和類似物。

2、有機(jī)發(fā)光顯示面板可包括陽(yáng)極、陰極和發(fā)射圖案。發(fā)射圖案可針對(duì)相應(yīng)的發(fā)射區(qū)而彼此分割，并且陰極可為相應(yīng)的發(fā)射區(qū)提供公共電壓。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的實(shí)施例提供了包括包含有在不使用金屬掩模的情況下形成的發(fā)光元件的、具有改善的工藝可靠性的顯示面板的顯示裝置。此外，本公開的實(shí)施例提供了具有改善的工藝可靠性的用于制造顯示面板的方法。

2、在本公開的實(shí)施例中，顯示裝置包括顯示面板，并且顯示面板包括基礎(chǔ)層、布置在基礎(chǔ)層上的像素限定層、布置在像素限定層上并且其中限定有第一阻擋壁開口和與第一阻擋壁開口間隔開的第一凹槽的阻擋壁、包括第一陽(yáng)極、第一發(fā)射圖案和布置在第一阻擋壁開口中并且接觸阻擋壁的第一陰極的第一發(fā)光元件以及布置在第一發(fā)光元件和阻擋壁上的第一下封裝圖案。在平面視圖中，第一凹槽圍繞第一阻擋壁開口。第一下封裝圖案的內(nèi)部部分布置在第一阻擋壁開口和第一凹槽中，并且第一下封裝圖案的外部部分限定阻擋壁與第一下封裝圖案的外部部分之間的第一間隔區(qū)。

3、在實(shí)施例中，第一凹槽可通過在厚度方向上從阻擋壁的上表面去除阻擋壁的一部分來限定。

4、在實(shí)施例中，阻擋壁可包括布置在像素限定層上的第一阻擋壁層和布置在第一阻擋壁層上的第二阻擋壁層，并且第一凹槽可包括通過去除第一阻擋壁層的一部分而限定的第一凹槽區(qū)和穿透第二阻擋壁層的第二凹槽區(qū)。

5、在實(shí)施例中，第一阻擋壁開口可包括穿透第一阻擋壁層的第一開口區(qū)和穿透第二阻擋壁層的第二開口區(qū)。第二開口區(qū)可具有比第一開口區(qū)的寬度小的寬度。在阻擋壁中可限定有與第一阻擋壁開口相鄰的第一尖端部分。

6、在實(shí)施例中，第二凹槽區(qū)可具有比第一凹槽區(qū)的寬度小的寬度。在阻擋壁中可限定有與第一凹槽相鄰并且彼此面對(duì)的第二尖端部分和第三尖端部分，并且第二尖端部分到第一阻擋壁開口可比第三尖端部分到第一阻擋壁開口近。

7、在實(shí)施例中，顯示面板還可包括布置在阻擋壁上并且在平面視圖中布置在第一阻擋壁開口與第一凹槽之間的第一虛設(shè)圖案以及布置在第一凹槽中的第二虛設(shè)圖案。第一虛設(shè)圖案和第二虛設(shè)圖案中的每一個(gè)可包括第一層虛設(shè)圖案和第二層虛設(shè)圖案，第一層虛設(shè)圖案與第一發(fā)射圖案間隔開并且包括與第一發(fā)射圖案的材料相同的材料，第二層虛設(shè)圖案與第一陰極間隔開并且包括與第一陰極的材料相同的材料。

8、在實(shí)施例中，第一下封裝圖案的內(nèi)部部分可包括布置在第一阻擋壁開口中并且覆蓋第一陰極的第一部分、從第一部分延伸并且覆蓋第一虛設(shè)圖案并且布置在阻擋壁上的第二部分以及從第二部分延伸并且覆蓋第二虛設(shè)圖案并且布置在第一凹槽中的第三部分。

9、在實(shí)施例中，阻擋壁還可包括在平面視圖中圍繞第一阻擋壁開口和第一凹槽的附加凹槽，并且在阻擋壁中可附加地限定有與附加凹槽相鄰并且彼此面對(duì)的第四尖端部分和第五尖端部分。

10、在實(shí)施例中，顯示面板還可包括布置在阻擋壁上并且在平面視圖中布置在第一凹槽與附加凹槽之間的第一附加虛設(shè)圖案以及布置在附加凹槽中的第二附加虛設(shè)圖案。第一附加虛設(shè)圖案和第二附加虛設(shè)圖案中的每一個(gè)可包括第一層附加虛設(shè)圖案和第二層附加虛設(shè)圖案，第一層附加虛設(shè)圖案與第一發(fā)射圖案間隔開并且包括與第一發(fā)射圖案的材料相同的材料，第二層附加虛設(shè)圖案與第一陰極間隔開并且包括與第一陰極的材料相同的材料。第一下封裝圖案的內(nèi)部部分的一部分可覆蓋第一附加虛設(shè)圖案，并且第一下封裝圖案的內(nèi)部部分的另一部分可布置在附加凹槽中并且可覆蓋第二附加虛設(shè)圖案。

11、在實(shí)施例中，阻擋壁還可包括布置在第二阻擋壁層上的第三阻擋壁層和布置在第三阻擋壁層上的第四阻擋壁層。第一阻擋壁開口可包括穿透第三阻擋壁層的第三開口區(qū)和穿透第四阻擋壁層的第四開口區(qū)。第三開口區(qū)可具有比第二開口區(qū)的寬度大的寬度，并且第四開口區(qū)可具有比第三開口區(qū)的寬度小的寬度。

12、在實(shí)施例中，第一凹槽還可包括穿透第三阻擋壁層的第三凹槽區(qū)和穿透第四阻擋壁層的第四凹槽區(qū)。第三凹槽區(qū)可具有比第二凹槽區(qū)的寬度大的寬度，并且第四凹槽區(qū)可具有比第三凹槽區(qū)的寬度小的寬度。

13、在實(shí)施例中，第一下封裝圖案的內(nèi)部部分的一部分可填充第二凹槽區(qū)，并且在第一凹槽區(qū)中可限定有由第一下封裝圖案密封的空間。

14、在實(shí)施例中，第一凹槽可從阻擋壁的上表面穿透到下表面。

15、在實(shí)施例中，顯示面板還可包括布置在阻擋壁和第一下封裝圖案上的有機(jī)封裝膜。

16、在實(shí)施例中，第一間隔區(qū)可用有機(jī)封裝膜填充。

17、在實(shí)施例中，顯示裝置還可包括直接布置在顯示面板上的輸入傳感器。

18、在實(shí)施例中，第一凹槽在平面視圖中可具有閉合線形狀。

19、在實(shí)施例中，第一凹槽可具有比第一阻擋壁開口的寬度小的寬度。

20、在實(shí)施例中，顯示面板還可包括包含有第二陽(yáng)極、第二發(fā)射圖案和第二陰極的第二發(fā)光元件以及與第一下封裝圖案間隔開并且布置在第二發(fā)光元件和阻擋壁上的第二下封裝圖案。在阻擋壁中可附加地限定有與第一阻擋壁開口間隔開的第二阻擋壁開口和在平面視圖中圍繞第二阻擋壁開口的第二凹槽。第二陰極可布置在第二阻擋壁開口中，并且可接觸阻擋壁。第二下封裝圖案的內(nèi)部部分可布置在第二阻擋壁開口和第二凹槽中，并且第二下封裝圖案的外部部分可限定阻擋壁與第二下封裝圖案的外部部分之間的第二間隔區(qū)。

21、在本公開的實(shí)施例中，用于制造顯示面板的方法包括：通過蝕刻初步阻擋壁來形成其中限定有阻擋壁開口和與阻擋壁開口間隔開的凹槽的阻擋壁；在阻擋壁開口中形成發(fā)光元件；形成包括布置在阻擋壁開口和凹槽中的內(nèi)部部分以及布置在內(nèi)部部分的外部處的外部部分的下封裝圖案；以及在下封裝圖案的外部部分與阻擋壁之間形成間隔區(qū)。

22、在實(shí)施例中，形成阻擋壁可包括通過干法蝕刻工藝執(zhí)行第一蝕刻操作和通過濕法蝕刻工藝執(zhí)行第二蝕刻操作。阻擋壁可包括第一阻擋壁層和布置在第一阻擋壁層上的第二阻擋壁層，并且阻擋壁開口可包括穿過第一阻擋壁層形成的第一開口區(qū)和穿過第二阻擋壁層形成的第二開口區(qū)。第二開口區(qū)可具有比第一開口區(qū)的寬度小的寬度。

23、在實(shí)施例中，該方法還可包括在形成阻擋壁之前在初步阻擋壁上形成具有第一光開口和第二光開口的第一光致抗蝕劑圖案以及在形成阻擋壁之后并且在形成發(fā)光元件之前去除第一光致抗蝕劑圖案。在形成阻擋壁時(shí)，阻擋壁開口可對(duì)應(yīng)于第一光開口，并且凹槽可對(duì)應(yīng)于第二光開口。第二光開口可具有比第一光開口的寬度小的寬度，并且凹槽可具有小于或等于阻擋壁開口的高度的高度。

24、在實(shí)施例中，該方法還可包括：在形成第一光致抗蝕劑圖案之前在初步阻擋壁上形成初步掩模圖案；在形成第一光致抗蝕劑圖案之后并且在形成阻擋壁之前使初步掩模圖案經(jīng)受圖案化以形成其中限定有與第一光開口重疊的第一圖案開口和與第二光開口重疊的第二圖案開口的掩模圖案；以及在去除第一光致抗蝕劑圖案之后并且在形成發(fā)光元件之前去除掩模圖案。

25、在實(shí)施例中，該方法還可包括在形成初步掩模圖案之前提供初步顯示面板，初步顯示面板包括基礎(chǔ)層、布置在基礎(chǔ)層上的陽(yáng)極、布置在陽(yáng)極上的犧牲圖案、布置在犧牲圖案上的初步像素限定層和布置在初步像素限定層上的初步阻擋壁。在形成阻擋壁時(shí)，可由初步像素限定層形成具有與第一圖案開口對(duì)應(yīng)的發(fā)光開口的像素限定層，并且在去除掩模圖案時(shí)，可在犧牲圖案中限定與發(fā)光開口對(duì)應(yīng)的犧牲開口。

26、在實(shí)施例中，該方法還可包括：在形成發(fā)光元件之后并且在形成下封裝圖案之前沉積初步下封裝圖案；以及在初步下封裝圖案上形成第二光致抗蝕劑圖案。在形成發(fā)光元件時(shí)，可一起形成布置在阻擋壁開口與凹槽之間的阻擋壁上的第一虛設(shè)圖案、布置在凹槽中的第二虛設(shè)圖案和布置在凹槽的外側(cè)的阻擋壁上的第三初步虛設(shè)圖案。第二光致抗蝕劑圖案可與第三初步虛設(shè)圖案的一部分、第一虛設(shè)圖案、第二虛設(shè)圖案和發(fā)光元件重疊。在形成間隔區(qū)時(shí)，可使用第二光致抗蝕劑圖案作為掩模來執(zhí)行濕法蝕刻工藝，并且可去除第三初步虛設(shè)圖案。

27、在實(shí)施例中，凹槽可通過在厚度方向上從阻擋壁的上表面去除阻擋壁的一部分來限定。

28、在實(shí)施例中，凹槽可從阻擋壁的上表面穿透到下表面。