本申請涉及電子電路，具體涉及一種開關(guān)電路、芯片及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、開關(guān)電路是一種電子電路，通常是由一些電氣元件構(gòu)成的，其用于控制所在回路的通斷。

2、然而，由于開關(guān)電路是一些電氣元件構(gòu)成的，其在導通情況下不可避免的會存在對應(yīng)的導通阻抗；而且由于電氣元件導致的寄生電容，會降低開關(guān)電路的性能。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于以上問題，本申請實施例提供一種開關(guān)電路、芯片及電子設(shè)備，以緩解導通阻抗較高以及寄生電容導致性能下降的技術(shù)問題。

2、第一方面，本申請實施例提供一種一種開關(guān)電路，該開關(guān)電路包括開關(guān)模塊、第一驅(qū)動模塊以及第一鉗位模塊，開關(guān)模塊的第一端為開關(guān)電路的輸入端，開關(guān)模塊的第二端為開關(guān)電路的輸出端；第一驅(qū)動模塊的輸入端與開關(guān)模塊的第一端連接，第一驅(qū)動模塊的輸出端與開關(guān)模塊的控制端連接；第一鉗位模塊連接于開關(guān)模塊的控制端與接地端之間。

3、第二方面，本申請實施例還提供一種芯片，該芯片包括上述的開關(guān)電路。

4、第三方面，本申請實施例還提供一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括設(shè)備主體以及設(shè)于設(shè)備主體的上述芯片或者開關(guān)電路。

5、本申請實施例提供的開關(guān)電路、芯片及電子設(shè)備，通過在開關(guān)模塊的第一端與開關(guān)模塊的控制端之間增加第一驅(qū)動模塊，可以提高對開關(guān)模塊的控制端的驅(qū)動能力，從而能夠減小開關(guān)模塊的導通電阻，進而減小了開關(guān)電路的導通電阻；在開關(guān)模塊的第二端通過寄生電容給開關(guān)模塊的控制端耦合過來高壓的情況下，可以通過在開關(guān)模塊的控制端設(shè)置的第一鉗位模塊，避免開關(guān)模塊的控制端電位被耦合至該高壓，從而可以使得第一驅(qū)動模塊的輸出電壓能夠正常抬升，從而避免流經(jīng)開關(guān)模塊的電流出現(xiàn)尖峰，進而改善了寄生電容導致的性能下降問題。

6、本申請的這些方面或其他方面在以下實施例的描述中會更加簡明易懂。

技術(shù)特征：

1.一種開關(guān)電路，其特征在于，所述開關(guān)電路包括：

2.如權(quán)利要求1所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述開關(guān)模塊包括第一晶體管，所述第一晶體管的第一極為所述開關(guān)模塊的第二端，所述第一晶體管的第二極與所述第一驅(qū)動模塊的輸入端連接，所述第一晶體管的控制極與所述第一驅(qū)動模塊的輸出端連接。

3.如權(quán)利要求2所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述第一晶體管為橫向擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管，所述橫向擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管的源極與所述第一驅(qū)動模塊的輸入端連接，所述橫向擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管的柵極與所述第一驅(qū)動模塊的輸出端連接，所述橫向擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管的漏極為所述開關(guān)模塊的第二端，所述橫向擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管的p型襯底與接地端連接，所述橫向擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管的n型埋層與所述橫向擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管的源極連接。

4.如權(quán)利要求3所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述開關(guān)電路還包括第二鉗位模塊，所述第二鉗位模塊的一端與所述橫向擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管的p型井引出端連接，所述第二鉗位模塊的另一端與接地端連接。

5.如權(quán)利要求4所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述第二鉗位模塊包括第三齊納管，所述第三齊納管的陰極與所述橫向擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管的p型井引出端連接，所述第三齊納管的陽極與所述接地端連接。

6.如權(quán)利要求5所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述開關(guān)電路還包括限流模塊，所述限流模塊與所述第三齊納管的陰極、所述橫向擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管的p型井引出端、所述橫向擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管的漏極連接。

7.如權(quán)利要求6所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述限流模塊包括：

8.如權(quán)利要求7所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述開關(guān)電路還包括切換模塊，所述切換模塊連接于所述第一限流單元的一端與所述第三齊納管的陰極之間。

9.如權(quán)利要求8所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述切換模塊包括：

10.如權(quán)利要求9所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述第一切換單元包括第二晶體管，所述第二晶體管的第一極與所述第一限流單元的一端連接，所述第二晶體管的第二極與所述第三齊納管的陰極連接，所述第二晶體管的控制極接入第一開關(guān)使能信號；

11.如權(quán)利要求1所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述第一驅(qū)動模塊包括：

12.如權(quán)利要求11所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述第一鉗位模塊包括：

13.如權(quán)利要求12所述的開關(guān)電路，其特征在于，所述第一鉗位單元包括第一齊納管，所述第一齊納管的陰極與所述開關(guān)模塊的控制端連接；

14.一種芯片，其特征在于，所述芯片包括如權(quán)利要求1～13任一項所述的開關(guān)電路。

15.如權(quán)利要求14所述的芯片，其特征在于，所述芯片還包括：

16.如權(quán)利要求15所述的芯片，其特征在于，所述芯片還包括：

17.如權(quán)利要求16所述的芯片，其特征在于，所述保護模塊包括：

18.如權(quán)利要求17所述的芯片，其特征在于，所述邏輯處理模塊包括：

19.如權(quán)利要求18所述的芯片，其特征在于，所述第一邏輯處理單元包括第一或門，所述第一或門的各輸入端與所述多個過壓保護單元連接；

20.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括設(shè)備主體以及設(shè)于所述設(shè)備主體的如權(quán)利要求14～19任一項所述的芯片。

技術(shù)總結(jié)
本申請實施例提供了一種開關(guān)電路、芯片及電子設(shè)備，該開關(guān)電路包括開關(guān)模塊、第一驅(qū)動模塊以及第一鉗位模塊，通過在開關(guān)模塊的第一端與開關(guān)模塊的控制端之間增加第一驅(qū)動模塊，可以提高對開關(guān)模塊的控制端的驅(qū)動能力，從而能夠減小開關(guān)模塊的導通電阻，進而減小了開關(guān)電路的導通電阻；在開關(guān)模塊的第二端通過寄生電容給開關(guān)模塊的控制端耦合過來高壓的情況下，可以通過在開關(guān)模塊的控制端設(shè)置的第一鉗位模塊，避免開關(guān)模塊的控制端電位被耦合至該高壓，從而可以使得第一驅(qū)動模塊的輸出電壓能夠正常抬升，從而避免流經(jīng)開關(guān)模塊的電流出現(xiàn)尖峰，進而改善了寄生電容導致的性能下降問題。

技術(shù)研發(fā)人員：殷晗,陳瑾,褚曉峰
受保護的技術(shù)使用者：芯?？萍迹ㄉ钲冢┕煞萦邢薰?br/>技術(shù)研發(fā)日：20240613
技術(shù)公布日：2025/5/19