本申請涉及顯示面板，特別涉及一種顯示面、制備方法及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、ltps是low-temperature?polycrystalline?silicon的縮寫，是一種高性能的薄膜晶體管技術(shù)，在液晶顯示器(lcd)和有機(jī)發(fā)光二極管(oled)等顯示技術(shù)中廣泛應(yīng)用。ltps技術(shù)具有快速響應(yīng)、低功耗、高分辨率、鮮艷的色彩和減輕眼睛疲勞等優(yōu)點(diǎn)。

2、ltps目前在車載領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，目前的車載產(chǎn)品背光亮度要求高，薄膜晶體管極易在強(qiáng)光影響下出現(xiàn)關(guān)態(tài)漏電流現(xiàn)象，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的畫質(zhì)和可靠性，所以必須在ltps薄膜晶體管器件處增加遮光層，尤其以金屬鉬居多，然而這種方案工藝復(fù)雜，成本較高。

3、因此，提供一種降低生產(chǎn)成本的顯示面板、制備方法及顯示裝置成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請實(shí)施例提供一種顯示面板、制備方法及顯示裝置。

2、本申請實(shí)施例提供一種顯示面板，包括玻璃基板、緩沖層、遮光層、多晶硅層、絕緣層、柵極層、層間絕緣層以及層間絕緣層。玻璃基板具有相對設(shè)置的第一面和第二面；緩沖層設(shè)置在所述第一面；遮光層設(shè)置在所屬緩沖層遠(yuǎn)離所屬玻璃基板的一側(cè)；多晶硅層設(shè)置在所述遮光層遠(yuǎn)離所屬緩沖層的一側(cè)；絕緣層設(shè)置在所屬多晶硅層遠(yuǎn)離所述遮光層的一側(cè)；柵極層設(shè)置在所述絕緣層遠(yuǎn)離所述多晶硅層的一側(cè)；層間絕緣層設(shè)置在所述柵極層遠(yuǎn)離所述絕緣層的一側(cè)；源漏極層穿過所述層間絕緣層與絕緣層與所述多晶硅層連接；其中，所述遮光層包括具有遮光性的金屬氧化物材料。

3、在一些實(shí)施例中，所述遮光層采用的材料為氧化鈦、氧化鋅、氧化鉿其中一種。

4、在一些實(shí)施例中，所述遮光層包括金屬氧化物和氧化物，所述金屬氧化物與所述氧化物層疊設(shè)置，所述金屬氧化物的折射率大于所述氧化物的折射率。

5、在一些實(shí)施例中，所述金屬氧化物和氧化物交替堆疊，所述金屬氧化物為氧化鈦或者氧化鋯，所述氧化物為氧化硅。

6、在一些實(shí)施例中，所述金屬氧化物的厚度為80至100納米，所述氧化物的厚度為30至50納米。

7、在一些實(shí)施例中，所述遮光層中摻雜有納米顆粒，所述納米顆粒為金或銀納米顆粒。

8、在一些實(shí)施例中，所述遮光層與多晶硅層之間設(shè)置有微透鏡陣列層。

9、在一些實(shí)施例中，所述遮光層與所述緩沖層之間設(shè)置過渡層，所述過渡層用于增強(qiáng)遮光層與緩沖層的附著力。

10、本申請實(shí)施例還提供一種顯示面板制備方法，包括：

11、提供一玻璃基板，所述玻璃基板具有相對設(shè)置的第一面和第二面；

12、在所述第一側(cè)設(shè)置緩沖層；

13、在所屬緩沖層遠(yuǎn)離所屬玻璃基板的一側(cè)設(shè)置遮光層，其中，所述遮光層包括具有遮光性的金屬氧化物材料；

14、在所述遮光層遠(yuǎn)離所屬緩沖層的一側(cè)設(shè)置多晶硅層，所述遮光層與所述多晶硅層一起曝光圖案化；

15、在所屬多晶硅層遠(yuǎn)離所述遮光層的一側(cè)設(shè)置絕緣層；

16、在所述絕緣層遠(yuǎn)離所述多晶硅層的一側(cè)設(shè)置柵極層；

17、在所述柵極層遠(yuǎn)離所述絕緣層的一側(cè)設(shè)置層間絕緣層；

18、穿過所述層間絕緣層與絕緣層與所述多晶硅層連接源漏極層。

19、本申請另一種實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括以上實(shí)施例所述的顯示面板。

20、申請實(shí)施例提供一種顯示面板，包括玻璃基板、緩沖層、遮光層、多晶硅層、絕緣層、柵極層、層間絕緣層以及層間絕緣層。玻璃基板具有相對設(shè)置的第一面和第二面；緩沖層設(shè)置在所述第一面；遮光層設(shè)置在所屬緩沖層遠(yuǎn)離所屬玻璃基板的一側(cè)；多晶硅層設(shè)置在所述遮光層遠(yuǎn)離所屬緩沖層的一側(cè)；絕緣層設(shè)置在所屬多晶硅層遠(yuǎn)離所述遮光層的一側(cè)；柵極層設(shè)置在所述絕緣層遠(yuǎn)離所述多晶硅層的一側(cè)；層間絕緣層設(shè)置在所述柵極層遠(yuǎn)離所述絕緣層的一側(cè)；源漏極層穿過所述層間絕緣層與絕緣層與所述多晶硅層連接；其中，所述遮光層包括具有遮光性的金屬氧化物材料。通過使用金屬氧化物材料作為遮光層，簡化了工藝流程，降低了生產(chǎn)成本，同時(shí)提高了器件的穩(wěn)定性和光學(xué)性能，具有簡化工藝流程、降低生產(chǎn)成本、提高器件穩(wěn)定性和光學(xué)性能的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述遮光層采用的材料為氧化鈦、氧化鋅、氧化鉿其中一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述遮光層包括金屬氧化物和氧化物，所述金屬氧化物與所述氧化物層疊設(shè)置，所述金屬氧化物的折射率大于所述氧化物的折射率。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述金屬氧化物和氧化物交替堆疊，所述金屬氧化物為氧化鈦或者氧化鋯，所述氧化物為氧化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述金屬氧化物的厚度為80至100納米，所述氧化物的厚度為30至50納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述遮光層中摻雜有納米顆粒，所述納米顆粒為金或銀納米顆粒。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述遮光層與多晶硅層之間設(shè)置有微透鏡陣列層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述遮光層與所述緩沖層之間設(shè)置過渡層，所述過渡層用于增強(qiáng)遮光層與緩沖層的附著力。

9.一種顯示面板制備方法，其特征在于，包括：

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的顯示面板。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N顯示面板，包括玻璃基板、緩沖層、遮光層、多晶硅層、絕緣層、柵極層、層間絕緣層以及層間絕緣層。玻璃基板具有相對設(shè)置的第一面和第二面；緩沖層設(shè)置在所述第一面；遮光層設(shè)置在所屬緩沖層遠(yuǎn)離所屬玻璃基板的一側(cè)；多晶硅層設(shè)置在所述遮光層遠(yuǎn)離所屬緩沖層的一側(cè)；絕緣層設(shè)置在所屬多晶硅層遠(yuǎn)離所述遮光層的一側(cè)；柵極層設(shè)置在所述絕緣層遠(yuǎn)離所述多晶硅層的一側(cè)；層間絕緣層設(shè)置在所述柵極層遠(yuǎn)離所述絕緣層的一側(cè)；源漏極層穿過所述層間絕緣層與絕緣層與所述多晶硅層連接；其中，所述遮光層包括具有遮光性的金屬氧化物材料。通過使用金屬氧化物材料作為遮光層，簡化了工藝流程，降低了生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：孫海濤,宋國慶,劉福知
受保護(hù)的技術(shù)使用者：信利（仁壽）高端顯示科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15