本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，紅外探測(cè)器向著小型化發(fā)展，紅外探測(cè)器中相鄰的像元之間的間距也越來越小，經(jīng)歷了30微米、20微米、15微米、12微米、10微米、7.5微米和5微米。隨著相鄰的像元之間的間距變小，紅外探測(cè)器中互聯(lián)電極柱的尺寸也會(huì)隨之變小，當(dāng)相鄰的像元之間的間距小于10微米時(shí)，受紅外探測(cè)器中各芯片的表面空間所限，互聯(lián)電極柱的底面積明顯減小，此時(shí)，為了達(dá)到各芯片的互聯(lián)效果，互聯(lián)電極柱必須達(dá)到一定的高度，因此需要制備一個(gè)又細(xì)又高的互聯(lián)電極柱。

2、但是，由于互聯(lián)電極柱通常采用的材料為銦，銦是一種柔軟的金屬，當(dāng)互聯(lián)電極柱變得又細(xì)又高時(shí)，互聯(lián)電極柱的機(jī)械強(qiáng)度會(huì)變差，導(dǎo)致進(jìn)行工藝過程中部分互聯(lián)電極柱會(huì)發(fā)生斷裂，影響后續(xù)互聯(lián)工藝的可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明目的在于至少提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，至少可以解決半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在進(jìn)行互聯(lián)工藝時(shí)可靠性差的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：提供芯片；在芯片的表面形成暴露出芯片的待互聯(lián)位置的光刻膠層；以光刻膠層為掩膜，在芯片的待互聯(lián)位置形成打底層，打底層覆蓋待互聯(lián)位置及其臨接的光刻膠層的側(cè)壁呈凹槽狀；在打底層的凹槽上形成互聯(lián)電極柱，互聯(lián)電極柱的至少部分結(jié)構(gòu)位于凹槽內(nèi)；去除光刻膠層。

3、本發(fā)明提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，由于打底層覆蓋待互聯(lián)位置及其臨接的光刻膠層的側(cè)壁呈凹槽狀，在打底層的凹槽上形成互聯(lián)電極柱之后，互聯(lián)電極柱的至少部分結(jié)構(gòu)位于凹槽內(nèi)；去除光刻膠層的過程中，凹槽的側(cè)壁對(duì)互聯(lián)電極柱的至少部分結(jié)構(gòu)起到加固保護(hù)作用，能夠更好的分散光刻膠層對(duì)互聯(lián)電極柱的牽引力，從而避免互聯(lián)電極柱發(fā)生斷裂或傾斜，提高互聯(lián)電極柱高度的均勻性，進(jìn)而提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在進(jìn)行互聯(lián)工藝時(shí)的可靠性。

4、另外，在芯片的待互聯(lián)位置形成打底層的工藝包括磁控濺射工藝；其中，形成打底層的步驟包括：采用旋轉(zhuǎn)件帶動(dòng)芯片和光刻膠層共同圍繞芯片的中心軸周向旋轉(zhuǎn)；同時(shí)，金屬粒子朝向待互聯(lián)位置及其臨接的光刻膠層的側(cè)壁方向進(jìn)行濺射。金屬粒子能夠均勻地濺射至待互聯(lián)位置及其臨接的光刻膠層的側(cè)壁，使得形成的打底層的厚度更加均勻。

5、另外，金屬粒子朝向待互聯(lián)位置及其臨接的光刻膠層的側(cè)壁方向進(jìn)行濺射，包括：將金屬粒子從面向芯片的待互聯(lián)位置的一側(cè)，以偏離中心軸且第一偏離角的大小為小于90度的方向朝向待互聯(lián)位置和光刻膠層的側(cè)壁共同進(jìn)行濺射。保證金屬粒子既可以附著在芯片的待互聯(lián)位置，也可以附著在光刻膠層的側(cè)壁，使得打底層覆蓋待互聯(lián)位置及其臨接的光刻膠層的側(cè)壁呈凹槽狀。

6、另外，在光刻膠層暴露出芯片的待互聯(lián)位置的開口的深度與寬度的比值為2的情況下，第一偏離角的大小為8度～14度。能夠同時(shí)兼顧避免互聯(lián)電極柱發(fā)生斷裂或傾斜和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在進(jìn)行互聯(lián)工藝時(shí)的可靠性高的需求。

7、另外，在芯片的待互聯(lián)位置形成打底層的過程中，在光刻膠層的背離芯片的一側(cè)表面形成打底層，且光刻膠層表面的打底層與光刻膠層側(cè)壁的打底層存在連接；在打底層的凹槽上形成互聯(lián)電極柱之前，還包括：去除連接處的打底層。避免在后續(xù)去除光刻膠層的過程中光刻膠層側(cè)壁的打底層受到光刻膠層表面的打底層的拉扯，避免凹槽狀的打底層的側(cè)壁產(chǎn)生變形和破裂，進(jìn)一步增強(qiáng)凹槽的側(cè)壁對(duì)后續(xù)形成互聯(lián)電極柱的至少部分結(jié)構(gòu)起到加固保護(hù)作用；其次，去除連接處的打底層更方便后續(xù)采用剝離工藝去除光刻膠層。

8、另外，去除連接處的打底層的工藝包括離子束刻蝕工藝；其中，去除連接處的打底層的步驟包括：采用旋轉(zhuǎn)件帶動(dòng)芯片、光刻膠層和打底層共同圍繞芯片的中心軸周向旋轉(zhuǎn)；同時(shí)，離子源發(fā)射并控制離子束朝向連接處的打底層進(jìn)行照射。離子束能夠均勻地照射至連接處的打底層對(duì)連接處的打底層進(jìn)行刻蝕處理，提高刻蝕工藝的精度。

9、另外，離子源發(fā)射并控制離子束朝向連接處的打底層進(jìn)行照射，包括：將離子束從面向芯片的待互聯(lián)位置的一側(cè)，以偏離中心軸且第二偏離角的大小為小于90度的方向朝向連接處的打底層進(jìn)行照射。能夠增加離子束照射至連接處的打底層的幾率，對(duì)連接處的打底層的刻蝕效果增強(qiáng)，避免在后續(xù)去除光刻膠層的過程中光刻膠層側(cè)壁的打底層受到光刻膠層表面的打底層300拉扯的作用增強(qiáng)。

10、另外，在光刻膠層暴露出芯片的待互聯(lián)位置的開口的深度與寬度的比值為2的情況下，第二偏離角的大小為40度～50度。能夠兼顧去除連接處的打底層的作用好和凹槽的側(cè)壁對(duì)后續(xù)形成的互聯(lián)電極柱的至少部分結(jié)構(gòu)起到加固保護(hù)作用的效果好的需求。

11、另外，還包括：在芯片的待互聯(lián)位置形成打底層之前，在芯片背離光刻膠層的一側(cè)設(shè)置托盤；采用旋轉(zhuǎn)件帶動(dòng)所述芯片和所述光刻膠層共同圍繞所述芯片的中心軸周向旋轉(zhuǎn)的步驟中，所述旋轉(zhuǎn)件與所述托盤連接，所述旋轉(zhuǎn)件帶動(dòng)所述托盤、所述芯片和所述光刻膠層共同圍繞所述芯片的中心軸周向旋轉(zhuǎn)。在芯片背離光刻膠層的一側(cè)設(shè)置托盤，讓旋轉(zhuǎn)件與托盤連接能夠避免旋轉(zhuǎn)件直接與芯片接觸，進(jìn)而避免在旋轉(zhuǎn)過程中造成芯片表面的損傷。

12、本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：芯片；打底層，位于芯片的待互聯(lián)位置；打底層覆蓋待互聯(lián)位置且呈凹槽狀；互聯(lián)電極柱，位于打底層的凹槽上，且互聯(lián)電極柱的至少部分結(jié)構(gòu)位于凹槽內(nèi)。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，凹槽的側(cè)壁對(duì)互聯(lián)電極柱的至少部分結(jié)構(gòu)起到加固保護(hù)作用，避免互聯(lián)電極柱發(fā)生斷裂或傾斜，提高互聯(lián)電極柱高度的均勻性，進(jìn)而提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在進(jìn)行互聯(lián)工藝時(shí)的可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述芯片的待互聯(lián)位置形成打底層的工藝包括磁控濺射工藝；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述金屬粒子朝向所述待互聯(lián)位置及其臨接的所述光刻膠層的側(cè)壁方向進(jìn)行濺射，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述光刻膠層暴露出所述芯片的待互聯(lián)位置的開口的深度與寬度的比值為2的情況下，所述第一偏離角的大小為8度～14度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述芯片的待互聯(lián)位置形成打底層的過程中，在所述光刻膠層的背離所述芯片的一側(cè)表面形成所述打底層，且所述光刻膠層表面的打底層與所述光刻膠層側(cè)壁的打底層存在連接；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，去除所述連接處的所述打底層的工藝包括離子束刻蝕工藝；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述離子源發(fā)射并控制離子束朝向所述連接處的所述打底層進(jìn)行照射，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述光刻膠層暴露出所述芯片的待互聯(lián)位置的開口的深度與寬度的比值為2的情況下，所述第二偏離角的大小為40度～50度。

9.根據(jù)權(quán)利要求2或6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，還包括：在所述芯片的待互聯(lián)位置形成打底層之前，在所述芯片背離所述光刻膠層的一側(cè)設(shè)置托盤；

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供芯片；在芯片的表面形成暴露出芯片的待互聯(lián)位置的光刻膠層；以光刻膠層為掩膜，在芯片的待互聯(lián)位置形成打底層，打底層覆蓋待互聯(lián)位置及其臨接的光刻膠層的側(cè)壁呈凹槽狀；在打底層的凹槽上形成互聯(lián)電極柱，互聯(lián)電極柱的至少部分結(jié)構(gòu)位于凹槽內(nèi)；去除光刻膠層。凹槽的側(cè)壁對(duì)互聯(lián)電極柱的至少部分結(jié)構(gòu)起到加固保護(hù)作用，能夠更好的分散光刻膠層對(duì)互聯(lián)電極柱的牽引力，從而避免互聯(lián)電極柱發(fā)生斷裂或傾斜，提高互聯(lián)電極柱高度的均勻性，進(jìn)而提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在進(jìn)行互聯(lián)工藝時(shí)的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：請(qǐng)求不公布姓名
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京智創(chuàng)芯源科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15