本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件，且特別是有關(guān)于一種發(fā)光元件。

背景技術(shù)：

1、發(fā)光二極管顯示面板包括主動(dòng)元件基板及被轉(zhuǎn)置于主動(dòng)元件基板上的多個(gè)發(fā)光二極管元件。繼承發(fā)光二極管的特性，發(fā)光二極管顯示面板具有省電、高效率、高亮度及反應(yīng)時(shí)間快等優(yōu)點(diǎn)。此外，相較于有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，發(fā)光二極管顯示面板還具有色彩易調(diào)校、發(fā)光壽命長(zhǎng)、無(wú)影像烙印等優(yōu)勢(shì)。因此，發(fā)光二極管顯示面板被視為下一世代的顯示技術(shù)。發(fā)光二極管元件包括垂直式發(fā)光二極管元件。一般而言，垂直式發(fā)光二極管元件的上電極為不透光的金屬，且設(shè)置于垂直式發(fā)光二極管元件的正中央，不利于正向出光。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種發(fā)光元件，性能佳。

2、本發(fā)明的發(fā)光元件包括第一型半導(dǎo)體層、第二型半導(dǎo)體層、主動(dòng)層、本征半導(dǎo)體層、第一電極及第二電極；第二型半導(dǎo)體層設(shè)置于第一型半導(dǎo)體層的對(duì)向；主動(dòng)層設(shè)置于第一型半導(dǎo)體層與第二型半導(dǎo)體層之間；本征半導(dǎo)體層具有多個(gè)微結(jié)構(gòu)，第二型半導(dǎo)體層設(shè)置于本征半導(dǎo)體層與主動(dòng)層之間；第一電極及第二電極分別設(shè)置于主動(dòng)層的相對(duì)兩側(cè)，且分別電性連接至第一型半導(dǎo)體層及第二型半導(dǎo)體層。本征半導(dǎo)體層具有貫孔，第二型半導(dǎo)體層具有凹陷，本征半導(dǎo)體層的貫孔與第二型半導(dǎo)體層的凹陷相連通，第二電極設(shè)置于本征半導(dǎo)體層的貫孔及第二型半導(dǎo)體層的凹陷中。

3、在本發(fā)明的發(fā)光元件的一實(shí)施例中，該第二電極具有一第一部分及連接于該第一部分的一第二部分，該第二電極的該第一部分設(shè)置于該本征半導(dǎo)體層的該貫孔及該第二型半導(dǎo)體層的該凹陷中，該第二電極的該第二部分位于該本征半導(dǎo)體層的該貫孔及該第二型半導(dǎo)體層的該凹陷外且設(shè)置于該本征半導(dǎo)體層的該多個(gè)微結(jié)構(gòu)上，且該第一電極透光。

4、在本發(fā)明的發(fā)光元件的一實(shí)施例中，一第一方向及一第二方向相交錯(cuò)且實(shí)質(zhì)上平行于該主動(dòng)層，該本征半導(dǎo)體層的該貫孔在該第一方向及該第二方向上分別具有一第一邊長(zhǎng)及一第二邊長(zhǎng)，且該第一邊長(zhǎng)小于該第二邊長(zhǎng)。

5、在本發(fā)明的發(fā)光元件的一實(shí)施例中，一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括該第一型半導(dǎo)體層、該第二型半導(dǎo)體層及該主動(dòng)層，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有在該第一方向上排列的多個(gè)第一側(cè)壁及在該第二方向上排列的多個(gè)第二側(cè)壁，該發(fā)光元件更包括：

6、一反射結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該些第二側(cè)壁上，且未設(shè)置于該些第一側(cè)壁上。

7、在本發(fā)明的發(fā)光元件的一實(shí)施例中，一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括該第一型半導(dǎo)體層、該第二型半導(dǎo)體層及該主動(dòng)層，且該本征半導(dǎo)體層的該貫孔偏離該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一幾何中心。

8、在本發(fā)明的發(fā)光元件的一實(shí)施例中，該第二電極的材質(zhì)為一金屬。

9、在本發(fā)明的發(fā)光元件的一實(shí)施例中，該第二電極呈錐形。

10、在本發(fā)明的發(fā)光元件的一實(shí)施例中，該本征半導(dǎo)體層具有一厚度，該厚度為t，該凹陷及該貫孔的一深度和為d，且d落在t+0.2μm至t+1.5μm的范圍。

11、在本發(fā)明的發(fā)光元件的一實(shí)施例中，定義該貫孔的該本征半導(dǎo)體層的一側(cè)壁與定義該凹陷的該第二型半導(dǎo)體層的一側(cè)壁實(shí)質(zhì)上切齊。

12、在本發(fā)明的發(fā)光元件的一實(shí)施例中，在該發(fā)光元件的俯視圖中，該本征半導(dǎo)體層的該貫孔與該第二型半導(dǎo)體層的該凹陷實(shí)質(zhì)上重合。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光元件，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，該第二電極具有一第一部分及連接于該第一部分的一第二部分，該第二電極的該第一部分設(shè)置于該本征半導(dǎo)體層的該貫孔及該第二型半導(dǎo)體層的該凹陷中，該第二電極的該第二部分位于該本征半導(dǎo)體層的該貫孔及該第二型半導(dǎo)體層的該凹陷外且設(shè)置于該本征半導(dǎo)體層的該多個(gè)微結(jié)構(gòu)上，且該第一電極透光。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，一第一方向及一第二方向相交錯(cuò)且實(shí)質(zhì)上平行于該主動(dòng)層，該本征半導(dǎo)體層的該貫孔在該第一方向及該第二方向上分別具有一第一邊長(zhǎng)及一第二邊長(zhǎng)，且該第一邊長(zhǎng)小于該第二邊長(zhǎng)。

4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件，其特征在于，一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括該第一型半導(dǎo)體層、該第二型半導(dǎo)體層及該主動(dòng)層，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有在該第一方向上排列的多個(gè)第一側(cè)壁及在該第二方向上排列的多個(gè)第二側(cè)壁，該發(fā)光元件更包括：

5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件，其特征在于，一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括該第一型半導(dǎo)體層、該第二型半導(dǎo)體層及該主動(dòng)層，且該本征半導(dǎo)體層的該貫孔偏離該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一幾何中心。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，該第二電極的材質(zhì)為一金屬。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，該第二電極呈錐形。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，該本征半導(dǎo)體層具有一厚度，該厚度為t，該凹陷及該貫孔的一深度和為d，且d落在t+0.2μm至t+1.5μm的范圍。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，定義該貫孔的該本征半導(dǎo)體層的一側(cè)壁與定義該凹陷的該第二型半導(dǎo)體層的一側(cè)壁實(shí)質(zhì)上切齊。

10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，在該發(fā)光元件的俯視圖中，該本征半導(dǎo)體層的該貫孔與該第二型半導(dǎo)體層的該凹陷實(shí)質(zhì)上重合。

技術(shù)總結(jié)
一種發(fā)光元件包括第一型半導(dǎo)體層、第二型半導(dǎo)體層、主動(dòng)層、本征半導(dǎo)體層、第一電極及第二電極；第二型半導(dǎo)體層設(shè)置于第一型半導(dǎo)體層的對(duì)向；主動(dòng)層設(shè)置于第一型半導(dǎo)體層與第二型半導(dǎo)體層之間；本征半導(dǎo)體層具有多個(gè)微結(jié)構(gòu)，第二型半導(dǎo)體層設(shè)置于本征半導(dǎo)體層與主動(dòng)層之間；第一電極及第二電極分別設(shè)置于主動(dòng)層的相對(duì)兩側(cè)，第二電極設(shè)置于本征半導(dǎo)體層的貫孔及第二型半導(dǎo)體層的凹陷中。

技術(shù)研發(fā)人員：黃宇薪,李佳安,陳奕宏,陳映羽,楊文瑋,林冠亨
受保護(hù)的技術(shù)使用者：友達(dá)光電股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15