本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種ldmos器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、橫向場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ldmos，lateral?diffused?medal?oxide?semiconductor)其由于更容易與cmos工藝兼容而被廣泛用作功率mos管。

2、隨著對(duì)ldmos器件性能要求的提高，需要ldmos器件具有較高的耐壓性能以及較低的導(dǎo)通電阻。

3、為了提高ldmos器件的耐壓性能，一種現(xiàn)有的方式是降低ldmos器件內(nèi)部漂移區(qū)的濃度，這種方式存在增大ldmos器件的導(dǎo)通電阻的問題，另一種方式是增大ldmos器件的寬度來(lái)增大ldmos器件的n型漂移區(qū)，這種做法會(huì)導(dǎo)致ldmos器件的面積增大，不利于集成。

4、因此，解決現(xiàn)有的ldmos器件雖然提高了耐壓性能，但是，導(dǎo)致ldmos器件的導(dǎo)通電阻較高、集成度較低的技術(shù)問題，已成為急需解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種ldmos器件及其制備方法，旨在提高ldmos的耐壓性能的同時(shí)，使ldmos還兼顧較低的導(dǎo)通電阻和較好的集成度。

2、根據(jù)本發(fā)明的第一方面，本發(fā)明提供了一種ldmos器件，包括：襯底，以及位于所述襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)；

3、所述襯底內(nèi)包括源區(qū)、漏區(qū)、漂移區(qū)，所述源區(qū)和所述漂移區(qū)分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)，所述漂移區(qū)還延伸至部分所述柵極結(jié)構(gòu)下方，所述漏區(qū)位于所述漂移區(qū)內(nèi)；所述漂移區(qū)內(nèi)具有第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)位于所述漏區(qū)和所述源區(qū)之間，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)在垂直于襯底表面的方向上依次間隔排布，所述第一摻雜區(qū)的上表面與所述襯底的表面的第一間距小于所述第二摻雜區(qū)的上表面與所述襯底的表面的第二間距，所述第一摻雜區(qū)的厚度小于所述第二摻雜區(qū)的厚度，所述第一摻雜區(qū)的第一離子摻雜濃度大于所述第二摻雜區(qū)的第二離子摻雜濃度。

4、可選的，所述漂移區(qū)的厚度與所述第一間距的比值范圍為11.0～11.4；

5、所述第二間距與所述第一間距的比值范圍為4.0～4.4。

6、可選的，所述漂移區(qū)的厚度與所述第一摻雜區(qū)的厚度的比值范圍為11.0～11.4；

7、所述第二摻雜區(qū)的厚度與所述第一摻雜區(qū)的厚度的比值范圍為1.9～2.1。

8、可選的，所述第一離子摻雜濃度與所述第二離子摻雜濃度的比值范圍為1.9～2.1。

9、可選的，沿所述源區(qū)向所述漏區(qū)的方向，所述第一摻雜區(qū)具有第一長(zhǎng)度，所述漂移區(qū)具有第二長(zhǎng)度，所述第二長(zhǎng)度與所述第一長(zhǎng)度的比值范圍為1.4～1.6。

10、可選的，還包括：場(chǎng)氧化層，所述場(chǎng)氧化層位于所述漂移區(qū)上方的所述柵極結(jié)構(gòu)和所述漏區(qū)之間。

11、可選的，所述第二摻雜區(qū)的數(shù)量為1個(gè)。

12、可選的，所述第二摻雜區(qū)的數(shù)量在2個(gè)以上，并且，2個(gè)以上所述第二摻雜區(qū)在垂直于襯底表面的方向上依次間隔排布。

13、可選的，所述ldmos器件為n溝道ldmos器件，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)的摻雜離子均為p型摻雜離子。

14、根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種ldmos器件的制備方法，所述方法包括：

15、提供一襯底，并在所述襯底內(nèi)形成漂移區(qū)；

16、在所述漂移區(qū)內(nèi)形成垂直于襯底表面的方向上依次間隔排布的第一摻雜區(qū)以及第二摻雜區(qū)；其中，所述第一摻雜區(qū)的上表面與所述襯底的表面的第一間距小于所述第二摻雜區(qū)的上表面與所述襯底的表面的第二間距，所述第一摻雜區(qū)的厚度小于所述第二摻雜區(qū)的厚度，所述第一摻雜區(qū)的第一離子摻雜濃度大于所述第二摻雜區(qū)的第二離子摻雜濃度；

17、在所述襯底內(nèi)形成源區(qū)以及漏區(qū)，所述漏區(qū)位于所述漂移區(qū)內(nèi)，所述源區(qū)以及所述漏區(qū)位于所述第一摻雜區(qū)兩側(cè)；以及

18、在所述襯底的表面形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述源區(qū)以及漏區(qū)之間。

19、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下有益效果：

20、本發(fā)明提供了一種ldmos器件及其制備方法，由于漂移區(qū)內(nèi)的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，分別與漂移區(qū)形成第一耗盡區(qū)與第二耗盡區(qū)，提升了ldmos器件的耐壓性能。在此基礎(chǔ)上，通過(guò)第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)在垂直于襯底表面的方向上依次間隔排布，第一摻雜區(qū)與襯底的表面的第一間距小于第二摻雜區(qū)與襯底的表面的第二間距，第一摻雜區(qū)的第一離子摻雜濃度大于第二摻雜區(qū)的第二離子摻雜濃度，第一摻雜區(qū)的厚度小于第二摻雜區(qū)的厚度等，合理的設(shè)置摻雜區(qū)的位置以及其離子摻雜濃度，使第一耗盡區(qū)與第二耗盡區(qū)遠(yuǎn)離溝道，留出了電流通道，并增大ldmos器件的第一耗盡區(qū)和第二耗盡區(qū)的總面積，實(shí)現(xiàn)了提高ldmos器件的耐壓性能的同時(shí)，使ldmos器件還兼顧較低的導(dǎo)通電阻和較好的集成度。

技術(shù)特征：

1.一種ldmos器件，其特征在于，包括：襯底，以及位于所述襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)；

2.如權(quán)利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，所述漂移區(qū)的厚度與所述第一間距的比值范圍為11.0～11.4；

3.如權(quán)利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，所述漂移區(qū)的厚度與所述第一摻雜區(qū)的厚度的比值范圍為11.0～11.4；

4.如權(quán)利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，所述第一離子摻雜濃度與所述第二離子摻雜濃度的比值范圍為1.9～2.1。

5.如權(quán)利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，沿所述源區(qū)向所述漏區(qū)的方向，所述第一摻雜區(qū)具有第一長(zhǎng)度，所述漂移區(qū)具有第二長(zhǎng)度，所述第二長(zhǎng)度與所述第一長(zhǎng)度的比值范圍為1.4～1.6。

6.如權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的ldmos器件，其特征在于，還包括：場(chǎng)氧化層，所述場(chǎng)氧化層位于所述漂移區(qū)上方的所述柵極結(jié)構(gòu)和所述漏區(qū)之間。

7.如權(quán)利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，所述第二摻雜區(qū)的數(shù)量為1個(gè)。

8.如權(quán)利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，所述第二摻雜區(qū)的數(shù)量在2個(gè)以上，并且，2個(gè)以上所述第二摻雜區(qū)在垂直于襯底表面的方向上依次間隔排布。

9.如權(quán)利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，所述ldmos器件為n溝道ldmos器件，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)的摻雜離子均為p型摻雜離子。

10.一種ldmos器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種LDMOS器件及其制備方法，由于漂移區(qū)內(nèi)的第一摻雜區(qū)與第二摻雜區(qū)，分別與漂移區(qū)形成第一耗盡區(qū)與第二耗盡區(qū)，提升了LDMOS器件的耐壓性能。在此基礎(chǔ)上，通過(guò)第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)在垂直于襯底表面的方向上依次間隔排布，第一摻雜區(qū)與襯底的表面的第一間距小于第二摻雜區(qū)與襯底的表面的第二間距，第一摻雜區(qū)的第一離子摻雜濃度大于第二摻雜區(qū)的第二離子摻雜濃度，第一摻雜區(qū)的厚度小于第二摻雜區(qū)的厚度等，合理的設(shè)置摻雜區(qū)的位置以及其離子摻雜濃度，使第一耗盡區(qū)與第二耗盡區(qū)遠(yuǎn)離溝道，留出了電流通道，并增大LDMOS器件的第一耗盡區(qū)和第二耗盡區(qū)的總面積，實(shí)現(xiàn)了提高LDMOS器件的耐壓性能的同時(shí)，使LDMOS器件兼顧較低的導(dǎo)通電阻和較好的集成度。

技術(shù)研發(fā)人員：鐘方尚
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣州增芯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15