晶圓切割用保護(hù)膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體切割技術(shù)領(lǐng)域，具體是說，是涉及一種晶圓切割用保護(hù)膜。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在晶圓等半導(dǎo)體切割領(lǐng)域通常的方法是采用高粘保護(hù)膜，于加熱的條件下覆于晶圓表面，切割后再冷凍取下晶片，最后對(duì)晶片進(jìn)行清洗。但是在切割過成功中，由于局部溫度比較高，常常造成保護(hù)膜的膠粘層脫落在晶片表面，需要大量的溶劑去清洗，而有些溶劑會(huì)對(duì)晶片帶來損傷，并且?guī)憝h(huán)境的污染。
[0003]上述缺陷，值得解決。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服現(xiàn)有的技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種晶圓切割用保護(hù)膜。
[0005]本實(shí)用新型技術(shù)方案如下所述:
[0006]晶圓切割用保護(hù)膜，其特征在于，包括設(shè)于晶圓上下兩側(cè)的高分子膜，位于所述晶圓下方的所述高分子膜的下方設(shè)有高粘膜。
[0007]進(jìn)一步的，所述高粘膜的寬度大于所述晶圓和所述高分子膜。
[0008]進(jìn)一步的，所述高分子膜通過噴涂和浸漬的方式覆于所述晶圓的上下兩側(cè)。
[0009]進(jìn)一步的，所述高分子膜為聚乙烯醇縮丁醛。
[0010]更進(jìn)一步的，所述聚乙烯醇縮丁醛采用的是部分水解后的聚乙烯醇進(jìn)行縮丁醛化處理。
[0011]更進(jìn)一步的，所述聚乙烯醇的水解率為40%-88%。
[0012]更進(jìn)一步的，所述聚乙烯醇的縮醛率為15%_40%。
[0013]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)用新型，其有益效果在于，本實(shí)用新型采用噴涂或者浸漬的方式涂覆在晶圓層表面，可以使得高粘膜不與晶圓直接接觸，切割后取下的晶片表面的污染物是粘附在高分子膜的表面，容易清除，避免了有機(jī)溶劑的大量使用，方便易于操作，節(jié)約了成本，減少了對(duì)環(huán)境的危害。
【附圖說明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]在圖中，1、尚分子I旲；2、晶圓；3、尚粘I旲；。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖以及實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步的描述:
[0017]如圖1所示，一種晶圓切割用保護(hù)膜，包括設(shè)于晶圓2上下兩側(cè)的高分子膜1，位于晶圓2下方的高分子膜1的下方設(shè)有高粘膜3，其中，高分子膜1通過噴涂和浸漬的方式覆于晶圓2的上下兩側(cè)。
[0018]優(yōu)選的，高粘膜3的寬度大于晶圓2和高分子膜1。
[0019]在本實(shí)用新型中，高分子膜1為部分水解的聚乙烯醇進(jìn)行縮丁醛化處理，形成聚乙烯醇縮丁醛，并配置成水溶液。優(yōu)選的，聚乙烯醇的水解率為40%-88%，縮醛率為15%-40%，其濃度為 6%-20%。
[0020]在晶圓2表面形成了高分子膜1，固定用的高粘膜3不與晶圓2直接接觸，切割過程中脫落的保護(hù)膜膠粘劑都粘附在高分子膜1表面，取下晶片后用純凈水在超聲清洗機(jī)中很容易的將污染物清除。避免了有機(jī)溶劑的大量使用，方便易于操作，節(jié)約了成本，減少了對(duì)環(huán)境的危害。
[0021]應(yīng)當(dāng)理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
[0022]上面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型專利進(jìn)行了示例性的描述，顯然本實(shí)用新型專利的實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本實(shí)用新型專利的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本實(shí)用新型專利的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場(chǎng)合的，均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.晶圓切割用保護(hù)膜，其特征在于，包括設(shè)于晶圓上下兩側(cè)的高分子膜，位于所述晶圓下方的所述高分子膜的下方設(shè)有高粘膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓切割用保護(hù)膜，其特征在于，所述高粘膜的寬度大于所述晶圓和所述高分子膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓切割用保護(hù)膜，其特征在于，所述高分子膜通過噴涂和浸漬的方式覆于所述晶圓的上下兩側(cè)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓切割用保護(hù)膜，其特征在于，所述高分子膜為聚乙烯醇縮丁醛。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓切割用保護(hù)膜，其特征在于，所述聚乙烯醇縮丁醛采用的是部分水解后的聚乙烯醇進(jìn)行縮丁醛化處理。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓切割用保護(hù)膜，其特征在于，所述聚乙烯醇的水解率為40%-88%。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓切割用保護(hù)膜，其特征在于，所述聚乙烯醇的縮醛率為15%-40%o
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種晶圓切割用保護(hù)膜，包括設(shè)于晶圓上下兩側(cè)的高分子膜，位于晶圓下方的高分子膜的下方設(shè)有高粘膜。本實(shí)用新型采用噴涂或者浸漬的方式涂覆在晶圓層表面，可以使得高粘膜不與晶圓直接接觸，切割后取下的晶片表面的污染物是粘附在高分子膜的表面，容易清除，避免了有機(jī)溶劑的大量使用，方便易于操作，節(jié)約了成本，減少了對(duì)環(huán)境的危害。
【IPC分類】B32B27/06
【公開號(hào)】CN205086431
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520792148
【發(fā)明人】陳來來, 葛敬銀, 余沖沖, 葉智, 葉勇
【申請(qǐng)人】深圳市豐兆新材料股份有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請(qǐng)日】2015年10月15日