本發(fā)明的示例性實(shí)施方式一般地涉及顯示裝置，并且更具體地涉及具有能夠補(bǔ)償滯后的像素結(jié)構(gòu)的顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、諸如有機(jī)發(fā)光顯示裝置或液晶顯示裝置等顯示裝置包括陣列基底，所述陣列基底包括薄膜晶體管(tft)、電容器以及多個(gè)布線。陣列基底由諸如tft、電容器以及布線的精細(xì)圖案形成，并且顯示裝置通過tft、電容器以及布線之間的復(fù)雜連接而工作。

2、近來，隨著對小型且高分辨率顯示裝置的需求增加，對包括在這樣的顯示裝置中的tft、電容器以及布線的高效空間布置、連接結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)方法以及所實(shí)現(xiàn)的圖像的質(zhì)量的改善的需求越來越多。

3、在本背景技術(shù)部分中公開的以上信息僅用于對發(fā)明構(gòu)思的背景的理解，因此，以上信息可以包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、申請人發(fā)現(xiàn)小型且高分辨率顯示裝置中的諸如顏色拖尾的亮度問題可能由滯后導(dǎo)致。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式構(gòu)造的顯示裝置能夠通過補(bǔ)償滯后來減小或防止顏色拖尾現(xiàn)象。例如，在顯示裝置的像素驅(qū)動(dòng)電路中的補(bǔ)償電容器可以通過穩(wěn)壓來補(bǔ)償滯后。

2、更具體地，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式構(gòu)造的顯示裝置可以包括補(bǔ)償電容器使得可以增加所述驅(qū)動(dòng)晶體管的導(dǎo)通偏置電壓，所述補(bǔ)償電容器具有作為驅(qū)動(dòng)晶體管的源區(qū)或漏區(qū)的至少一部分的第一電極和連接到接收第一電源電壓的電源線的第二電極?？梢酝ㄟ^進(jìn)一步提供一對并聯(lián)連接的補(bǔ)償電容器來進(jìn)一步增加所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述導(dǎo)通偏置電壓。

3、此外，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式構(gòu)造的顯示裝置可以通過經(jīng)由控制所述補(bǔ)償電容器的對電極的面積(寬度)而進(jìn)行的電容容量控制來區(qū)分用于每個(gè)彩色像素的所述導(dǎo)通偏置電壓。因此，可以為每個(gè)彩色像素控制所述導(dǎo)通偏置電壓以調(diào)節(jié)每個(gè)彩色像素的發(fā)光量和發(fā)光時(shí)間點(diǎn)。因此，根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示裝置可以減小彩色像素之間的發(fā)光延遲的偏差，從而改善顏色拖尾和/或色模糊。

4、附加方面將在隨后的描述中被部分地闡述，并且將部分地從描述中顯現(xiàn)出來，或者可以通過對所提供的示例性實(shí)施例的實(shí)踐而習(xí)得。

5、根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例，顯示裝置包括：第一電極層；半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)以及溝道區(qū)，其中，所述源區(qū)或所述漏區(qū)的至少一部分與所述第一電極層重疊；第二電極層，所述第二電極層與所述溝道區(qū)相鄰；第三電極層，所述第三電極層與所述第二電極層以及所述源區(qū)或所述漏區(qū)的至少一部分重疊；以及電源線，所述電源線電連接到所述第一電極層和所述第三電極層。

6、所述第一電極層可以與所述溝道區(qū)重疊。

7、所述第一電極層可以設(shè)置在所述半導(dǎo)體層的下層上，并且所述第三電極層可以設(shè)置在所述半導(dǎo)體層的上層上。

8、所述電源線可以接收基本上恒定的電壓。

9、所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)可以是彎曲的。

10、所述顯示裝置還可以包括：第一絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)置在所述第一電極層和所述半導(dǎo)體層之間；第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置在所述半導(dǎo)體層和所述第二電極層之間；第三絕緣層，所述第三絕緣層設(shè)置在所述第二電極層和所述第三電極層之間；以及第四絕緣層，所述第四絕緣層設(shè)置在所述第三電極層和所述電源線之間。

11、根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例，顯示裝置包括：第一驅(qū)動(dòng)晶體管，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管在基底的第一像素區(qū)中并且具有第一半導(dǎo)體層和第一柵電極，其中，所述第一半導(dǎo)體層包括第一源區(qū)、第一漏區(qū)以及第一溝道區(qū)；第二驅(qū)動(dòng)晶體管，所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管在所述基底的與所述第一像素區(qū)相鄰的第二像素區(qū)中并且具有第二半導(dǎo)體層和第二柵電極，其中，所述第二半導(dǎo)體層包括第二源區(qū)、第二漏區(qū)以及第二溝道區(qū)；第一電極層，所述第一電極層面對所述第一源區(qū)或所述第一漏區(qū)的至少一部分；第二電極層，所述第二電極層面對所述第一柵電極以及所述第一源區(qū)或所述第一漏區(qū)的至少一部分；第三電極層，所述第三電極層面對所述第二源區(qū)或所述第二漏區(qū)的至少一部分；第四電極層，所述第四電極層面對所述第二柵電極以及所述第二源區(qū)或所述第二漏區(qū)的至少一部分；以及電源線，所述電源線電連接到所述第一電極層、所述第二電極層、所述第三電極層以及所述第四電極層。

12、所述第三電極層的與所述第二源區(qū)或所述第二漏區(qū)重疊的面積可以大于所述第一電極層的與所述第一源區(qū)或所述第一漏區(qū)重疊的面積。

13、所述第二源區(qū)或所述第二漏區(qū)的與所述第三電極層重疊的面積可以大于所述第一源區(qū)或所述第一漏區(qū)的與所述第一電極層重疊的面積。

14、所述第四電極層的與所述第二源區(qū)或所述第二漏區(qū)重疊的面積可以大于所述第二電極層的與所述第一源區(qū)或所述第一漏區(qū)重疊的面積。

15、所述第四電極層的與所述第二源區(qū)或所述第二漏區(qū)重疊的面積可以大于所述第二電極層的與所述第一源區(qū)或所述第一漏區(qū)重疊的面積。

16、所述第四電極層的面積可以大于所述第二電極層的面積。

17、所述顯示裝置還可以包括：第三驅(qū)動(dòng)晶體管，所述第三驅(qū)動(dòng)晶體管可以在所述基底的與所述第二像素區(qū)相鄰的第三像素區(qū)中并且具有第三半導(dǎo)體層和第三柵電極，其中，所述第三半導(dǎo)體層可以包括第三源區(qū)、第三漏區(qū)以及第三溝道區(qū)；第五電極層，所述第五電極層面對所述第三源區(qū)或所述第三漏區(qū)的至少一部分；以及第六電極層面對所述第三柵電極以及所述第三源區(qū)或所述第三漏區(qū)的至少一部分，其中，所述第五電極層和所述第六電極層可以電連接到所述電源線。

18、所述第五電極層的與所述第三源區(qū)或所述第三漏區(qū)重疊的面積可以等于所述第一電極層的與所述第一源區(qū)或所述第一漏區(qū)重疊的面積。

19、所述第五電極層的與所述第三源區(qū)或所述第三漏區(qū)重疊的面積可以等于所述第三電極層的與所述第二源區(qū)或所述第二漏區(qū)重疊的面積。

20、根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例，顯示裝置包括：第一像素電路，所述第一像素電路在所述基底的所述第一像素區(qū)中，并且包括第一驅(qū)動(dòng)晶體管、第一電容器以及第二電容器，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管具有第一半導(dǎo)體層和第一柵電極，其中，所述第一半導(dǎo)體層包括第一源區(qū)和第一漏區(qū)，所述第一電容器包括第一下電極和第一上電極并且所述第二電容器包括第二下電極和第二上電極；和電源線，所述電源線電連接到所述第一上電極和所述第二下電極，其中，所述第一下電極和所述第二上電極是所述第一源區(qū)的一部分或所述第一漏區(qū)的一部分，所述第一上電極設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層的上層上，并且所述第二下電極設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層的下層上。

21、所述第二下電極可以與所述第一半導(dǎo)體層的溝道區(qū)重疊。

22、所述第一像素電路還可以包括：第三電容器，所述第三電容器具有第三下電極和第三上電極，其中，所述第三上電極可以電連接到所述電源線，并且所述第三下電極可以是所述第一柵電極的一部分。

23、所述顯示裝置還可以包括：第二像素電路，所述第二像素電路在所述基底的與所述第一像素區(qū)相鄰的第二像素區(qū)中，并且包括第二驅(qū)動(dòng)晶體管、第四電容器以及第五電容器，所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管包括第二半導(dǎo)體層和第二柵電極，其中，所述第二半導(dǎo)體層包括第二源區(qū)和第二漏區(qū)，所述第四電容器包括第四下電極和第四上電極，并且所述第五電容器包括第五下電極和第五上電極，其中，所述第四上電極和所述第五下電極可以電連接到所述電源線，所述第四下電極和所述第五上電極可以是所述第二源區(qū)的一部分或所述第二漏區(qū)的一部分，所述第四上電極可以設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層的上層上，并且所述第五下電極可以設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層的下層上。

24、所述第四下電極的面積可以大于所述第一下電極的面積。

25、將理解的是，前面的一般性描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和說明性的，并且旨在提供對所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說明。