技術(shù)特征：

1.一種顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二電極層在所述第一電極層和所述電源線之間并且與所述第一電極層電絕緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體層包括多晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述電源線配置為接收恒定的電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)是彎曲的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置還包括：

7.一種顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體層包括多晶硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置還包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述基底包括有機層和無機層。

12.一種顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中，所述電極層與所述第一晶體管的所述第一柵電極電絕緣。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中，所述第一半導(dǎo)體層包括多晶硅。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述第一半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)是彎曲的。

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中，所述基底包括有機層和無機層。

19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，還包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中，所述電源線的一部分和所述數(shù)據(jù)線的一部分與所述電極層重疊。

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及顯示裝置。所述顯示裝置包括：底部金屬層；半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述底部金屬層上；第一電極層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上；第二電極層，設(shè)置在所述第一電極層上并且與所述第一電極層重疊；電源線，設(shè)置在所述第二電極層上并且電連接到所述底部金屬層和所述第二電極層；以及發(fā)光裝置，包括像素電極、面對所述像素電極的公共電極、以及在所述像素電極和所述公共電極之間的發(fā)射層。

技術(shù)研發(fā)人員：黃榮仁,吉藹利,金成虎,金應(yīng)澤,梁容豪,王盛民,李珍雅,曹柱鉉,秋性伯
受保護的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15