本發(fā)明屬于鋰電池生產(chǎn)，具體涉及一種薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法及去除設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、復(fù)合集流體薄膜(以下簡稱薄膜)是鋰離子電池領(lǐng)域的一種材料，其采用“金屬-高分子材料-金屬”的三層復(fù)合結(jié)構(gòu)，通過在高分子材料(如pet、pp、pi等)表面鍍覆一層或多層金屬(如銅、鋁)而制成。在復(fù)合集流體薄膜的制造過程中，對成品的厚度、表面平整度具有一定的要求。

2、然而實(shí)際生產(chǎn)的過程中，均勻薄膜表面可能會存在較大的凸起顆粒。顆粒會影響涂層的均勻性，在涂層表面形成劃痕，且在組裝成電池時(shí)，顆粒與電池內(nèi)部的隔膜直接接觸，容易造成隔膜刺穿，進(jìn)而影響電池的電化學(xué)性能，甚至可能導(dǎo)致電池內(nèi)部短路或熱失控。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決所述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法及去除設(shè)備。

2、本發(fā)明所要達(dá)到的技術(shù)效果通過以下技術(shù)方面來實(shí)現(xiàn)：

3、第一方面，一種薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法及去除設(shè)備，所述薄膜表面顆粒去除設(shè)備上有若干沿薄膜走帶方向設(shè)置的過輥，所述薄膜表面顆粒去除設(shè)備還包括：沿薄膜走帶方向依次設(shè)置的顆粒檢測組件、第一定位組件和第一剔除組件；

4、所述控制方法包括：

5、控制所述顆粒檢測組件檢測所述薄膜表面是否存在顆粒；

6、若是，則控制所述第一定位組件對所述薄膜表面的顆粒進(jìn)行檢測，得到顆粒在薄膜的第一位置；

7、控制所述第一剔除組件對所述第一位置上的顆粒進(jìn)行剔除。

8、在一些實(shí)施例中，所述顆粒檢測組件包括第一壓輥和第二壓輥，所述第一壓輥與所述第二壓輥相對設(shè)置，且所述第一壓輥與所述第二壓輥之間留有間隙以形成輥縫，所述輥縫的一側(cè)或兩側(cè)設(shè)置有用于測量所述輥縫高度的傳感器；

9、其中，所述第一壓輥和/或所述第二壓輥在所述輥縫的高度方向上活動設(shè)置；

10、所述控制所述顆粒檢測組件檢測所述薄膜表面是否存在顆粒包括：

11、將所述輥縫的高度調(diào)整為第一高度，所述第一高度為薄膜的厚度值與顆粒的最小高度值之和；

12、控制所述傳感器讀取所述輥縫的高度數(shù)據(jù)，當(dāng)所述輥縫的高度數(shù)據(jù)大于所述第一高度值時(shí)，則判定薄膜表面存在顆粒。

13、在一些實(shí)施例中，所述第一剔除組件為激光切割單元；

14、所述控制所述第一剔除組件對所述第一位置上的顆粒進(jìn)行剔除包括：

15、控制所述激光切割單元通過激光對所述第一位置上的顆粒進(jìn)行剔除。

16、在一些實(shí)施例中，所述第一剔除組件靠近所述第一定位組件的一側(cè)還設(shè)置有第二定位組件；

17、所述控制所述第一剔除組件對所述第一位置上的顆粒進(jìn)行剔除包括：

18、控制所述第二定位組件對所述薄膜表面的顆粒進(jìn)行檢測，得到顆粒在薄膜的第二位置；

19、將所述第一位置和所述第二位置的坐標(biāo)數(shù)據(jù)復(fù)合以得到第三位置；

20、控制所述第一剔除組件對所述第三位置上的顆粒進(jìn)行剔除。

21、在一些實(shí)施例中，所述第一位置是所述薄膜一側(cè)面顆粒的位置；

22、所述第二位置是所述薄膜另一側(cè)面顆粒的位置。

23、在一些實(shí)施例中，所述薄膜表面顆粒去除設(shè)備還包括第二剔除組件，所述第二剔除組件設(shè)置在所述第一剔除組件背對所述第一定位組件的一側(cè)；

24、所述控制所述第一剔除組件對所述第一位置上的顆粒進(jìn)行剔除之后，還包括：

25、控制所述第二剔除組件對所述薄膜上的顆粒進(jìn)行剔除。

26、在一些實(shí)施例中，所述第二剔除組件包括刮刀；

27、所述控制所述第二剔除組件對所述薄膜上的顆粒進(jìn)行剔除包括：

28、將所述刮刀與所述薄膜之間的高度調(diào)整為第二高度，所述第二高度為薄膜的厚度值與顆粒的最小高度值之和；

29、控制所述刮刀對所述薄膜高于所述第二高度的部分進(jìn)行剔除。

30、在一些實(shí)施例中，控制所述刮刀對所述薄膜高于所述第二高度的部分進(jìn)行剔除包括：

31、控制所述刮刀將所述薄膜高于所述第二高度的部分刮斷。

32、在一些實(shí)施例中，所述薄膜表面顆粒去除設(shè)備還包括用于對所述薄膜表面去除鐵屑的除鐵組件，所述除鐵機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述第一定位組件與第一剔除組件之間；所述薄膜表面顆粒去除設(shè)備還包括用于對所述薄膜表面去除靜電的靜電除塵組件，所述靜電除塵組件設(shè)置在所述第一剔除組件背對所述第一定位組件的一側(cè)。

33、第二方面，提供一種薄膜表面顆粒去除設(shè)備，適用于上述技術(shù)方案中任一所述的薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法，包括沿薄膜走帶方向依次設(shè)置的：

34、顆粒檢測組件，用于對所述薄膜表面的顆粒進(jìn)行檢測；

35、第一定位組件，用于對所述薄膜表面的顆粒進(jìn)行定位；以及

36、第一剔除組件，用于對所述薄膜表面的顆粒進(jìn)行剔除。

37、綜上所述，本發(fā)明具有以下有益之處：

38、本發(fā)明通過設(shè)置顆粒檢測組件、第一定位組件和第一剔除組件能夠?qū)Ρ∧ど系念w粒進(jìn)行自動化剔除。顆粒檢測組件能夠?qū)Ρ∧ど系念w粒進(jìn)行精確檢測，并通過第一定位組件能夠?qū)︻w粒的位置進(jìn)行精確定位，以便于后續(xù)通過第一剔除組件對顆粒進(jìn)行剔除。此方法能夠?qū)Ρ∧ど系念w粒進(jìn)行精準(zhǔn)的剔除，在確保生產(chǎn)效率的前提下提高薄膜的良品率。

技術(shù)特征：

1.一種薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法，所述薄膜表面顆粒去除設(shè)備上有若干沿薄膜走帶方向設(shè)置的過輥，其特征在于，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法，其特征在于，所述第二剔除組件包括刮刀；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法，其特征在于，

10.一種薄膜表面顆粒去除設(shè)備，適用于權(quán)利要求1-9任一所述的薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法，其特征在于，包括沿薄膜走帶方向依次設(shè)置的：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及鋰電池生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種薄膜表面顆粒去除設(shè)備控制方法及去除設(shè)備。薄膜表面顆粒去除設(shè)備包括顆粒檢測組件、第一定位組件和第一剔除組件；控制方法包括：控制顆粒檢測組件檢測薄膜表面是否存在顆粒；若是，則控制第一定位組件對薄膜表面的顆粒進(jìn)行檢測，得到顆粒在薄膜的第一位置；控制第一剔除組件對第一位置上的顆粒進(jìn)行剔除。本發(fā)明起到如下技術(shù)效果：能夠?qū)Ρ∧ど系念w粒進(jìn)行精準(zhǔn)的剔除，防止遺漏，提高薄膜的良品率。

技術(shù)研發(fā)人員：楊友林,陳建平,王緒國,朱彬彬,張全紅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：惠州市贏合科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15