1.一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備可控溫基臺，其特征在于，該基臺包括上盤體與下盤體，上盤體與下盤體之間形成密封腔，所述密封腔內(nèi)可通入媒介進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)，在基臺上開設(shè)媒介入口與媒介出口通入密封腔內(nèi)，用于媒介的循環(huán)。
2.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備可控溫基臺，其特征在于，所述上盤體的下表面邊緣設(shè)置邊緣凸臺。
3.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備可控溫基臺，其特征在于，上盤體與下盤體之間通過陶瓷柱固定。
4.按照權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備可控溫基臺，其特征在于，所述陶瓷柱均勻分布在上盤體或下盤體靠近邊緣處。
5.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備可控溫基臺，其特征在于，在所述上盤體的中心位置設(shè)置中心凸臺，在中心凸臺上開設(shè)媒介進(jìn)口與媒介出口，在下盤體相連的基臺支撐柱內(nèi)設(shè)置媒介進(jìn)管與媒介出管，所述媒介進(jìn)口與媒介出口分別于媒介進(jìn)管與媒介出管相連。
6.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備可控溫基臺，其特征在于，在所述陶瓷柱的四周設(shè)置連接凸臺用于將上盤體與下盤體焊接后密封。
7.按照權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備可控溫基臺，其特征在于，支撐柱內(nèi)通入熱電偶通入到密封腔的中心凸臺處。
8.按照權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備可控溫基臺，其特征在于，該基臺還包括有溫控系統(tǒng)，所述溫控系統(tǒng)包括控制器與機械泵，所述控制器的輸入端連接熱電偶的輸出端，控制器的輸出端與機械泵的控制端連接，機械泵的輸出口與輸入口分別與媒介進(jìn)管與媒介出管連接。
9.按照權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備可控溫基臺，其特征在于，所述控制器的核心為單片機。