技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導體鍍膜設(shè)備可控溫基臺，其內(nèi)部包含基臺媒介熱價換腔體，以實現(xiàn)對基臺溫度的快速、準確、均勻控制。屬于半導體薄膜沉積應(yīng)用及制造技術(shù)領(lǐng)域。解決工藝過程中基臺溫升過快降溫慢，導致現(xiàn)有半導體鍍膜設(shè)備熱交換效率及產(chǎn)能較低，晶圓溫度不夠均勻致使薄膜失敗的問題。該基臺包括上盤體與下盤體，上盤體與下盤體之間形成密封腔，所述密封腔內(nèi)可通入媒介進行溫度調(diào)節(jié)，在基臺上開設(shè)媒介入口與媒介出口通入密封腔內(nèi)，用于媒介的循環(huán)。本發(fā)明結(jié)構(gòu)能夠自動調(diào)節(jié)基臺溫度的系統(tǒng)，來保證加熱盤的溫度。通過循環(huán)媒介的自動控溫，可以實現(xiàn)加熱盤溫度的自動調(diào)節(jié)，能夠精確的控制基臺的溫度。

技術(shù)研發(fā)人員：呂光泉;吳鳳麗;鄭英杰;張建
受保護的技術(shù)使用者：沈陽拓荊科技有限公司
文檔號碼：201510690225
技術(shù)研發(fā)日：2015.10.22
技術(shù)公布日：2017.05.03