本發(fā)明涉及一種加熱摻雜氣體的噴淋結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備在進(jìn)行硬質(zhì)膜沉積反應(yīng)時(shí)，需要少量摻雜一種氣體或多種氣體同時(shí)進(jìn)入腔室進(jìn)行薄膜沉積，要求幾種氣體路徑相互獨(dú)立，在進(jìn)入腔體前不能相遇，進(jìn)入腔室后都能均勻擴(kuò)散到基底表面。且摻雜的氣體在進(jìn)入反應(yīng)腔體前，需要保持加熱到一定的溫度。而現(xiàn)有的噴淋結(jié)構(gòu)大都是針對(duì)單獨(dú)的氣體設(shè)計(jì)的路徑，并且大多結(jié)構(gòu)都只是在氣體進(jìn)口處進(jìn)行分離，在進(jìn)入腔室之前的氣體已進(jìn)行接觸，使沉積反應(yīng)提前進(jìn)行。且現(xiàn)有噴淋結(jié)構(gòu)沒有針對(duì)摻雜氣體進(jìn)行加熱的功能。這樣一來，無法保證摻雜反應(yīng)在腔體內(nèi)部的基底沉積硬質(zhì)膜。當(dāng)需要進(jìn)行摻雜氣體沉積時(shí)，之前的噴淋結(jié)構(gòu)已不能滿足要求。針對(duì)要求摻雜氣體同時(shí)、獨(dú)立、加熱的苛刻要求，需要一種可加熱摻雜氣體的噴淋結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明以解決上述問題為目的，提供了一種加熱摻雜氣體的噴淋結(jié)構(gòu)，該噴淋結(jié)構(gòu)通過采用配氣環(huán)及加熱環(huán)結(jié)構(gòu)，來實(shí)現(xiàn)摻雜氣體獨(dú)立、均勻的到達(dá)基底表面參加沉積反應(yīng)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

一種加熱摻雜氣體的噴淋結(jié)構(gòu)，包括噴淋板本體，該噴淋結(jié)構(gòu)還包括氣體A入口，配氣環(huán)，摻雜氣體B入口及加熱環(huán)；所述噴淋板本體上設(shè)有氣體A入口向噴淋板本體中通入氣體A，所述配氣環(huán)上設(shè)有摻雜氣體B入口向配氣環(huán)中通入摻雜氣體B，所述加熱環(huán)安裝于所述配氣環(huán)外圍后與配氣環(huán)一同置于噴淋板主體上的凹槽內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述噴淋板本體與配氣環(huán)的內(nèi)部為氣體環(huán)形通道。

進(jìn)一步地，所述加熱環(huán)對(duì)所述配氣環(huán)中通入的摻雜氣體B進(jìn)行加熱。

本發(fā)明的有益效果及特點(diǎn)在于：

本發(fā)明的噴淋結(jié)構(gòu)采用配氣環(huán)及加熱環(huán)結(jié)構(gòu)，保證了摻雜氣體的獨(dú)立路徑，對(duì)摻雜氣體進(jìn)行加熱，實(shí)現(xiàn)了摻雜氣體同時(shí)、獨(dú)立、加熱在基底沉積硬質(zhì)膜。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的加熱摻雜氣體的噴淋結(jié)構(gòu)的立體圖；

圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例進(jìn)一步對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，但發(fā)明保護(hù)內(nèi)容不局限于所述實(shí)施例：

參照?qǐng)D1-2，一種加熱摻雜氣體的噴淋結(jié)構(gòu)，包括噴淋板本體1，該噴淋結(jié)構(gòu)還包括氣體A入口2，配氣環(huán)3，摻雜氣體B入口4及加熱環(huán)5；所述噴淋板本體1上設(shè)有氣體A入口2向噴淋板本體1中通入氣體A，所述配氣環(huán)3上設(shè)有摻雜氣體B入口4向配氣環(huán)3中通入 摻雜氣體B，所述加熱環(huán)5安裝于所述配氣環(huán)3外圍后與配氣環(huán)3一同置于噴淋板主體1上的凹槽內(nèi)。

所述噴淋板本體1與配氣環(huán)3的內(nèi)部為氣體環(huán)形通道。

所述加熱環(huán)5對(duì)所述配氣環(huán)3中通入的摻雜氣體B進(jìn)行加熱。

氣體A和摻雜氣體B分別從氣體A入口2與摻雜氣體B入口4通入，通過各自獨(dú)立的通道，到達(dá)各自分區(qū)，氣體A和摻雜氣體B在分區(qū)擴(kuò)散后從各自分區(qū)中的孔中進(jìn)入反應(yīng)腔室。彼此獨(dú)立的結(jié)構(gòu)使不同氣體不會(huì)提前相遇或反應(yīng)，在配氣環(huán)3外圍安裝加熱環(huán)5，通過加熱環(huán)5對(duì)摻雜氣體B進(jìn)行加熱，保證了摻雜反應(yīng)在腔體內(nèi)部的基底沉積硬質(zhì)膜。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。