本發(fā)明涉及一種多氣體多區(qū)域的噴淋結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備在進(jìn)行沉積反應(yīng)時(shí)，一般需要一種氣體或兩種氣體，有時(shí)需要三種(或三種以上)氣體同時(shí)進(jìn)入腔室進(jìn)行薄膜沉積，要求幾種氣體路徑相互獨(dú)立，在進(jìn)入腔體前不能相遇，進(jìn)入腔室后都能均勻擴(kuò)散到基底表面。而現(xiàn)有的噴淋結(jié)構(gòu)大都是針對(duì)單獨(dú)的氣體設(shè)計(jì)的路徑，并且大多結(jié)構(gòu)都只是在氣體進(jìn)口處進(jìn)行分離，在進(jìn)入腔室之前的氣體已進(jìn)行接觸，使沉積反應(yīng)提前進(jìn)行。這樣一來，即不易于控制沉積的時(shí)間及反應(yīng)條件，也浪費(fèi)了寶貴的不可再生的特氣資源。當(dāng)需要兩種或兩種以上氣體時(shí)，之前的噴淋結(jié)構(gòu)已不能滿足要求。針對(duì)要求多種(兩種及兩種以上)氣體同時(shí)、獨(dú)立、均勻的苛刻要求，需要一種可以滿足以上要求的噴淋結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明以解決上述問題為目的，提供了一種多氣體多區(qū)域的噴淋結(jié)構(gòu)，該噴淋結(jié)構(gòu)采用平面分區(qū)結(jié)構(gòu)，隔離不同的氣體路徑，是一種滿足了兩種氣體同時(shí)、獨(dú)立、均勻沉積的噴淋結(jié)構(gòu)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

一種多氣體多區(qū)域的噴淋結(jié)構(gòu)，包括噴淋板本體，該噴淋板本體 上設(shè)有氣體A分區(qū)，氣體B分區(qū)及凹槽，所述氣體A分區(qū)上設(shè)有氣體A入口，所述氣體B分區(qū)上設(shè)有氣體B入口；氣體A分區(qū)與氣體B分區(qū)不連通，氣體A入口與氣體A分區(qū)連通，氣體B入口位于凹槽上并與氣體B分區(qū)連通。

進(jìn)一步地，所述噴淋頭本體的底部設(shè)有多個(gè)通孔。

進(jìn)一步地，所述氣體A分區(qū)與氣體B分區(qū)內(nèi)部分別為氣體通道。

本發(fā)明的有益效果及特點(diǎn)在于：

本發(fā)明的多氣體多區(qū)域噴淋結(jié)構(gòu)采用平面分區(qū)結(jié)構(gòu)，隔離不同的氣體路徑，來實(shí)現(xiàn)兩種氣體獨(dú)立、均勻的到達(dá)基底表面進(jìn)行沉積反應(yīng)，較好地解決了氣體在進(jìn)入腔室之前已進(jìn)行接觸，不易于控制沉積的時(shí)間及特氣資源浪費(fèi)的技術(shù)問題。并可在其上安裝加熱或冷卻構(gòu)件，以滿足更嚴(yán)苛的工藝條件要求。具有結(jié)構(gòu)合理及易于推廣的特點(diǎn)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例進(jìn)一步對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，但發(fā)明保護(hù)內(nèi)容不局限于所述實(shí)施例：

參照?qǐng)D1，一種多氣體多區(qū)域的噴淋結(jié)構(gòu)，包括噴淋板本體1，該噴淋板本體1上設(shè)有氣體A分區(qū)2，氣體B分區(qū)3及凹槽4，所述氣體A分區(qū)2上設(shè)有氣體A入口5，所述氣體B分區(qū)3上設(shè)有氣體B入口6；氣體A分區(qū)2與氣體B分區(qū)3不連通，氣體A入口5與氣體A分區(qū)2連通，氣體B入口6位于凹槽4上并與氣體B分區(qū)3連通。

所述噴淋頭本體1的底部設(shè)有多個(gè)通孔。

所述氣體A分區(qū)2與氣體B分區(qū)3內(nèi)部分別為氣體通道。

氣體A及氣體B分別從氣體A入口和氣體B入口進(jìn)入至氣體A分區(qū)和氣體B分區(qū)內(nèi)，通過各自獨(dú)立的通道，到達(dá)各自分區(qū)，并從各自的分區(qū)的通孔到達(dá)腔室。彼此獨(dú)立結(jié)構(gòu)使不同氣體A和氣體B不會(huì)提前相遇或反應(yīng)，能滿足多種氣體的分布，該結(jié)構(gòu)使氣體能均勻、快速的擴(kuò)散在腔室內(nèi)，并在基板上進(jìn)行沉積反應(yīng)。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。