本發(fā)明涉及一種新型管路截?cái)喾椒?，確切地說(shuō)是一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備真空腔用管路截?cái)喾椒?。該方法主要?yīng)用于半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備真空腔容積大小的控制，屬于半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制備技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的半導(dǎo)體鍍膜工藝中出現(xiàn)了多種化學(xué)源不在反應(yīng)腔內(nèi)相遇而是交替通入氣體的飽和反應(yīng)形式，這種飽和反應(yīng)在時(shí)間上需求較長(zhǎng)。為了保證生產(chǎn)效率盡量提高的要求，參考飽和反應(yīng)的特性同時(shí)又要將其它時(shí)間降到最低，最直接的方式就是將反應(yīng)腔及整個(gè)真空環(huán)境的容積降到最低。因此就產(chǎn)生了需要將設(shè)備不參與飽和反應(yīng)部分的真空環(huán)境容積關(guān)閉和保護(hù)管路的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明以解決上述問(wèn)題為目的，主要為解決現(xiàn)有技術(shù)中不參與飽和反應(yīng)的真空環(huán)境不能關(guān)閉也要占用抽氣時(shí)間和腐蝕管路的問(wèn)題，而提供一種方法簡(jiǎn)單，操作方便，有效隔絕真空環(huán)境容積和保護(hù)管路的方法。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備真空腔用管路截?cái)喾椒?，該方法中所涉及的半?dǎo)體鍍膜設(shè)備真空腔的整套真空環(huán)境由刻蝕系統(tǒng)通過(guò)法蘭與管路連接，管路的兩側(cè)在靠近噴淋板和反應(yīng)腔的一端安裝通止閥，反應(yīng)腔與抽氣管路連接，抽氣管路同時(shí)與真空泵相連，整個(gè)系統(tǒng)由真空泵提供真空環(huán)境，由兩個(gè)通止閥的開(kāi)關(guān)控制真空環(huán)境容積的變化和保護(hù)管路與刻蝕系統(tǒng)。

本發(fā)明的有益效果及特點(diǎn)在于：

方法簡(jiǎn)單、操作方便，可實(shí)現(xiàn)隔斷部分真空環(huán)境容積將抽氣時(shí)間最小化，同時(shí)還能保護(hù)關(guān)閉的管路不受反應(yīng)副產(chǎn)物的腐蝕。使用此方法，可以避免飽和反應(yīng)時(shí)不參與反應(yīng)的真空環(huán)境容積同樣占用抽氣時(shí)間的技術(shù)問(wèn)題，通過(guò)通止閥的開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)不同工況下不同的需求。同時(shí)也能防止其他反應(yīng)對(duì)管路的腐蝕起到保護(hù)管路的作用，適用于多種樣式的設(shè)備，且操作簡(jiǎn)單，可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的示意圖，也是本發(fā)明的具體實(shí)施例。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例

參照?qǐng)D1，一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備真空腔用管路截?cái)喾椒?，該方法中所涉及半?dǎo)體鍍膜設(shè)備真空腔的整套真空環(huán)境由刻蝕系統(tǒng)7通過(guò)法蘭與管路6連接，管路6的兩側(cè)在靠近噴淋板2和反應(yīng)腔5的一端安裝通止閥1，反應(yīng)腔5與抽氣管路3連接，抽氣管路3同時(shí)與真空泵4相連，整個(gè)系統(tǒng)由真空泵4提供真空環(huán)境，由兩個(gè)通止閥1的開(kāi)關(guān)控制真空環(huán)境容積的變化和保護(hù)管路6與刻蝕系統(tǒng)7。

本發(fā)明的工作原理：當(dāng)進(jìn)行飽和反應(yīng)時(shí)通止閥1關(guān)閉，通止閥1以上的管路6和刻蝕系統(tǒng)7的真空環(huán)境容積就被通止閥1隔斷，將這部分容積需要的抽氣時(shí)間消除以實(shí)現(xiàn)抽氣時(shí)間最小化的目的，同時(shí)被關(guān)閉的管路6和刻蝕系統(tǒng)7還能避免被化學(xué)反應(yīng)的副產(chǎn)物腐蝕的傷害。當(dāng)需要刻蝕內(nèi)部的副產(chǎn)物時(shí)，通止閥1打開(kāi)即可實(shí)現(xiàn)刻蝕副產(chǎn)物的工作。