技術總結
本實用新型涉及一種ICP增強多靶磁控濺射裝置，包括真空室、設于真空室頂部的三個濺射靶、設于真空室內的ICP線圈和基片臺以及與真空室相連通的泵機組，三個濺射靶的直徑均為60mm，三個濺射靶的軸線與水平面之間的夾角均為20°?50°，三個濺射靶沿周向均勻間隔分布，三個濺射靶均聚焦于基片臺的中心，三個濺射靶分別與第一射頻電源、第二射頻電源、第三射頻電源相連接，ICP線圈設于濺射靶與基片臺之間，ICP線圈連接有第四射頻電源，基片臺連接有直流穩(wěn)壓電源。本實用新型擁有三個濺射靶，三個濺射靶靶位中心聚焦于基片臺中心，實現(xiàn)了共聚焦磁控濺射，可獲得均勻、較大面積的薄膜，制備出的薄膜致密、純度高。

技術研發(fā)人員：楊佳奇;胡一波;金成剛;吳雪梅;諸葛蘭劍
受保護的技術使用者：蘇州大學
文檔號碼：201620802147
技術研發(fā)日：2016.07.28
技術公布日：2016.12.14