本技術(shù)涉及脆硬材料研磨，特別涉及一種金剛石研磨墊。

背景技術(shù)：

1、碳化硅、藍(lán)寶石、氮化硅、砷化鎵等脆硬材料的減薄步驟通常包括線切割、粗磨、精磨、拋光等步驟。而玻璃、石英等用于消費(fèi)電子及工業(yè)電子行業(yè)的蓋板和窗口片的脆硬材料，也需要粗磨減薄、精磨、拋光等步驟。在粗磨和精磨步驟中，一般采用雙面研磨機(jī)對脆硬材料進(jìn)行研磨減薄，研磨的過程需要使用到金剛石研磨墊。金剛石研磨墊是一種用于精密研磨和拋光硬脆材料的工具，金剛石研磨墊設(shè)有大量研磨顆粒，研磨顆粒包含有金剛石微粉磨料，利用金剛石唯粉磨粒的高硬度和高耐磨性來實(shí)現(xiàn)高效的材料去除和表面處理。現(xiàn)有技術(shù)中，傳統(tǒng)金剛石研磨墊上的研磨顆粒的表面都是平面。

2、進(jìn)行研磨減薄時(shí)，操作人員會(huì)將金剛石研磨墊粘貼至雙面研磨機(jī)中，然后再將用于定位容納多塊硬脆材料的載具放在兩片金剛石研磨墊之間。接著啟動(dòng)雙面研磨機(jī)，雙面研磨機(jī)的輸出端能夠帶動(dòng)兩片金剛石研磨墊和載具轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而使得兩片金剛石研磨墊能夠磨削載具上的多塊硬脆材料的表面，以實(shí)現(xiàn)多塊硬脆材料的研磨減薄。現(xiàn)有技術(shù)中，金剛石研磨墊是繞著雙面研磨機(jī)輸出端的軸線轉(zhuǎn)動(dòng)的，而載具在繞著雙面研磨機(jī)輸出端軸線轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)，也在沿著自身軸轉(zhuǎn)動(dòng)。這使得靠近載具邊緣的硬脆材料的磨削量大，而靠近載具中心的硬脆材料的磨削量小，導(dǎo)致研磨減薄出的多塊硬脆材料之間的厚度差距較大，不利于提高研磨減薄工藝的厚度一致性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本實(shí)用新型提出一種金剛石研磨墊，能夠使研磨減薄出的多塊硬脆材料的厚度保持一致，進(jìn)而保證了多塊硬脆材料的厚度一致性。

2、根據(jù)本實(shí)用新型的金剛石研磨墊，包括：

3、基板，所述基板呈圓環(huán)狀，所述基板上由內(nèi)至外依次劃分有第一圓環(huán)區(qū)域、第二圓環(huán)區(qū)域和第三圓環(huán)區(qū)域；

4、所述第一圓環(huán)區(qū)域內(nèi)均布有多顆第一研磨顆粒，多顆所述第一研磨顆粒的上表面組成第一研磨面，所述第一研磨面由內(nèi)至外平滑上升，所述第一研磨面用于研磨多塊硬脆材料；

5、所述第二圓環(huán)區(qū)域內(nèi)均布有多顆第二研磨顆粒，多顆所述第二研磨顆粒的上表面組成第二研磨面，所述第二研磨面與所述第一研磨面平滑過渡，所述第二研磨面位于所述第一研磨面的上方，所述第二研磨面用于研磨多塊所述硬脆材料；

6、所述第三圓環(huán)區(qū)域內(nèi)均布有多顆第三研磨顆粒，多顆所述第三研磨顆粒的上表面組成第三研磨面，所述第三研磨面由內(nèi)至外平滑下降，所述第三研磨面位于所述第二研磨面的下方，所述第三研磨面與所述第二研磨面平滑過渡，所述第三研磨面用于研磨多塊所述硬脆材料。

7、至少具有如下有益效果：

8、第一研磨面由內(nèi)至外平滑上升，第三研磨面由內(nèi)至外平滑下降，第一研磨面與第二研磨面平滑過渡，第二研磨面與第三研磨面平滑過渡，且第二研磨面位于第一研磨面的上方，第三研磨面位于第二研磨面的下方，這使得第一研磨面的高度要小于第二研磨面，第三研磨面的高度要小于第二研磨面。由于第二研磨面的高度最高，這使得多顆第二研磨顆粒研磨硬脆材料時(shí)，具有其更大的出刃高度和更高的切削效率，即第二研磨顆粒的研磨效果要優(yōu)于第一研磨顆粒和第三研磨顆粒的研磨效果。

9、需要研磨減薄多塊硬脆材料時(shí)，操作人員可將該金剛石研磨墊粘貼至下轉(zhuǎn)臺(tái)和下轉(zhuǎn)臺(tái)上，然后將載具放置在該金剛石研磨墊上，并將多塊待研磨的硬脆材料分別放置在載具上的多個(gè)定位孔內(nèi)。接著啟動(dòng)雙面研磨機(jī)，上轉(zhuǎn)臺(tái)和下轉(zhuǎn)臺(tái)能夠施以壓力。此時(shí)該金剛石研磨墊會(huì)繞著太陽輪轉(zhuǎn)動(dòng)，載具繞著太陽輪轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)繞著自身軸轉(zhuǎn)動(dòng)。由于第一圓環(huán)區(qū)域、第二圓環(huán)區(qū)域和第三圓環(huán)區(qū)域由內(nèi)至外依次設(shè)置，即多顆第一研磨顆粒和多顆第三研磨顆粒分別靠近該金剛石研磨墊的內(nèi)圈和外圈。且第二圓環(huán)區(qū)域內(nèi)的多顆第二研磨顆粒的研磨效果要優(yōu)于第一圓環(huán)區(qū)域內(nèi)的多顆第一研磨顆粒的研磨效果，第二圓環(huán)區(qū)域內(nèi)的多顆第二研磨顆粒的研磨效果要優(yōu)于第三圓環(huán)區(qū)域內(nèi)的多顆第三研磨顆粒的研磨效果，這使得多顆第一研磨顆粒和多顆第三研磨顆粒對靠近載具邊緣的硬脆材料的研磨效果，要低于多顆第二研磨顆粒對靠近載具中心的硬脆材料的研磨效果，即起到了研磨補(bǔ)償作用。

10、根據(jù)本實(shí)用新型的金剛石研磨墊，所述第一圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬為所述基板環(huán)寬的25％～35％，所述第二圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬為所述基板環(huán)寬的50％～60％，所述第三圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬為所述基板環(huán)寬的10％～20％。

11、根據(jù)本實(shí)用新型的金剛石研磨墊，所述第一圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬大于所述第三圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬。

12、根據(jù)本實(shí)用新型的金剛石研磨墊，所述第一圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬為所述基板環(huán)寬的30％，所述第二圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬為所述基板環(huán)寬的55％，所述第三圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬為所述基板環(huán)寬的15％。

13、根據(jù)本實(shí)用新型的金剛石研磨墊，多顆所述第二研磨顆粒的平均高度大于多顆所述第一研磨顆粒的平均高度，多顆所述第二研磨顆粒的平均高度大于多顆所述第三研磨顆粒的平均高度，多顆所述第一研磨顆粒的平均高度大于多顆所述第三研磨顆粒的平均高度。

14、根據(jù)本實(shí)用新型的金剛石研磨墊，多顆所述第二研磨顆粒的平均高度與多顆所述第一研磨顆粒的平均高度的差值為20微米，多顆所述第二研磨顆粒的平均高度與多顆所述第三研磨顆粒的平均高度的差值為25微米。

15、根據(jù)本實(shí)用新型的金剛石研磨墊，所述基板外圈的半徑與所述基板內(nèi)圈的半徑比值為1～3。

16、根據(jù)本實(shí)用新型的金剛石研磨墊，所述基板的下表面上設(shè)有粘接層。

17、本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種金剛石研磨墊，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石研磨墊，其特征在于：所述第一圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬為所述基板環(huán)寬的25％～35％，所述第二圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬為所述基板環(huán)寬的50％～60％，所述第三圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬為所述基板環(huán)寬的10％～20％。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金剛石研磨墊，其特征在于：所述第一圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬大于所述第三圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的金剛石研磨墊，其特征在于：所述第一圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬為所述基板環(huán)寬的30％，所述第二圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬為所述基板環(huán)寬的55％，所述第三圓環(huán)區(qū)域的環(huán)寬為所述基板環(huán)寬的15％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石研磨墊，其特征在于：多顆所述第二研磨顆粒的平均高度大于多顆所述第一研磨顆粒的平均高度，多顆所述第二研磨顆粒的平均高度大于多顆所述第三研磨顆粒的平均高度，多顆所述第一研磨顆粒的平均高度大于多顆所述第三研磨顆粒的平均高度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的金剛石研磨墊，其特征在于：多顆所述第二研磨顆粒的平均高度與多顆所述第一研磨顆粒的平均高度的差值為20微米，多顆所述第二研磨顆粒的平均高度與多顆所述第三研磨顆粒的平均高度的差值為25微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石研磨墊，其特征在于：所述基板外圈的半徑與所述基板內(nèi)圈的半徑比值為1～3。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石研磨墊，其特征在于：所述基板的下表面上設(shè)有粘接層。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及脆硬材料研磨技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種金剛石研磨墊，包括基板，基板呈圓環(huán)狀，基板上由內(nèi)至外依次劃分有第一圓環(huán)區(qū)域、第二圓環(huán)區(qū)域和第三圓環(huán)區(qū)域；第一圓環(huán)區(qū)域內(nèi)均布有多顆第一研磨顆粒，多顆第一研磨顆粒的上表面組成第一研磨面，第一研磨面由內(nèi)至外平滑上升；第二圓環(huán)區(qū)域內(nèi)均布有多顆第二研磨顆粒，多顆第二研磨顆粒的上表面組成第二研磨面；第三圓環(huán)區(qū)域內(nèi)均布有多顆第三研磨顆粒，多顆第三研磨顆粒的上表面組成第三研磨面，第三研磨面由內(nèi)至外平滑下降。該金剛石研磨墊研磨減薄出的多塊硬脆材料之間的厚度差距較小，提高了研磨減薄工藝的厚度一致性。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭連彬,鄧中華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：珠海戴蒙斯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240805
技術(shù)公布日：2025/5/15