本技術(shù)涉及真空鍍膜，特別涉及一種過渡腔室以及真空鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、真空鍍膜設(shè)備是通過磁控濺射、離子刻蝕、電子束蒸發(fā)等技術(shù)對(duì)材料進(jìn)行真空鍍膜的裝置，部分真空鍍膜設(shè)備在低真空的進(jìn)片腔室和高真空的鍍膜腔室之間設(shè)有過渡腔室，相鄰的腔室之間設(shè)有真空閥門，開啟真空閥門后，基片能在相鄰的兩個(gè)腔室之間傳遞。

2、相關(guān)技術(shù)中，開啟真空閥門之前，會(huì)朝過渡腔室內(nèi)輸入氣體或者抽出氣體，使過渡腔室與相鄰的腔室內(nèi)的氣壓大致相等，以避免瞬間壓差過大而損壞真空閥門以及腔室內(nèi)的部件。但是，使用過程中發(fā)現(xiàn)，氣體進(jìn)入過渡腔室后容易在基片周圍四處流動(dòng)而產(chǎn)生揚(yáng)塵，影響基片表面的潔凈度，進(jìn)而影響基片質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本實(shí)用新型提出一種過渡腔室，氣體進(jìn)入過渡腔室后，能夠減少氣體在基片周圍四處流動(dòng)而產(chǎn)生揚(yáng)塵，從而使得基片表面更加潔凈，基片質(zhì)量更好。

2、本實(shí)用新型還提出一種具有上述過渡腔室的真空鍍膜設(shè)備。

3、根據(jù)本實(shí)用新型第一方面實(shí)施例的過渡腔室，包括腔室本體和輸氣組件，所述輸氣組件包括導(dǎo)流板和輸氣管，所述導(dǎo)流板的板面貼合于所述腔室本體的內(nèi)壁，所述導(dǎo)流板內(nèi)設(shè)有導(dǎo)流通道，所述導(dǎo)流板的側(cè)壁設(shè)有多個(gè)導(dǎo)流孔，多個(gè)所述導(dǎo)流孔連通所述導(dǎo)流通道，所述輸氣管的一端連通所述導(dǎo)流通道，另一端伸至所述腔室本體的外側(cè)。

4、根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的過渡腔室，至少具有如下有益效果：

5、本實(shí)用新型中，氣泵等設(shè)備朝輸氣管內(nèi)輸入氣體，氣體之后進(jìn)入導(dǎo)流板的導(dǎo)流通道，最后通過導(dǎo)流板的導(dǎo)流孔輸入至腔室本體的內(nèi)腔中。由于導(dǎo)流板的板面貼合于腔室本體的內(nèi)壁，多個(gè)導(dǎo)流孔設(shè)于導(dǎo)流板的側(cè)壁，進(jìn)而氣體從導(dǎo)流孔排出后，氣體會(huì)在過渡腔室的安裝有導(dǎo)流板的內(nèi)壁的附近流動(dòng)，且流動(dòng)方向大致平行于該內(nèi)壁，如此，在基片位于腔室本體內(nèi)時(shí)，能夠減少氣體在基片周圍四處流動(dòng)而產(chǎn)生揚(yáng)塵，從而使得基片表面更加潔凈，基片質(zhì)量更好。

6、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述導(dǎo)流板包括第一板和第二板，所述第一板設(shè)有導(dǎo)流槽，所述導(dǎo)流孔設(shè)于所述第一板的側(cè)壁并連接所述導(dǎo)流槽，所述第二板貼設(shè)于所述第一板，所述第二板覆蓋所述導(dǎo)流槽，以形成所述導(dǎo)流通道。

7、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述第一板和所述第二板之間設(shè)有第一密封圈，所述第一密封圈環(huán)繞于所述導(dǎo)流槽的外側(cè)。

8、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，多個(gè)所述導(dǎo)流孔設(shè)于所述導(dǎo)流板同一側(cè)的側(cè)壁。

9、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述導(dǎo)流孔的延伸方向垂直于所述導(dǎo)流板的厚度方向。

10、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述導(dǎo)流板設(shè)有連通所述導(dǎo)流通道的進(jìn)氣孔，所述輸氣組件還包括連接部，所述連接部設(shè)于所述輸氣管的靠近所述導(dǎo)流板的一端，所述連接部與所述導(dǎo)流板可拆卸連接，所述連接部設(shè)有通氣孔，所述通氣孔的兩端分別與所述輸氣管和所述進(jìn)氣孔連通。

11、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述連接部與所述導(dǎo)流板之間設(shè)有第二密封圈，所述第二密封圈環(huán)繞于所述進(jìn)氣孔與所述通氣孔的連接位置的外側(cè)。

12、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述輸氣組件還包括開關(guān)閥和調(diào)節(jié)閥，所述開關(guān)閥設(shè)于所述輸氣管，所述調(diào)節(jié)閥設(shè)于所述輸氣管。

13、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，所述過渡腔室還包括第一真空泵，所述第一真空泵連接于所述腔室本體，以對(duì)所述腔室本體內(nèi)抽真空。

14、根據(jù)本實(shí)用新型第二方面實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備，包括上述第一方面實(shí)施例所述的過渡腔室。

15、根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備，至少具有如下有益效果：

16、采用本實(shí)用新型第一方面實(shí)施例的過渡腔室，由于導(dǎo)流板的板面貼合于腔室本體的內(nèi)壁，多個(gè)導(dǎo)流孔設(shè)于導(dǎo)流板的側(cè)壁，進(jìn)而氣體從導(dǎo)流孔排出后，氣體會(huì)在過渡腔室的安裝有導(dǎo)流板的內(nèi)壁的附近流動(dòng)，且流動(dòng)方向大致平行于該內(nèi)壁，如此，在基片位于腔室本體內(nèi)時(shí)，能夠減少氣體在基片周圍四處流動(dòng)而產(chǎn)生揚(yáng)塵，從而使得基片表面更加潔凈，基片質(zhì)量更好。

17、本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分附加方面和優(yōu)點(diǎn)將從下面的描述中變得明顯，或通過本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種過渡腔室，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過渡腔室，其特征在于，所述導(dǎo)流板包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的過渡腔室，其特征在于，所述第一板和所述第二板之間設(shè)有第一密封圈，所述第一密封圈環(huán)繞于所述導(dǎo)流槽的外側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的過渡腔室，其特征在于，多個(gè)所述導(dǎo)流孔設(shè)于所述導(dǎo)流板同一側(cè)的側(cè)壁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的過渡腔室，其特征在于，所述導(dǎo)流孔的延伸方向垂直于所述導(dǎo)流板的厚度方向。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的過渡腔室，其特征在于，所述導(dǎo)流板設(shè)有連通所述導(dǎo)流通道的進(jìn)氣孔，所述輸氣組件還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的過渡腔室，其特征在于，所述連接部與所述導(dǎo)流板之間設(shè)有第二密封圈，所述第二密封圈環(huán)繞于所述進(jìn)氣孔與所述通氣孔的連接位置的外側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的過渡腔室，其特征在于，所述輸氣組件還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的過渡腔室，其特征在于，所述過渡腔室還包括：

10.一種真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的過渡腔室。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種過渡腔室以及真空鍍膜設(shè)備，涉及真空鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，其中過渡腔室包括腔室本體和輸氣組件，輸氣組件包括導(dǎo)流板和輸氣管，導(dǎo)流板的板面貼合于腔室本體的內(nèi)壁，導(dǎo)流板內(nèi)設(shè)有導(dǎo)流通道，導(dǎo)流板的側(cè)壁設(shè)有多個(gè)導(dǎo)流孔，多個(gè)導(dǎo)流孔連通導(dǎo)流通道，輸氣管的一端連通導(dǎo)流通道，另一端伸至腔室本體的外側(cè)。本技術(shù)的過渡腔室以及真空鍍膜設(shè)備，氣體進(jìn)入過渡腔室后，能夠減少氣體在基片周圍四處流動(dòng)而產(chǎn)生揚(yáng)塵，從而使得基片表面更加潔凈，基片質(zhì)量更好。

技術(shù)研發(fā)人員：張亮,李永杰,龔文志,邵壽潛,張曉軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市矩陣多元科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240729
技術(shù)公布日：2025/5/15