技術(shù)特征：

1.一種單晶雙聯(lián)導(dǎo)向葉片的蠟?zāi)＝Y(jié)構(gòu)，其特征在于，所述蠟?zāi)＝Y(jié)構(gòu)包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶雙聯(lián)導(dǎo)向葉片的蠟?zāi)＝Y(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一引晶道上的第一端的端面與水平面平行；所述第二引晶道上的第一端的端面與水平面平行。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單晶雙聯(lián)導(dǎo)向葉片的蠟?zāi)＝Y(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一引晶道具有第二端；其中，所述第一引晶道的第二端與第一端相對(duì)設(shè)置；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單晶雙聯(lián)導(dǎo)向葉片的蠟?zāi)＝Y(jié)構(gòu)，其特征在于，所述v型的引晶澆道通過(guò)模具壓制成型得到；

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單晶雙聯(lián)導(dǎo)向葉片的蠟?zāi)＝Y(jié)構(gòu)，其特征在于，所述葉片蠟?zāi)＿€包括葉片主體蠟?zāi)＃凰龅谝痪壈?1)具有相背設(shè)置的第一板面和第二板面；所述第二緣板(2)具有相背設(shè)置的第一板面和第二板面；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單晶雙聯(lián)導(dǎo)向葉片的蠟?zāi)＝Y(jié)構(gòu)，其特征在于，所述葉片蠟?zāi)＿€包括第一安裝部(5)和第二安裝部(6)；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單晶雙聯(lián)導(dǎo)向葉片的蠟?zāi)＝Y(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一安裝部(5)上設(shè)有第一引晶片(7)；所述第一引晶片(7)與第一引晶道的第一端連接；所述第二安裝部(6)上設(shè)有第二引晶片(8)；所述第二引晶片(8)與第二引晶道的第一端連接；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的單晶雙聯(lián)導(dǎo)向葉片的蠟?zāi)＝Y(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一安裝部(5)為具有設(shè)定寬度a的第一平臺(tái)；所述第一引晶片(7)的寬度b大于等于所述第一平臺(tái)的設(shè)定寬度a；

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的單晶雙聯(lián)導(dǎo)向葉片的蠟?zāi)＝Y(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二安裝部(6)為具有設(shè)定寬度a的第二平臺(tái)；所述第二引晶片(8)的寬度b大于等于所述第二平臺(tái)的設(shè)定寬度a；

10.一種單晶雙聯(lián)導(dǎo)向葉片，其特征在于，所述單晶雙聯(lián)導(dǎo)向葉片中的雜晶比例低于20％；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種單晶雙聯(lián)導(dǎo)向葉片的蠟?zāi)＝Y(jié)構(gòu)及單晶雙聯(lián)導(dǎo)向葉片，涉及高溫合金熔模精密鑄造技術(shù)領(lǐng)域，包括葉片蠟?zāi)＃喝~片蠟?zāi)０ㄏ鄬?duì)設(shè)置的第一緣板和第二緣板；引晶澆道蠟?zāi)＃阂驳老災(zāi)０ㄏ鄬?duì)設(shè)置的第一引晶道和第二引晶道；其中，第一引晶道上的第一端的端面與第一緣板的第一側(cè)面連接；第一引晶道上的第一端的端面和第一緣板的第一側(cè)面呈設(shè)定角度α；第二引晶道上的第一端的端面與第二緣板的第一側(cè)面連接；第二引晶道上的第一端的端面和第二緣板的第一側(cè)面呈設(shè)定角度α；其中，α為45～60°。當(dāng)緣板的第一側(cè)面與對(duì)應(yīng)引晶道的第一端的端面的夾角α為45°～60°時(shí)，緣板主體的橫截面積更小，單晶生長(zhǎng)路徑更窄，避免緣板主體中形成雜晶。

技術(shù)研發(fā)人員：王亮,孟杰,鄒明科,龐運(yùn)陽(yáng),王猛,張朝威,么麗娜,牟昊,周亦胄,孫曉峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院金屬研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15