1.一種直拉單晶產(chǎn)業(yè)化直徑生長自控的工藝方法，其特征在于：包括以下步驟：
1)、固定導流筒(3)位置:
固定爐體(1)內導流筒(3)下沿位置；
2)、固定液面位置:
固定坩堝(6)內硅溶液液面(7)距導流筒(3)下沿位置；
3)、固定CCD攝像機(8)位置:
將CCD攝像機(8)的攝像頭正對坩堝(6)內硅液單晶生長光圈，通過CCD攝像機(8)采集拉晶時的外徑尺寸，固定CCD攝像機(8)位置并校正單晶等徑生產(chǎn)時時的信號位置、明暗度及對比度；
4)、首爐直徑校正：
通過測量出爐單晶實際直徑，校正CCD攝像機(8)的顯示直徑；
5)、拉晶生產(chǎn):
通過堝升控制系統(tǒng)控制坩堝(6)內硅溶液液面(7)位置距導流筒(3)下沿距離不變，進行拉晶生產(chǎn)。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種直拉單晶產(chǎn)業(yè)化直徑生長自控的工藝方法，其特征在于：步驟1)中，通過爐體(1)上方設置的距離測試設備(5)確定導流筒(3)位置，確定方法為：在爐體(1)停爐狀態(tài)下，安裝熱場，不安裝坩堝(6)，石墨軸(4)上放置尺寸大于導流筒(3)下口直徑的定位平板(2)，然后在爐體(1)上安裝導流筒(3)至正常拉晶位置，石墨軸(4)上升直至定位平板(2)頂面和導流筒(3)下沿接觸，通過距離測試設備(5)測量該測試設備(5)和定位平板(2)間距離X，該數(shù)值X即為導流筒(3)下沿和距離測試設備(5)間距離，且該距離保持每爐不變。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種直拉單晶產(chǎn)業(yè)化直徑生長自控的工藝方法，其特征在于：步驟2)中液面位置確定方法為：將定位平板(2)取出，將坩堝(6)放置在石墨軸(4)上，在坩堝(6)內投放原料，石墨軸(4)下降至初始位置，啟動加熱器對坩堝(6)內原料加熱直至融化，堝升系統(tǒng)控制坩堝(6)上升，通過距離測試設備(5)測量坩堝(6)內硅溶液液面(7)距該距離測試設備間的距離Y,換算出坩堝內液面(7)與導流筒下沿間距離為Y-X,當該Y-X值和液面(7)距導流筒(3)底端的工藝要求設定距離相等時，石墨軸(4)停止移動，該液面(7)位置即為硅溶體拉晶位置。
4.根據(jù)權利要求1或2或3所述的一種直拉單晶產(chǎn)業(yè)化直徑生長自控的工藝方法，其特征在于：步驟4)中，通過測量出爐單晶實際直徑，校正CCD攝像機顯示直徑；其校正方式為：合爐后開始拉晶作業(yè)，單晶拉至轉肩后為等徑拉制，從轉肩開始到保持長度200mm，每10mm用測徑儀測量一次直徑，記錄每一個測試位置的CCD攝像機(8)顯示直徑值和測徑儀測量值，單晶出爐后使用游標卡尺對等徑部分的每10mm測量一次直徑，對CCD顯示直徑值、測徑儀所測直徑及游標卡尺測量直徑三組數(shù)據(jù)的對比分析，在下次單晶保持穩(wěn)定時校正CCD攝像機顯示直徑值。