1.一種單晶硅平收尾方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
步驟S01：關(guān)閉自動溫度控制系統(tǒng)，將坩堝的運動上升速度降為零；
步驟S02：手動升溫10～20℃，晶體的提拉速度降低至0.1～0.4mm/min，保持晶體繼續(xù)生長20～30min，此時晶體與固液界面接觸的一端由凹面生長為平面；
步驟S03：關(guān)閉晶體提拉速度的自動控制系統(tǒng)，手動調(diào)節(jié)晶體的提拉速度，使得晶體的提拉速度小于0.1mm/min，保持晶體繼續(xù)生長20～30min，此時晶體與固液界面接觸的一端由平面生長為凸面；
步驟S04：將坩堝一次性下降20～50mm，使得晶體脫離坩堝內(nèi)熔硅液面，然后降低晶體轉(zhuǎn)速和坩堝轉(zhuǎn)速；
步驟S05：晶體降溫，繼續(xù)提拉晶體獲得產(chǎn)品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅平收尾方法，其特征在于，所述步驟S02中，一次性手動升溫15℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅平收尾方法，其特征在于，所述步驟S02中，所述晶體的提拉速度降低至0.35mm/min。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單晶硅平收尾方法，其特征在于，所述步驟S02中，所述晶體的生長時間為25min。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單晶硅平收尾方法，其特征在于，所述步驟S03中，所述晶體的提拉速度降低至0.02mm/min或0.03mm/min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅平收尾方法，其特征在于，所述步驟S04中，所述晶體轉(zhuǎn)速和坩堝轉(zhuǎn)速降低至1～3轉(zhuǎn)/min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅平收尾方法，其特征在于，所述步驟S05中，通過手動調(diào)節(jié)加熱裝置的加熱功率使得晶體溫度降低，具體步驟如下：將所述加熱器的加熱功率設(shè)為50kW，保持10min；將所述加熱器的加熱功率設(shè)為30kW，保持10min；將所述加熱器的加熱功率設(shè)為0kW。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅平收尾方法，其特征在于，所述步驟S05中，所述晶體以6mm/min的速度上升20～50min。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅平收尾方法，其特征在于，所述收尾工序耗用時間為1～3小時。
10.一種單晶硅的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括多晶硅的裝料和熔化、種晶、縮頸、放肩、等徑生長和收尾，所述收尾為權(quán)利要求1～9任意一項所述的單晶硅平收尾方法。