1.一種用于使合成氣富含氫氣的方法，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述合成氣流包括小于10ppm的硫濃度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述臨界溫度t臨界為1050℉(565℃)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中相應(yīng)的o/c限值作為所述合成氣流的一氧化碳濃度和/或所述入口溫度t入口的函數(shù)來選擇或計(jì)算。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述o/c下限為2.5和/或其中所述o/c上限為3.0。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述o/c下限為1.69，并且所述o/c上限為4.25；并且其中所述合成氣流的一氧化碳濃度以干基計(jì)在15摩爾％至34摩爾％的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述o/c下限為1.5，并且所述o/c上限為5.0；并且其中所述合成氣流的一氧化碳濃度以干基計(jì)在15摩爾％至50摩爾％的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述合成氣流的一氧化碳濃度以干基計(jì)大于15摩爾％。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述合成氣流以大于15摩爾％的一氧化碳濃度和小于0.5的s/dg比被引入到所述水-氣變換反應(yīng)器中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述合成氣流以大于15摩爾％的一氧化碳濃度和大于0.67的s/dg比被引入到所述反應(yīng)器中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述合成氣流的一氧化碳濃度增加時(shí)，所述o/c下限被降低到降低的o/c下限和/或所述o/c上限被增加到增加的o/c上限；并且其中調(diào)節(jié)所述s/dg比，以保持所述o/c比低于所述降低的o/c下限或高于所述增加的o/c上限。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在將所述合成氣進(jìn)料到所述水-氣變換反應(yīng)器中的同時(shí)，將至少一部分的水在所述水-氣變換反應(yīng)器上游直接添加到所述合成氣中，和/或通過用水驟冷和/或洗滌來添加至少一部分的水。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述非鐵基催化劑以其活性形式包括鋅氧化鋁尖晶石和氧化鋅的混合物結(jié)合選自由na、k、rb、cs、cu、ti、zr及其混合物組成的組的促進(jìn)劑。
16.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述非鐵基催化劑具有在0.5和1.0之間的zn/al摩爾比，以及基于氧化的催化劑的重量在0.4重量％和8.0重量％之間的選自由na、k、rb、cs及其混合物組成的組的堿金屬的濃度。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中t入口在270℃至400℃的范圍內(nèi)。
18.一種用于使合成氣富含氫氣的方法，所述方法包括：
19.一種用于使合成氣富含氫氣的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括氣體分析儀，所述氣體分析儀用于確定所述合成氣流的一氧化碳濃度xco，并且用于生成代表所確定的一氧化碳濃度的濃度信號。