本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種半導(dǎo)體裝置、存儲裝置及電子設(shè)備。此外，本發(fā)明的一個(gè)方式不限定于上述。本說明書等所公開的發(fā)明的涉及一種物體、工作方法或制造方法。此外，本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種工序(process)、機(jī)器(machine)、產(chǎn)品(manufacture)或者組合物(composition?of?matter)。因此，具體而言，作為本說明書所公開的本發(fā)明的一個(gè)方式的的例子可以舉出半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、攝像裝置、存儲裝置、信號處理裝置、傳感器、處理器、電子設(shè)備、系統(tǒng)、它們的驅(qū)動方法、它們的制造方法或它們的檢查方法。

背景技術(shù)：

1、近年來，隨著使用數(shù)據(jù)量的增大，需要具有更大的存儲容量的存儲裝置。為了增加單位面積的存儲容量，像3d?nand型存儲裝置等那樣層疊存儲單元是有效的(參照專利文獻(xiàn)1至專利文獻(xiàn)3)。通過層疊存儲單元，可以與存儲單元的層疊數(shù)相應(yīng)地增加單位面積的存儲容量。

2、[先行技術(shù)文獻(xiàn)]

3、[專利文獻(xiàn)]

4、[專利文獻(xiàn)1]美國專利申請公開第2011/0065270號說明書

5、[專利文獻(xiàn)2]美國專利申請公開第2016/0149004號說明書

6、[專利文獻(xiàn)3]美國專利申請公開第2013/0069052號說明書

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

2、為了制造存儲容量大的存儲裝置，正在進(jìn)行存儲單元的微型化。此外，通過減小電容器或不使用電容器，可以使存儲單元微型化，但是存儲單元所具有的靜電電容值也減小，而難以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入、保持以及讀出。另外，當(dāng)靜電電容值小時(shí)，容易受到噪聲的影響，因此所保持的數(shù)據(jù)的值容易變化。

3、本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種電路面積小的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種存儲容量大的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種存儲密度高的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種新穎半導(dǎo)體裝置等。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種包括上述半導(dǎo)體裝置的存儲裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種包括上述存儲裝置的電子設(shè)備。

4、注意，本發(fā)明的一個(gè)方式的目的不局限于上述目的。上述目的并不妨礙其他目的的存在。此外，其他目的是上面沒有提到而將在下面的記載中進(jìn)行說明的目的。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以從說明書或附圖等的記載中導(dǎo)出并適當(dāng)抽出上面沒有提到的目的。此外，本發(fā)明的一個(gè)方式實(shí)現(xiàn)上述目的及其他目的中的至少一個(gè)目的。此外，本發(fā)明的一個(gè)方式并不需要實(shí)現(xiàn)所有的上述目的及其他目的。

5、解決技術(shù)問題的手段

6、本發(fā)明的一個(gè)方式鑒于上述目的的半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置層疊柵電極和溝道形成區(qū)域沿著高度方向設(shè)置的兩個(gè)晶體管。該晶體管與平面型晶體管(溝道形成區(qū)域沿著平面方向設(shè)置)相比可以縮小其設(shè)置面積。

7、另外，由于柵電極沿著高度方向設(shè)置，所以通過在開口的周圍設(shè)置導(dǎo)電層，可以由柵電極和該導(dǎo)電層形成電容器。就是說，兩個(gè)晶體管與該電容器互相重疊。

8、以下，記載本發(fā)明的一個(gè)方式的處理裝置的典型結(jié)構(gòu)例子。

9、(1)

10、本發(fā)明的一個(gè)方式是一種包括具有第一開口的第一層以及具有第二開口的第二層的半導(dǎo)體裝置。第二層位于第一層的上方。

11、第一層包括第一導(dǎo)電體、第二導(dǎo)電體、第三導(dǎo)電體、第四導(dǎo)電體、第一絕緣體、第二絕緣體、第三絕緣體、第四絕緣體、第五絕緣體及第一半導(dǎo)體。另外，第二層包括第五導(dǎo)電體、第六導(dǎo)電體、第七導(dǎo)電體、第六絕緣體、第七絕緣體及第二半導(dǎo)體。

12、第一開口位于第一導(dǎo)電體的上方，第一絕緣體位于第一導(dǎo)電體的頂面及第一開口的外側(cè)的側(cè)面，第二導(dǎo)電體位于第一絕緣體的頂面及第一開口的外側(cè)的側(cè)面，第二絕緣體位于第二導(dǎo)電體的頂面及第一開口的外側(cè)的側(cè)面，第三導(dǎo)電體位于第二絕緣體的頂面及第一開口的外側(cè)的側(cè)面。另外，第三絕緣體位于第二絕緣體的頂面及第三導(dǎo)電體的側(cè)面。另外，第一半導(dǎo)體在第一開口的內(nèi)部位于第一導(dǎo)電體的頂面、第一絕緣體的側(cè)面、第二導(dǎo)電體的側(cè)面、第二絕緣體的側(cè)面及第三導(dǎo)電體的側(cè)面，第四絕緣體位于第三絕緣體的頂面、第三導(dǎo)電體的頂面及第一半導(dǎo)體的頂面，第四導(dǎo)電體位于第四絕緣體的頂面中的第一開口的內(nèi)部及第一開口的上方。另外，第五絕緣體位于第四絕緣體的上方及第四導(dǎo)電體的側(cè)面，第五導(dǎo)電體位于第四導(dǎo)電體的頂面及第五絕緣體的頂面。

13、第二開口位于第五導(dǎo)電體的上方。另外，第六絕緣體位于第五絕緣體的頂面、第五導(dǎo)電體的頂面及第二開口的外側(cè)的側(cè)面，第六導(dǎo)電體位于第六絕緣體的頂面及第二開口的外側(cè)的側(cè)面。另外，第二半導(dǎo)體在第二開口的內(nèi)部位于第五導(dǎo)電體的頂面、第六絕緣體的側(cè)面及第六導(dǎo)電體的側(cè)面，第二半導(dǎo)體在第二開口的外部位于第六導(dǎo)電體的頂面。第七絕緣體位于第六絕緣體的頂面、第六導(dǎo)電體的頂面及第二半導(dǎo)體的頂面，第七導(dǎo)電體位于包括第二開口的內(nèi)部的第七絕緣體的頂面。

14、(2)

15、另外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種包括具有第一開口的第一層以及具有第二開口的第二層且具有與上述(1)不同的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。第二層位于第一層的上方。

16、第一層包括第一導(dǎo)電體、第二導(dǎo)電體、第三導(dǎo)電體、第四導(dǎo)電體、第一絕緣體、第二絕緣體、第三絕緣體、第四絕緣體、第五絕緣體及第一半導(dǎo)體。另外，第二層包括第六導(dǎo)電體、第七導(dǎo)電體、第六絕緣體、第七絕緣體及第二半導(dǎo)體。

17、第一開口位于第一導(dǎo)電體的上方，第一絕緣體位于第一導(dǎo)電體的頂面及第一開口的外側(cè)的側(cè)面，第二導(dǎo)電體位于第一絕緣體的頂面及第一開口的外側(cè)的側(cè)面，第二絕緣體位于第二導(dǎo)電體的頂面及第一開口的外側(cè)的側(cè)面，第三導(dǎo)電體位于第二絕緣體的頂面及第一開口的外側(cè)的側(cè)面。另外，第三絕緣體位于第二絕緣體的頂面及第三導(dǎo)電體的側(cè)面。另外，第一半導(dǎo)體在第一開口的內(nèi)部位于第一導(dǎo)電體的頂面、第一絕緣體的側(cè)面、第二導(dǎo)電體的側(cè)面、第二絕緣體的側(cè)面及第三導(dǎo)電體的側(cè)面，第四絕緣體位于第三絕緣體的頂面、第三導(dǎo)電體的頂面及第一半導(dǎo)體的頂面，第四導(dǎo)電體位于第四絕緣體的頂面中的第一開口的內(nèi)部及第一開口的上方。另外，第五絕緣體位于第四絕緣體的上方及第四導(dǎo)電體的側(cè)面。

18、第二開口位于第四導(dǎo)電體的上方。另外，第六絕緣體位于第五絕緣體的頂面、第四導(dǎo)電體的頂面及第二開口的外側(cè)的側(cè)面，第六導(dǎo)電體位于第六絕緣體的頂面及第二開口的外側(cè)的側(cè)面。另外，第二半導(dǎo)體在第二開口的內(nèi)部位于第四導(dǎo)電體的頂面、第六絕緣體的側(cè)面及第六導(dǎo)電體的側(cè)面，第二半導(dǎo)體在第二開口的外部位于第六導(dǎo)電體的頂面。第七絕緣體位于第六絕緣體的頂面、第六導(dǎo)電體的頂面及第二半導(dǎo)體的頂面，第七導(dǎo)電體位于包括第二開口的內(nèi)部的第七絕緣體的頂面。

19、(3)

20、另外，在上述(1)或(2)中，本發(fā)明的一個(gè)方式也可以具有第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體各自包含選自銦、鋅和元素m中的一個(gè)或多個(gè)的結(jié)構(gòu)。

21、元素m為選自鋁、鎵、硅、釔、錫、銅、釩、鈹、硼、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢、鈷、鎂和銻中的一個(gè)或多個(gè)。

22、(4)

23、另外，在上述(3)中，本發(fā)明的一個(gè)方式也可以具有第二開口的側(cè)面的錐角為45°以上且90°以下的結(jié)構(gòu)。

24、(5)

25、另外，在上述(4)中，本發(fā)明的一個(gè)方式也可以具有如下結(jié)構(gòu)：第一導(dǎo)電體和第六導(dǎo)電體在第一方向上延伸，第二導(dǎo)電體、第三導(dǎo)電體和第七導(dǎo)電體在第二方向上延伸。

26、(6)

27、另外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種包括上述(1)至(5)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置以及驅(qū)動電路的存儲裝置。驅(qū)動電路位于半導(dǎo)體裝置的下方。另外，驅(qū)動電路形成在包含硅的半導(dǎo)體襯底上。另外，驅(qū)動電路包括在溝道形成區(qū)域中包含硅的晶體管。

28、(7)

29、另外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種包括上述(6)所述的存儲裝置以及框體的電子設(shè)備。

30、發(fā)明效果

31、如上所述，通過采用兩個(gè)晶體管與該電容器互相重疊的結(jié)構(gòu)，可以縮小其設(shè)置面積。由此，可以提高存儲密度。此外，通過采用該結(jié)構(gòu)，可以設(shè)置電容器而不增加電路面積。

32、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種電路面積小的半導(dǎo)體裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種存儲容量大的半導(dǎo)體裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種存儲密度高的半導(dǎo)體裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種新穎半導(dǎo)體裝置等。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種包括上述半導(dǎo)體裝置的存儲裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種包括上述存儲裝置的電子設(shè)備。

33、注意，本發(fā)明的一個(gè)方式的效果不局限于上述效果。上述效果并不妨礙其他效果的存在。此外，其他效果是上面沒有提到而將在下面的記載中進(jìn)行說明的效果。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以從說明書或附圖等的記載中導(dǎo)出并適當(dāng)抽出上面沒有提到的效果。此外，本發(fā)明的一個(gè)方式具有上述效果及其他效果中的至少一個(gè)效果。因此，本發(fā)明的一個(gè)方式有時(shí)根據(jù)情況沒有上述效果。