技術(shù)特征：

1.一種超疏水光催化自清潔薄膜，其特征在于，所述自清潔薄膜為雙層結(jié)構(gòu)，包括上層和下層，所述下層為與所述自清潔薄膜平面垂直的硅氮雙摻雜二氧化鈦納米棒陣列，所述上層為與所述自清潔薄膜平面平行的低表面能硅氧類(lèi)物質(zhì)薄膜，所述低表面能硅氧類(lèi)物質(zhì)薄膜是由聚二甲基硅氧烷熱分解得到的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超疏水光催化自清潔薄膜，其特征在于：所述硅氮雙摻雜二氧化鈦納米棒陣列中的二氧化鈦由金紅石相tio2和銳鈦礦相tio2組成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超疏水光催化自清潔薄膜，其特征在于，所述硅氮雙摻雜二氧化鈦納米棒陣列中的二氧化鈦納米棒呈四棱柱狀，直徑為60~180?nm，長(zhǎng)度為50?nm~2.9?μm。

4.權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的超疏水光催化自清潔薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超疏水光催化自清潔薄膜的制備方法，其特征在于，步驟s1具體包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超疏水光催化自清潔薄膜的制備方法，其特征在于，s11中，鈦酸四丁酯和正硅酸乙酯的體積比為1：（0.03~0.15），鹽酸溶液a的濃度為15%~27%。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超疏水光催化自清潔薄膜的制備方法，其特征在于，s12中，水熱反應(yīng)溫度為140~195?oc，水熱反應(yīng)時(shí)間為2~16小時(shí)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超疏水光催化自清潔薄膜的制備方法，其特征在于，s12具體包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超疏水光催化自清潔薄膜的制備方法，其特征在于，s2具體包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的超疏水光催化自清潔薄膜的制備方法，其特征在于，s23中，反應(yīng)時(shí)間為1.5~9.5小時(shí)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種新型的超疏水光催化自清潔薄膜及其制備方法。所述自清潔薄膜為雙層結(jié)構(gòu)，包括上層和下層，所述下層為與所述自清潔薄膜平面垂直的硅氮雙摻雜二氧化鈦納米棒陣列，所述上層為與所述自清潔薄膜平面平行的低表面能硅氧類(lèi)物質(zhì)薄膜，所述低表面能硅氧類(lèi)物質(zhì)薄膜是由聚二甲基硅氧烷熱分解得到的。本發(fā)明氮的摻雜促使TiO2可見(jiàn)光響應(yīng)，提高了太陽(yáng)光的利用效率；硅的均勻摻雜產(chǎn)生少量Ti3+，與Ti4+之間形成內(nèi)建電場(chǎng)，促進(jìn)光生載流子的快速分離和遷移，提高光催化活性；聚二甲基硅氧烷高溫分解產(chǎn)生的低表面能硅氧類(lèi)物質(zhì)沉積在TiO2納米棒陣列頂端，實(shí)現(xiàn)了超疏水特性。

技術(shù)研發(fā)人員：李竹琳,康生,蔡博宇,魯姣
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華夏富康環(huán)境科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15