本發(fā)明涉及電子材料與器件,具體涉及一種高穩(wěn)定抗還原的x7r電介質(zhì)鈦酸鋇基納米陶瓷及其制備方法。
背景技術(shù):
1、隨著現(xiàn)代電子工業(yè)的快速發(fā)展,市場上對多層陶瓷電容器(mlccs)的要求也越來越高,既要小型化也要可靠性高。鈦酸鋇(batio3)基介電材料面臨著新的挑戰(zhàn)與要求,除了保持以往所重視的高溫穩(wěn)定性外,高性能的鈦酸鋇陶瓷介電材料還必須具備以下特性:晶粒尺寸小、抗還原能力強、直流偏壓穩(wěn)定性優(yōu)異。
2、陶瓷是由晶粒和晶界所構(gòu)成的,為了滿足現(xiàn)在鈦酸鋇陶瓷的小型化的要求,需要足夠小的粒徑mlcc才能擁有更多的層數(shù),以日本著名mlcc廠商村田為例,介質(zhì)層厚度從2003年的約10μm發(fā)展到如今的0.3μm,層數(shù)從不到100層增加到1000層以上。但普通鈦酸鋇介質(zhì)陶瓷一般燒結(jié)溫度在1200℃以上,在1200℃的燒結(jié)溫度下,即使使用納米級的純batio3粉體作為原料,鈦酸鋇陶瓷的晶粒仍會生長到幾百納米甚至幾微米的大小,而且在居里溫度附近出現(xiàn)的顯著相變峰,對其溫度穩(wěn)定性構(gòu)成了嚴峻挑戰(zhàn),這在一定程度上阻礙了其在mlcc領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。其次,介質(zhì)的抗還原性對于降低生產(chǎn)成本至關(guān)重要,因為采用cu、ni等賤金屬作為mlcc的內(nèi)電極可以顯著降低生產(chǎn)成本。然而,鈦酸鋇的本征氧容易受到還原性氣氛的攻擊而丟失,形成氧空位,并產(chǎn)生大量的氧空位和電子。由于電子具有良好的傳輸性,大量電子的存在會導(dǎo)致介質(zhì)瓷料的導(dǎo)電性增加,電阻率下降,從而使鈦酸鋇陶瓷介電材料半導(dǎo)化。隨著介質(zhì)層的變薄和層數(shù)的增多,每層介質(zhì)中的直流電場強度也會增加,因此偏壓穩(wěn)定性不佳。
3、因此,開發(fā)出一種瓷粉,在燒結(jié)過程中不隨著溫度升高而長大,使得制備的陶瓷介質(zhì)具備小晶粒尺寸、良好抗還原能力、優(yōu)異直流偏壓穩(wěn)定性以及高溫度穩(wěn)定性的鈦酸鋇介電材料迫在眉睫。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足而提供一種高穩(wěn)定抗還原的x7r鈦酸鋇基納米陶瓷,陶瓷晶粒為納米粒徑,而且擁有高介電常數(shù)(≧1500),低損耗(≦1%)、高電阻率(大于10^11ω.cm),以及優(yōu)異的直流偏壓穩(wěn)定性(偏壓穩(wěn)定性≦5%),且溫度穩(wěn)定性符合x7r的規(guī)范標準,電學(xué)性能優(yōu)異。
2、本發(fā)明為解決上述提出的問題所采用的技術(shù)方案為:
3、一種高穩(wěn)定抗還原的x7r電介質(zhì)鈦酸鋇基納米陶瓷,其由yb2o3包覆鈦酸鋇的核殼結(jié)構(gòu)瓷粉燒結(jié)所得;所述核殼結(jié)構(gòu)瓷粉以batio3晶粒為內(nèi)核,yb2o3為殼層,yb2o3殼層包覆在batio3晶粒的表面形成核殼結(jié)構(gòu);其中,batio3晶粒的平均粒徑在在80~120nm之間,yb2o3殼層的厚度不超過5nm。
4、上述高穩(wěn)定抗還原的x7r電介質(zhì)鈦酸鋇基納米陶瓷,其內(nèi)核batio3晶粒與yb2o3殼層的摩爾比為1:(2%~4%),所以化學(xué)組成表達式可以寫為bt-x%molyb2o3,其中bt代表batio3,x為2~4,代表理論yb2o3物質(zhì)的量占batio3物質(zhì)的量的百分含量。
5、按上述方案,所述batio3晶粒的粒徑分布在50~200nm范圍內(nèi)的占比不低于80%,優(yōu)選粒徑分布在60~150nm的晶粒百分比不低于80%;yb2o3殼層的厚度優(yōu)選1~4nm,更優(yōu)選2~3nm。
6、上述高穩(wěn)定抗還原的x7r鈦酸鋇基納米陶瓷的制備方法,主要步驟如下:
7、(1)將晶粒尺寸為50~200nm的鈦酸鋇粉體作為基礎(chǔ)原料,以硅烷偶聯(lián)劑作為分散劑,異丙醇作為溶劑,混合后,經(jīng)攪拌和/或超聲,充分分散均勻后,得到單分散的鈦酸鋇懸濁液a;
8、(2)稱取yb(no3)3溶解在適量的去離子水中,劇烈攪拌,得到y(tǒng)b(no3)3溶液;
9、(3)將步驟(1)所述鈦酸鋇懸濁液a和步驟(2)所得yb(no3)3溶液按照batio3與yb3+的摩爾比為1:(4%~8%)混合,加熱攪拌,得到混合溶液;
10、(4)采用堿調(diào)節(jié)步驟(3)所得混合溶液的ph穩(wěn)定在9~11,使混合溶液中的yb3+離子與oh-反應(yīng)生成沉淀yb(oh)3包覆在鈦酸鋇表面上,得到懸濁液b;
11、(5)步驟(4)所得懸濁液b經(jīng)過陳化后干燥,再煅燒后,得到y(tǒng)b2o3包覆鈦酸鋇的核殼結(jié)構(gòu)瓷粉;
12、(6)將步驟(5)所得瓷粉與粘結(jié)劑混合球磨,造粒過篩,干壓成型得到陶瓷生坯;陶瓷生坯在空氣中500~700℃保溫1.5~3小時排出粘結(jié)劑,然后在還原氣氛下1180~1300℃燒結(jié)1~3小時,得到本發(fā)明所述高穩(wěn)定抗還原的x7r鈦酸鋇基納米陶瓷。
13、按上述方案,步驟(1)中,分散劑的加入量是鈦酸鋇質(zhì)量的0.5%~5%,異丙醇的加入量是鈦酸鋇質(zhì)量的15~25倍;攪拌轉(zhuǎn)速為800~1500r/min,攪拌時間為20~40min;超聲頻率為30~80khz,超聲時間為30~50min。
14、按上述方案,步驟(2)中,yb(no3)3溶液的濃度在0.01~0.04g/ml。
15、按上述方案,步驟(3)中,采用水浴加熱,加熱溫度為30~60℃,攪拌轉(zhuǎn)速為800~1500r/min,加熱時間為20~40min。
16、按上述方案,步驟(4)中,優(yōu)選采用氨水調(diào)節(jié)ph值,且緩慢逐滴加入。
17、按上述方案,步驟(5)中,陳化時間為8~16小時,干燥溫度為90~120℃;煅燒是在馬弗爐中以0.5~2℃/min的升溫速率升溫至500~800℃保溫1~3h。
18、按上述方案,步驟(6)中,所述的粘結(jié)劑優(yōu)選聚乙烯醇水溶液,濃度為2~6wt%,其加入量為瓷粉質(zhì)量的2~12%;所述的過篩優(yōu)選為80~120目篩;所述的干壓成型優(yōu)選采用150~200mpa的壓力。
19、按上述方案,步驟(6)中,排膠是以0.5~2℃/min的升溫速率升溫至500~700℃保溫1~3h,以便排出聚乙烯醇。
20、按上述方案,步驟(6)中,所述的燒結(jié)是以3~10℃/min的升溫速率升溫至900~1100℃,隨后以1.5~2.5℃/min的升溫速率升溫至1220℃~1320℃保溫1.5~2.5小時,然后隨爐自然冷卻。
21、按上述方案,步驟(6)中,還原性氣氛由氫氣和惰性氣體組成,或者由氫氣和氮氣組成,其中氫氣體積分數(shù)占總體積的0.4~0.6%。
22、上述方案制備的高穩(wěn)定抗還原的x7r鈦酸鋇基納米陶瓷,其電阻率在1011~1012ω·cm范圍內(nèi),介電常數(shù)大于1500,介電損耗低于1%,在-55~125℃溫度穩(wěn)定性tcc≦15%滿足x7r規(guī)范標準,在0~2v/μm直流偏壓電場下偏壓變化率小于5%。
23、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果如下:
24、1.優(yōu)異的電學(xué)性能:yb2o3包覆鈦酸鋇的核殼結(jié)構(gòu)瓷粉在燒結(jié)成陶瓷后,依然保持了小晶粒尺寸(約100nm),同時具備高介電常數(shù)(≧1500)、低損耗(≦1%)、高電阻率(大于10^11ω·cm)、溫度穩(wěn)定性符合x7r規(guī)范標準以及優(yōu)異的直流偏壓穩(wěn)定性(≦5%),這些性能確保了mlcc在不同環(huán)境下的穩(wěn)定工作。
25、2.抗還原性能提升:致密的yb2o3包覆層不僅作為屏障,在經(jīng)歷高溫?zé)蛇^程中核殼結(jié)構(gòu)不會遭到破壞,而且正是因為這層從粉體到陶瓷都存在的致密包覆層的存在,有效阻止了還原性氣氛與鈦酸鋇的直接接觸,還抑制了鈦酸鋇本征氧的釋放顯著提升了陶瓷的抗還原性能,這使得采用cu、ni等賤金屬作為mlcc內(nèi)電極成為可能,適合超薄介質(zhì)層賤金屬內(nèi)電極多層陶瓷電容器的生產(chǎn),可以有效降低生產(chǎn)成本。
26、3.粒徑控制:本發(fā)明通過化學(xué)包覆法在粒徑100nm左右的鈦酸鋇(batio3)粉體表面形成了一層致密的yb2o3包覆層,在粉體端就形成了核殼結(jié)構(gòu),有效抑制了鈦酸鋇在高溫?zé)Y(jié)過程中的晶粒長大現(xiàn)象,且包覆層不隨著燒瓷的過程遭到破壞,這不僅滿足了多層陶瓷電容器(mlcc)對小型化的需求,還保證了陶瓷介質(zhì)層具有更多的層數(shù)和更薄的介質(zhì)層厚度,從而提高了電容器的性能。
27、4.工藝簡單,易于實施:本發(fā)明的制備方法步驟清晰、操作簡便,易于在工業(yè)生產(chǎn)中推廣和應(yīng)用。通過調(diào)整yb2o3的包覆量和燒結(jié)條件,可以進一步優(yōu)化陶瓷的性能,滿足不同領(lǐng)域和應(yīng)用的需求。