本發(fā)明涉及電流檢測裝置領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

在微電子和信號處理的一般領(lǐng)域中，能夠?qū)﹄S時(shí)間變化的電流進(jìn)行檢測是必要的。例如，一種重要應(yīng)用由電流放大形成。另一種重要應(yīng)用是由電流調(diào)節(jié)形成，以便于明顯地避免多種有害影響，諸如，強(qiáng)度漂移(減小或增大隨機(jī)波動(dòng))或者瞬時(shí)強(qiáng)度跳躍(非常急劇且短暫的減小或增大)。

存在多種用于檢測電流的方法，這些方法基于實(shí)時(shí)測量從主導(dǎo)體中流動(dòng)的電流得到的該電流的強(qiáng)度的原理，所得到的電流通過經(jīng)校準(zhǔn)的電阻器，該經(jīng)校準(zhǔn)的電阻器具有較大的值從而使得所述測量不會(huì)或者幾乎不會(huì)對主電流造成影響。該電阻器兩端的電壓v(t)的測量值與主電流i(t)成正比例。

在直流電流(DC)條件(DC)下，這樣的裝置操作良好。

另一方面，在交流電流條件(AC)下，限制的主要來源由分支電路的阻抗組成，其限制了通帶寬度向高頻段的擴(kuò)展。

此外，所述分支電路的頻譜響應(yīng)并不均勻。

較寬的通帶寬度和均勻的通帶寬度是難以同時(shí)獲得的特征。

應(yīng)當(dāng)強(qiáng)調(diào)的是，頻譜響應(yīng)的缺陷可能會(huì)引入分路電流的時(shí)間失真，該時(shí)間失真的分路電流可能與電路的其余部分耦合，例如從而改變主電流，這會(huì)給模擬RF信號的純度帶來特別的麻煩，或者可能會(huì)輻射寄生電磁(EM)波，這會(huì)給相鄰部件的操作帶來麻煩。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的在于尤其是提出一種改進(jìn)的電流檢測裝置以克服該問題。

為此，本發(fā)明的目的是一種電流檢測裝置，其特征在于，該電流檢測裝置包括：第一導(dǎo)線，在所述第一導(dǎo)線中流過待測量的外部電流，所述第一導(dǎo)線在該第一導(dǎo)線附近生成外部磁場；以及

磁力傳感器，所述磁力傳感器設(shè)置在所述第一導(dǎo)線附近，對所述外部磁場的通量敏感并且能夠生成對應(yīng)于所述外部電流的測量信號。

有利地，電流檢測裝置是寬帶裝置，即，其具有高截止頻率；電流檢測裝置在通帶寬度具有均勻響應(yīng)；以及在輸出端處生成比所測量的分路電流具有較高強(qiáng)度的電流，即，電流檢測裝置對待測量的電流進(jìn)行了放大。

根據(jù)特定實(shí)施例，單獨(dú)考慮這些特定實(shí)施例或根據(jù)這些實(shí)施例的所有技術(shù)上可能的組合，電流檢測裝置包括一個(gè)或更多個(gè)下列特點(diǎn)：

磁力傳感器包括：磁傳感器，所述磁傳感器具有表面，并且當(dāng)所述磁傳感器處于生成穿過所述表面的磁通量的磁場時(shí)所述磁傳感器生成響應(yīng)信號；

控制電路，所述控制電路的輸入為磁力計(jì)的響應(yīng)信號并且所述控制電路在輸出端生成反饋電流；以及第二導(dǎo)線，所述第二導(dǎo)線位于所述磁傳感器附近并且連接至所述控制電路的所述輸出端，所述反饋電流流過所述第二導(dǎo)線，所述控制電路和所述第二導(dǎo)線使得一反饋磁場被生成，所述反饋磁場的穿過所述磁傳感器的所述表面的通量在每個(gè)時(shí)刻大體上抵消所述外部磁場的通量，所述電流檢測裝置的輸出信號由所述反饋電流形成；

磁傳感是超導(dǎo)磁傳感器；

控制電路包括比較單元以及電流源，所述比較單元能夠?qū)⑺龃艂鞲衅鞯捻憫?yīng)信號與參考信號進(jìn)行比較，并且生成比較信號，所述電流源受所述比較信號控制并且能夠生成所述反饋電流；

電流檢測裝置具有擴(kuò)展的通帶寬度并且在所述通帶寬度上具有線性且均勻的響應(yīng)；

磁傳感器由多個(gè)基本磁傳感器組成，所述多個(gè)基本磁傳感器串聯(lián)連接在所述控制電路的輸入端之間；

所述第一導(dǎo)線和所述第二導(dǎo)線被成形為在所述磁傳感器的表面的平面內(nèi)平行延伸；所述外部電流沿著第一方向流動(dòng)，以及所述反饋電流沿著第二方向流動(dòng)，所述第二方向與所述第一方向相反；

第一導(dǎo)線和/或所述第二導(dǎo)線圍繞所述磁傳感器的所述表面形成回路，所述回路包括至少一圈。

所述磁傳感器由多個(gè)基本磁傳感器組成，所述多個(gè)基本磁傳感器串聯(lián)連接在所述控制電路的輸入端之間，所述第一導(dǎo)線和所述第二導(dǎo)線圍繞所述多個(gè)基本磁傳感器周圍形成多個(gè)曲流；

基本磁傳感器是非對稱的，所述基本磁傳感器設(shè)置于每兩個(gè)曲流中的一個(gè)曲流中，或者所述基本磁傳感器是對稱的，每個(gè)曲流中都設(shè)置有基本磁傳感器；

第一導(dǎo)線的一部分與所述磁力傳感器設(shè)置能夠與外界磁隔離的殼體中。

附圖說明

通過閱讀下文的、僅僅作為示例給出且參考附圖作出的關(guān)于實(shí)施例和用途的描述，將更好地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，在附圖中：

圖1是電流測量裝置的框圖；

圖2是圖1中的裝置的所謂的回路實(shí)施例的示意圖；

圖3是圖1中的裝置的所謂的中間實(shí)施例的示意性說明；

圖4是圖1中的裝置的應(yīng)用了非對稱磁傳感器的所謂的曲流(meander)實(shí)施例的示意圖；

圖5是圖1中的裝置的應(yīng)用了對稱磁傳感器的所謂的曲流實(shí)施例的示意圖；

圖6是所謂的回路實(shí)施例的密集二維集中的簡化圖；以及

圖7是所謂的曲流實(shí)施例的密集二維集中的簡化圖。

具體實(shí)施方式

在圖1中，示出了電流檢測裝置300。

電流檢測裝置300包括殼體302、第一導(dǎo)線306以及磁傳感器310。

殼體302限定了與外界磁隔離，特別是與地球磁場或擾動(dòng)磁場(例如由無線電波生成的擾動(dòng)磁場)磁隔離的腔體。殼體302由能夠屏蔽這些外部場的合適材料制成。

第一導(dǎo)線306從外部延伸到由殼體302所限定的腔體內(nèi)。待測量的外部電流i_ext(t)穿過導(dǎo)線306。當(dāng)外部電流i_ext(t)在導(dǎo)線306中流動(dòng)時(shí)，其會(huì)在導(dǎo)線306周圍，特別是殼體302的內(nèi)側(cè)生成外部磁場B_ext。外部磁場B_ext關(guān)于外部電流i_ext成線性。外部電流i_ext(t)隨時(shí)間t變化。同樣地，外部磁場B_ext(t)也隨時(shí)間t變化。

磁力傳感器310能夠測量殼體302內(nèi)的外部磁場B_ext(t)，以便于間接獲得電流i_ext(t)的測量值。

磁力傳感器310包括磁傳感器312、控制電路314以及導(dǎo)線316。

磁傳感器312包括對磁場敏感的部件，該部件能夠以電壓或電流的形式發(fā)出與該部件所在的磁場相對應(yīng)的測量信號V。

在磁傳感器中，已知光學(xué)磁傳感器，諸如，具有金剛石N-V中心的傳感器，其中，當(dāng)晶體處于外部磁場B_ext時(shí)，該晶體中的形成雜質(zhì)的原子的電子在兩個(gè)能級之間的躍遷會(huì)發(fā)生變化。所述躍遷的變化會(huì)改變被合適的激光照亮的晶體的響應(yīng)。這種磁傳感器在室溫下工作。

晶體的響應(yīng)在所使用的躍遷寬度的特征頻率周圍是線性的，但是頻率范圍減小。

在磁傳感器中，超導(dǎo)磁傳感器也是已知的，所述超導(dǎo)磁傳感器受到特別關(guān)注，因?yàn)槠涮峁┝宋锢砩峡蛇_(dá)到的最大靈敏度。這種使用超導(dǎo)材料的磁傳感器可以在低溫下工作，對于所謂的具有高臨界溫度的超導(dǎo)材料而言在大約80開爾文(K)下工作；或者在對于所謂的具有低臨界溫度的超導(dǎo)材料而言在大約一毫開爾文下工作。

超導(dǎo)磁傳感器是超導(dǎo)量子干涉器件(SQUID)部件或超導(dǎo)量子干涉濾光器(SQIF)部件。SQIF部件由串聯(lián)連接、并聯(lián)連接或上述兩種連接方式的SQUID部件的矩陣組成。

SQUID部件和SQIF部件由于其工作原理而具有非線性響應(yīng)，即，穿過部件的表面S的外磁場B_ext的通量φ所感應(yīng)的電壓V(φ)并不是所述通量φ_ext的線性函數(shù)，因而不是外磁場B_ext的線性函數(shù)。

對于SQUID部件而言，這種響應(yīng)是正弦波。在這正弦波的拐點(diǎn)區(qū)域中，一階特性是線性的。然而，此區(qū)域?qū)?yīng)于相對窄的通量范圍。

對于SQIF部件而言，除周期性位于某些特征點(diǎn)周圍的區(qū)域之外，響應(yīng)都是均勻的，V(φ)＝cste，而在所述某些特征點(diǎn)周圍的區(qū)域，外磁場B_ext的通量φ_ext等于整數(shù)倍的特征通量φ₀，所謂的“磁通量子”。因此，SQIF部件的響應(yīng)采用“反轉(zhuǎn)梳”形狀。

對于改進(jìn)的具有特定結(jié)構(gòu)的SQIF部件，除了在原點(diǎn)周圍的區(qū)域之外，響應(yīng)都是均勻的，而在原點(diǎn)周圍的區(qū)域，該響應(yīng)被抵消，φ_ext＝0。在該區(qū)域中，關(guān)于原點(diǎn)對稱的響應(yīng)是準(zhǔn)線性的。然而，此區(qū)域?qū)?yīng)于相對窄的通量范圍。

磁傳感器312是超導(dǎo)磁傳感器。

磁傳感器312具有矩形平行六面體形狀。磁傳感器312厚度小并且具有活性表面S，該活性表面S大體上是平面的并且具有沿著磁傳感器的厚度方向的法線。

磁傳感器312能夠在其兩個(gè)輸出端生成響應(yīng)信號，在此該響應(yīng)信號為電壓V。該電壓V是穿過表面S的總瞬時(shí)磁通量φ(t)的函數(shù)。

控制電路314在其兩個(gè)輸入端E1和E2之間接收由磁傳感器312產(chǎn)生的響應(yīng)信號V(φ(t))，并且在其兩個(gè)輸出端S1和S2生成反饋電流i_CR(t)。

更具體地，控制電路包括比較單元22，該比較單元22與所述輸入端E1和E2連接并且能夠?qū)㈨憫?yīng)信號V(φ(t))與參考信號V₀進(jìn)行比較并且生成比較信號。

控制電路314包括電流源24，該電流源24受比較信號控制并且能夠在兩個(gè)輸出端之間生成反饋電流i_CR(t)。

導(dǎo)線316連接在控制電路314的輸出端S1和S2之間。導(dǎo)線316被成形為能夠在磁傳感器312附近延伸。反饋電流i_CR(t)穿過導(dǎo)線316。因此，導(dǎo)線316在其周圍生成反饋磁場B_CR(t)。磁場B_CR(t)關(guān)于電流i_CR(t)成線性。磁場B_CR(t)生成穿過磁傳感器312的表面S的反饋通量φ_CR(t)：φ_CR(t)＝B_CR(t).S。

在每個(gè)時(shí)刻，磁傳感器312所遞送的響應(yīng)信號V(t)取決于穿過表面S的總磁通量φ(t)。

該總通量φ(t)是反饋通量φ_CR(t)與由待測量的外磁場B_ext(t)根據(jù)關(guān)系式φ_ext(t)＝B_ext(t).S得到的外通量φ_ext(t)之和。

當(dāng)磁傳感器312所接收的總通量φ(t)為常量時(shí)，傳感器310處于平衡狀態(tài)。在這些條件下，通過恒定地強(qiáng)加瞬時(shí)反饋，反饋電流i_CR(t)表示外磁場B_ext(t)的線性測量值。

為了保持這種平衡狀態(tài)，對傳感器310的幾何參數(shù)和物理參數(shù)進(jìn)行選擇，使得：反饋通量與外通量相反，并且磁傳感器312的響應(yīng)V(t)可以瞬間減小到參考電壓V₀。換句話說，控制電路314和導(dǎo)線316使得：生成反饋磁場，該反饋磁場的穿過磁傳感器的活性表面的通量在每個(gè)瞬間都基本上抵消了外磁場的通量。

應(yīng)當(dāng)注意的是，如果外磁場B_ext具有DC分量，則穩(wěn)定點(diǎn)是參考電壓V₀偏移了一常量。

通過恰當(dāng)?shù)剡x擇參考電壓V₀，針對磁傳感器312的其中倒數(shù)具有最大值的響應(yīng)區(qū)域，獲得傳感器310的最大靈敏度。對于SQUID型超導(dǎo)磁傳感器，最大靈敏度對應(yīng)于正弦波響應(yīng)的拐點(diǎn)。對于SQIF型超導(dǎo)磁傳感器，最大靈敏度對應(yīng)于原點(diǎn)，可選地略微偏離于原點(diǎn)，以避免因這種磁傳感器的對稱響應(yīng)造成的場的符號不清楚，進(jìn)而避免造成電流的符號不清楚。

應(yīng)當(dāng)強(qiáng)調(diào)的是，對于磁力傳感器310，磁傳感器312的響應(yīng)信號并不認(rèn)為是測量信號，而是認(rèn)為是反饋回路的調(diào)節(jié)信號。這是形成測量信號的反饋信號。

因此，通過將磁傳感器的操作限定在其具有高靈敏度和線性特性的窄區(qū)域中，電流檢測裝置在擴(kuò)展的通帶寬度上具有高靈敏度、線性且均勻特性。

有利地，為了使傳感器具有良好的靈敏度，由于流過電流的導(dǎo)線周圍的磁場線具有環(huán)形形狀，因此第一導(dǎo)線306和第二導(dǎo)線316位于磁傳感器312的表面S的平面P中。

此外，當(dāng)外部電流不具有任何DC分量時(shí)并且當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)線306和第二導(dǎo)線316關(guān)于磁傳感器312完美對稱時(shí)，在每個(gè)時(shí)刻，反饋電流都精確對應(yīng)于待測量的外部電流：i_CR(t)＝i_ext(t)。

可以引入電流放大因子，其定義成如下：

G＝|i_CR(t)|/|i_ext(t)|，

通過選擇如下幾何形狀，其中，第二導(dǎo)線316被設(shè)置成與磁傳感器312的中心相距距離x2，以及第一導(dǎo)線306被設(shè)置成與磁傳感器312的中心相距距離x1，其中，x2大于x1。

圖1示出了一個(gè)實(shí)施例，其中，第一導(dǎo)線306和第二導(dǎo)線316是直線并且分別位于磁傳感器312的一側(cè)和另一側(cè)。

可以設(shè)想其他實(shí)施例。

因此，在圖2中，檢測裝置400具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)。圖2中等同于或者類似于圖1中的裝置的元件的裝置的元件使用相似的附圖標(biāo)記來標(biāo)記，相應(yīng)的元件的附圖標(biāo)記相對于圖1中的元件的附圖標(biāo)記增加了100。

第一導(dǎo)線406被成形為能夠圍繞磁傳感器412形成第一回路。磁傳感器412于是對電流回路所感應(yīng)的通量φ_ext(t)進(jìn)行測量，而不是對直線導(dǎo)線所感應(yīng)的通量進(jìn)行測量。通過采用環(huán)形回路，由此在圖4的直線結(jié)構(gòu)與環(huán)狀結(jié)構(gòu)之間引入了等于π的乘積因子。

此外，通過使第一導(dǎo)線406成形為使得：第一回路包括N1>1圈，穿過表面S的外通量φ_ext(t)與因子N1相乘。

這些乘積因子的引入提供了裝置400的靈敏度大于裝置300的靈敏度的可能性。

有利地，還可以使第二導(dǎo)線成形為使得：形成包括N2圈的第二回路。

由于第一回路和第二回路具有相同的直徑，通過選擇其中N1等于G，N2等于1的結(jié)構(gòu)這種簡單的方式獲得整數(shù)放大因子G。更普遍地，簡單地通過選擇：即可獲得整數(shù)放大因子G。

該環(huán)狀結(jié)構(gòu)具有寬帶響應(yīng)。

主要通過輻射阻抗R_rad的作用來將通帶寬度限定在高頻處，輻射阻抗R_rad與f⁴成比例，其中f是反饋電流i_CR的頻率。這里的輻射阻抗替代了由導(dǎo)線416形成的回路的電感造成的另一限制，所述電感與f成比例。

通過減小由導(dǎo)線416形成的電路的尺寸，輻射阻抗R_rad可以減小，以盡可能地推回至傳感器410的高截止頻率。

另一缺點(diǎn)是，根據(jù)法則第一回路使第二回路中感應(yīng)“寄生”電流i_ind(t)。

其中，Z是第二反饋回路的阻抗。

因此，兩個(gè)回路均表現(xiàn)為類似于電流變換器，并且i_ind(t)表示外部電流i_ext(t)的測量值。

為了利用磁傳感器的屬性，于是將控制電流414適配成生成反饋電流，使得：

i_CR(t)＝2.i_ind(t)

反饋電流注入到第二導(dǎo)線，以沿著與所感應(yīng)的電流的方向相反的方向流動(dòng)。

這樣具有如下效果：精確地抵消磁傳感器412內(nèi)的總通量(至一常量內(nèi))，進(jìn)而恰當(dāng)?shù)厮欧刂品答侂娏鳌?/p>

回路結(jié)構(gòu)使得能夠?qū)⒚芏纫砸痪S或二維形式集中到平面P中，這在圖6中進(jìn)行了示意性地說明。

該回路結(jié)構(gòu)提供了使得磁傳感器具有減小的尺寸的可能性。

在圖3中，示出了檢測裝置500，其是介于裝置300和裝置400之間的中間實(shí)施例。圖3中等同于或者類似于圖1中的裝置的元件的裝置對應(yīng)的元件，使用相似的附圖標(biāo)記來標(biāo)記，相應(yīng)的元件的附圖標(biāo)記相對于圖1中的元件的附圖標(biāo)記增加了大約200。

在該實(shí)施例中，如果第一導(dǎo)線506成形為第一回路，則第二導(dǎo)線516是直線。

在此，優(yōu)點(diǎn)在于使得能夠?qū)⒂裳b置400中的第一導(dǎo)線在第二導(dǎo)線中感應(yīng)的寄生電流i_ind(t)移除。于是，能夠大大地減小磁力傳感器510的阻抗，同時(shí)由于第一回路相對于其中兩條導(dǎo)線都是直線(圖1中)的結(jié)構(gòu)而言具有π.N1因子而保持了高靈敏度。

這種中間結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)在于這樣的事實(shí)：為了精確抵消外通量，有必要施加反饋電流，該反饋電流的強(qiáng)度是裝置400的反饋電流的強(qiáng)度的π倍。因此，反饋電流，即測量電流的總增益為：G＝π².N1，即，例如，如果N1＝10，則G＝100。

圖4和圖5示出了根據(jù)曲流(meander)實(shí)施例的兩種檢測裝置。

圖4中等同于或者類似于圖1中的裝置的元件的裝置的相應(yīng)元件使用相似的附圖標(biāo)記來標(biāo)記，相應(yīng)的元件的附圖標(biāo)記相對于圖1中的元件的附圖標(biāo)記增加了300。

在裝置600中，磁傳感器612由多個(gè)基本磁傳感器612-i組成，這些基本磁傳感器按行設(shè)置，使得它們各自的表面Si位于相同的平面P內(nèi)。基本磁傳感器612-i串聯(lián)連接在控制電路614的輸入端E1與輸入端E2之間。

第一導(dǎo)線606和第二導(dǎo)線616被成形為使得：在平面P內(nèi)彼此并行。第一導(dǎo)線606和第二導(dǎo)線616彼此間隔一相對于各自的寬度較小的間距。

導(dǎo)線606和616被配置成通過形成曲流來在兩個(gè)基本磁傳感器612-i之間流通。

外部電流i_ext(t)被施加至第一導(dǎo)線606中，以使得其沿著一個(gè)方向流動(dòng)，并且反饋電流i_CR(t)被施加至第二導(dǎo)線616中，以使得其沿著另一方向流動(dòng)。

由導(dǎo)線生成的磁場在基本磁傳感器的表面Si的平面P中具有沿著與平面P垂直的方向的方位，在導(dǎo)線的一側(cè)所述方位為正，在導(dǎo)線的另一側(cè)所述方位為負(fù)。

在裝置600中，基本磁傳感器612-i是非對稱的，這些基本磁傳感器的響應(yīng)滿足：V(-φ)＝-V(φ)。例如，其為SQUID型傳感器。考慮到兩個(gè)曲流的外部磁場和反饋磁場的方位的翻轉(zhuǎn)，需要將基本磁傳感器612-i設(shè)置在每兩個(gè)曲流中的一個(gè)曲流中，以便基本磁傳感器612-i能夠被隔開，使得基本磁傳感器的響應(yīng)不會(huì)兩兩抵消。

圖5中等同于或者類似于圖1中的裝置的元件的裝置的相應(yīng)元件使用相似的附圖標(biāo)記來標(biāo)記，相應(yīng)的元件的附圖標(biāo)記相對于圖1中的元件的附圖標(biāo)記增加了400。

在圖5中的裝置700中，與圖4中的裝置600的不同之處在于，基本磁傳感器712-i是對稱的。例如，對于SQIF型超導(dǎo)磁傳感器而言，這些基本磁傳感器的響應(yīng)為：V(-φ)＝V(φ)。它們的響應(yīng)與磁場的方向無關(guān)，于是，基本磁傳感器712-i可以有利地設(shè)置在由第一導(dǎo)線706和第二導(dǎo)線716所限定的曲流中的每個(gè)曲流中。因此，可以增大基本磁傳感器的密度，這對于恒定表面而言提供了增大電流測量裝置的靈敏度的可能性。

曲流結(jié)構(gòu)引起了寄生電感和寄生輻射電阻，由此限制了通帶寬度。然而，曲流結(jié)構(gòu)的特征在于所述電感和輻射電阻本身小于回路結(jié)構(gòu)的電感和輻射電阻，這樣提供了進(jìn)一步推高電流檢測裝置的通帶寬度的高截止頻率的可能性。

再次通過選擇由導(dǎo)線616或716形成非常小尺寸的電路，輻射電阻可以減小，以進(jìn)一步推高傳感器的高截止頻率。

此外，可以優(yōu)化幾何參數(shù)。例如，可以增大各個(gè)第二導(dǎo)線616和716與磁傳感器612-i的軸線之間的距離x。導(dǎo)線所生成的磁場被減小了1/x，為了獲得相同的反饋通量，則需要增大反饋電流。其優(yōu)點(diǎn)在于：使得能夠通過使用高強(qiáng)度的反饋電流來對(沿著磁傳感器的表面Si的法線的)非常小幅值的外部磁場進(jìn)行檢測，即，能夠?qū)π》档耐獠侩娏鬟M(jìn)行檢測。

這種曲流結(jié)構(gòu)能夠?qū)⒚芏纫砸痪S或二維方式集中到平面P內(nèi)，這在圖7中進(jìn)行了示意性說明。

這種曲流結(jié)構(gòu)提供了使得電流檢測裝置具有減小的尺寸的可能性。

此外，這種曲流結(jié)構(gòu)相比于回路結(jié)構(gòu)而言更具優(yōu)勢，因?yàn)檫@種曲流結(jié)構(gòu)更易于優(yōu)化以及大規(guī)模集成。

根據(jù)本發(fā)明的電流檢測裝置具有寬通帶寬度，當(dāng)磁傳感器為超導(dǎo)體類型時(shí)，該電流檢測裝置在所述寬通帶寬度上具有非常高的靈敏度。通過恰當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)磁力傳感器，可以設(shè)想到通帶寬度從超低頻(VLF)擴(kuò)展到超高頻(UHF)，即，在約幾kHz至約1,000MHz之間。

該電流檢測裝置還具有相對于待測量的外部電流的強(qiáng)度的本質(zhì)線性響應(yīng)。此外，該響應(yīng)在整個(gè)通帶寬度上是均勻的，即，該響應(yīng)與待測量的外部電流的頻率無關(guān)。

根據(jù)外部電流的可測量強(qiáng)度，電流檢測裝置可以適配成：將控制電路的反饋電流分割到多個(gè)域中、將兩條導(dǎo)線的回路/曲流電路的尺寸優(yōu)化，多尺度集成等。

可選地，可以在控制電路中引入帶通濾波器，以便按照待測量的外部電流的頻率幅度的順序或者通過感興趣的頻域來指定要使用的特定數(shù)量的頻率范圍。

電流檢測裝置最終提供了高密度平面集成的可能性。