技術(shù)特征：

1.一種壓降采集電路，其特征在于，適于采集功率器件的導(dǎo)通壓降，包括；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓降采集電路，其特征在于，所述目標(biāo)器件包括目標(biāo)高壓二極管，所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)分別為所述目標(biāo)高壓二極管的輸入端和輸出端，所述目標(biāo)高壓二極管的輸出端適于連接功率器件(2)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的壓降采集電路，其特征在于，所述目標(biāo)高壓二極管包括：第一高壓二極管(d11)和第二高壓二極管(d12)，所述第二高壓二級管(d12)的輸入端與所述第一高壓二級管(d11)的輸出端連接，所述第二高壓二級管(d12)的輸出端適于與所述功率器件(2)連接；所述第一高壓二級管(d11)的輸入端適于與驅(qū)動(dòng)芯片(11)連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的壓降采集電路，其特征在于，所述電壓采樣單元(31)包括運(yùn)算放大器(u2)；

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓降采集電路，其特征在于，所述電壓采樣單元(31)還包括：第一電阻(r1)；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的壓降采集電路，其特征在于，所述電壓采樣單元(31)還包括：第二電阻(r2)；

7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的壓降采集電路，其特征在于，所述壓降采集電路(3)包括：鉗位單元(32)；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的壓降采集電路，其特征在于，所述鉗位單元(32)，包括：鉗位組件(321)；

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的壓降采集電路，其特征在于，所述鉗位組件(321)包括：第一二極管(d1)；所述第一二極管(d1)的輸入端和輸出端分別與所述第二節(jié)點(diǎn)和所述第一節(jié)點(diǎn)連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的壓降采集電路，其特征在于，所述鉗位單元(32)還包括：濾波組件(322)；

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的壓降采集電路，其特征在于，所述濾波組件(322)包括第一電容(c1)和第三電阻(r3)；所述第一電容(c1)和所述第三電阻(r3)并聯(lián)。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的壓降采集電路，其特征在于，所述鉗位單元(32)，包括：穩(wěn)壓管(dz1)和第二二極管(d2)；

13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓降采集電路，其特征在于，所述壓降采集電路(3)還包括：過沖抑制電路(33)；

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的壓降采集電路，其特征在于，所述過沖抑制電路(33)，包括：第二電容(c2)和第四電阻(r4)；

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的壓降采集電路，其特征在于，所述過沖抑制電路(33)，還包括：第三電容(c3)；

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓降采集電路，其特征在于，所述壓降采集電路(3)還包括：隔離單元(34)；

17.一種功率器件驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括功率器件(2)和權(quán)利要求1至16任一所述的壓降采集電路(3)，所述功率器件(2)與所述目標(biāo)器件連接，驅(qū)動(dòng)芯片退飽和保護(hù)通路(12)包括所述目標(biāo)器件，通過所述驅(qū)動(dòng)芯片退飽和保護(hù)通路得到的檢測電壓，用于檢測是否觸發(fā)所述功率器件(2)的過流保護(hù)。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的功率器件驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述功率器件驅(qū)動(dòng)電路還包括：驅(qū)動(dòng)芯片(11)，所述驅(qū)動(dòng)芯片(11)與所述驅(qū)動(dòng)芯片退飽和保護(hù)通路(12)連接，用于接收所述檢測電壓，并在根據(jù)所述檢測電壓確定未觸發(fā)過流保護(hù)的情況下驅(qū)動(dòng)所述功率器件(2)。

19.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的功率器件驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)芯片退飽和保護(hù)通路(12)還包括：第四電容(c4)；

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的功率器件驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述壓降采集電路(3)還包括：恒流供電單元(36)；

21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的功率器件驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)芯片(11)包括隔離單元(34)；所述壓降采集電路(3)的隔離單元(34)為所述驅(qū)動(dòng)芯片(11)中的隔離單元(34)。

22.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括功率器件(2)，以及權(quán)利要求17至21任一所述的功率器件驅(qū)動(dòng)電路。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N壓降采集電路、功率器件驅(qū)動(dòng)電路及電子設(shè)備，屬于電子技術(shù)領(lǐng)域。壓降采集電路適于采集功率器件的導(dǎo)通壓降，包括；目標(biāo)器件，為驅(qū)動(dòng)芯片退飽和保護(hù)通路上的器件；電壓采樣單元，與所述目標(biāo)器件的第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)連接，所述目標(biāo)器件的第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)適于連接功率器件；所述電壓采樣單元用于采集所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)的節(jié)點(diǎn)電壓，并將所述節(jié)點(diǎn)電壓轉(zhuǎn)換為所述功率器件的導(dǎo)通壓降，輸出所述導(dǎo)通壓降。本申請可以實(shí)時(shí)監(jiān)控功率器件的導(dǎo)通壓降。

技術(shù)研發(fā)人員：趙富龍,唐宏浩,王俊龍,羅啟明,黃鑫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：比亞迪股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15