本技術(shù)屬于半導(dǎo)體芯片，尤其涉及一種存儲器的操作方法、存儲器及存儲器系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、閃存是一種具有數(shù)據(jù)非易失性、讀寫速度快、低功耗、使用壽命長等特性的存儲器，被廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品，例如移動電話、計算機、智能傳感器、定位設(shè)備等。隨著消費者對電子產(chǎn)品的性能和可靠性的要求提高，市場對閃存(存儲器)的讀取速度、寫入(也可以稱為編程)速度、使用壽命等提出了更高要求。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)公開的實施例提供了一種存儲器的操作方法、存儲器及存儲器系統(tǒng)，用于提高存儲器的讀取速度。

2、為達到上述目的，本技術(shù)的實施例采用如下技術(shù)方案：

3、第一方面，提供一種存儲器的操作方法，存儲器包括存儲塊和耦接到存儲塊的多條字線，操作方法包括：在第一讀取操作后，第二讀取操作前，向多條字線施加通過電壓；在第二讀取操作的預(yù)導(dǎo)通階段，向多條字線施加通過電壓；在第二讀取操作的讀取階段，向多條字線中的第一字線施加第一讀取電壓；其中，通過電壓大于第一讀取電壓。

4、本技術(shù)在第一讀取操作后，第二讀取操作前，通過向存儲塊的多條字線施加通過電壓，對多條字線不進行放電，保持多條字線的電壓為通過電壓，從而在第二讀取操作的預(yù)導(dǎo)通階段，僅需要向頂部選擇線充電，而無需向多條字線進行充電；并在第二讀取操作的讀取階段，通過向多條字線中的第一字線施加第一讀取電壓，以讀取一個存儲頁中的數(shù)據(jù)。在面對有限的供電功率時，由于對多條字線不進行放電，從而僅向頂部選擇線進行充電，可以使頂部選擇線的電壓快速達到第一導(dǎo)通電壓，從而節(jié)省第二讀取操作(以及后續(xù)讀取操作)的預(yù)導(dǎo)通階段的充電時間，以縮短第二讀取操作(以及后續(xù)讀取操作)的讀取時間，進而提高存儲器的讀取速度。

5、在一些實施例中，操作方法還包括：在第二讀取操作的讀取階段，向多條字線中除第一字線外的字線施加通過電壓。在第二讀取操作的讀取階段，僅向第一字線施加第一讀取電壓，向第一字線外的字線施加通過電壓，從而保障感測節(jié)點的放電速率與第一字線耦接的存儲單元有關(guān)。

6、在一些實施例中，操作方法還包括：在第二讀取操作的預(yù)導(dǎo)通階段，向耦接存儲塊的多條頂部選擇線施加第一導(dǎo)通電壓；在第二讀取操作的讀取階段，向多條頂部選擇線中的第一頂部選擇線施加第一導(dǎo)通電壓。從而使得感測節(jié)點通過與第一頂部選擇線耦接的存儲串進行放電。

7、在一些實施例中，操作方法還包括：在第二讀取操作的讀取階段，向多條頂部選擇線中除第一頂部選擇線外的頂部選擇線施加關(guān)斷電壓。以保障感測節(jié)點僅能夠通過與第一頂部選擇線耦接的存儲串進行放電。

8、在一些實施例中，操作方法包括：在第一讀取操作的預(yù)導(dǎo)通階段，向多條字線施加通過電壓；在第一讀取操作的讀取階段，向多條字線中的第二字線施加第二讀取電壓；其中，通過電壓大于第二讀取電壓。從而通過第一讀取操作，讀取另一個存儲頁中的數(shù)據(jù)。

9、在一些實施例中，操作方法還包括：在第一讀取操作的讀取階段，向多條字線中除第二字線外的字線施加通過電壓。從而保障感測節(jié)點的放電速率與第二字線耦接的存儲單元有關(guān)。

10、在一些實施例中，操作方法還包括：在第一讀取操作的預(yù)導(dǎo)通階段，向耦接存儲塊的多條頂部選擇線施加第一導(dǎo)通電壓；在第一讀取操作的讀取階段，向多條頂部選擇線中的第二頂部選擇線施加第一導(dǎo)通電壓。從而使得感測節(jié)點通過與第二頂部選擇線耦接的存儲串進行放電。

11、在一些實施例中，操作方法還包括：在第一讀取操作的讀取階段，向多條頂部選擇線中除第二頂部選擇線外的頂部選擇線施加關(guān)斷電壓。以保障感測節(jié)點僅能夠通過與第二頂部選擇線耦接的存儲串進行放電。

12、在一些實施例中，操作方法還包括：在第一讀取操作后，第二讀取操作前，先向耦接存儲塊的多條頂部選擇線施加第一導(dǎo)通電壓；后向多條頂部選擇線施加關(guān)斷電壓。從而將存儲串溝道的電位恢復(fù)到低電位，減小溝道中殘留的電子對后續(xù)讀取操作的精確度造成影響。

13、在一些實施例中，操作方法還包括：在第一讀取操作后，第二讀取操作前，向耦接存儲塊的底部選擇線施加第二導(dǎo)通電壓。從而將存儲串溝道的電位復(fù)位到更好狀態(tài)的低電位(更好的抽走或中和溝道中殘留的電子)，在下一次讀取操作(第二讀取操作)時，預(yù)導(dǎo)通階段等待溝道復(fù)位的時間可以變短，進一部縮短第二讀取操作的讀取時間。

14、在一些實施例中，操作方法還包括：在第一讀取操作和第二讀取操作時，向底部選擇線施加第二導(dǎo)通電壓，以保障感測節(jié)點能夠通過與頂部晶體管耦接的公共源極進行放電。

15、第二方面，提供一種存儲器，存儲器包括存儲陣列以及外圍電路。存儲陣列包括多個存儲塊和耦接到存儲塊的多條字線，外圍電路耦接到多條字線；外圍電路被配置為：在第一讀取操作后，第二讀取操作前，向多條字線施加通過電壓；在第二讀取操作的預(yù)導(dǎo)通階段，向多條字線施加通過電壓；在第二讀取操作的讀取階段，向多條字線中的第一字線施加第一讀取電壓；其中，通過電壓大于第一讀取電壓。

16、在一些實施例中，外圍電路還被配置為：在第二讀取操作的讀取階段，向多條字線中除第一字線外的字線施加通過電壓。

17、在一些實施例中，外圍電路還被配置為：在第二讀取操作的預(yù)導(dǎo)通階段，向耦接存儲塊的多條頂部選擇線施加第一導(dǎo)通電壓；在第二讀取操作的讀取階段，向多條頂部選擇線中的第一頂部選擇線施加第一導(dǎo)通電壓。

18、在一些實施例中，外圍電路還被配置為：在第二讀取操作的讀取階段，向多條頂部選擇線中除第一頂部選擇線外的頂部選擇線施加關(guān)斷電壓。

19、在一些實施例中，外圍電路被配置為：在第一讀取操作的預(yù)導(dǎo)通階段，向多條字線施加通過電壓；在第一讀取操作的讀取階段，向多條字線中的第二字線施加第二讀取電壓；其中，通過電壓大于第二讀取電壓。

20、在一些實施例中，外圍電路還被配置為：在第一讀取操作的讀取階段，向多條字線中除第二字線外的字線施加通過電壓。

21、在一些實施例中，外圍電路還被配置為：在第一讀取操作的預(yù)導(dǎo)通階段，向耦接存儲塊的多條頂部選擇線施加第一導(dǎo)通電壓；在第一讀取操作的讀取階段，向多條頂部選擇線中的第二頂部選擇線施加第一導(dǎo)通電壓。

22、在一些實施例中，外圍電路還被配置為：在第一讀取操作的讀取階段，向多條頂部選擇線中除第二頂部選擇線外的頂部選擇線施加關(guān)斷電壓。

23、在一些實施例中，外圍電路被配置為：在第一讀取操作后，第二讀取階段前，先向耦接存儲塊的多條頂部選擇線施加第一導(dǎo)通電壓；后向多條頂部選擇線施加關(guān)斷電壓。

24、在一些實施例中，外圍電路還被配置為：在第一讀取操作后，第二讀取操作前，向耦接存儲塊的底部選擇線施加第二導(dǎo)通電壓。

25、在一些實施例中，外圍電路還被配置為：在第一讀取操作和第二讀取操作時，向底部選擇線施加第二導(dǎo)通電壓。

26、第三方面，提供一種存儲器系統(tǒng)，包括存儲控制器和上述第二方面中的存儲器，存儲控制器被配置為控制存儲器。

27、第四方面，提供一種計算機可讀存儲介質(zhì)，計算機可讀存儲介質(zhì)存儲有計算機可執(zhí)行指令；計算機可執(zhí)行指令被執(zhí)行后，能夠?qū)崿F(xiàn)上述第一方面中的任一項方法。

28、第五方面，提供一種計算機設(shè)備，包括處理器，以及與處理器耦合的可讀存儲介質(zhì)，可讀存儲介質(zhì)存儲可執(zhí)行指令，當可執(zhí)行指令被處理器執(zhí)行時，能夠?qū)崿F(xiàn)上述第一方面中的任一項方法。

29、可以理解地，第二方面至第五方面的技術(shù)效果參照第一方面及其任一實施方式的技術(shù)效果，在此不再重復(fù)。